2024年芬兰千年技术奖授予绝缘栅双极晶体管发明者
新华社赫尔辛基9月4日电(记者陈静)芬兰技术学会4日发布的公报显示,2024年芬兰千年技术奖授予本德瓦尔·贾扬特·巴利加,以表彰他在研发绝缘栅双极晶体管(IGBT)技术方面所作的贡献,奖金为100万欧元(1欧元约合1.1美元)。巴利加于1948年出生在印度,目前在美国北卡罗来纳州立大学担任教授。公报说,这一奖项颁给巴利...
基础知识之晶体管
fT:增益带宽积指晶体管能够动作的极限频率。所谓极限,即基极电流对集电极电流的比为1(即hFE=1)的情况。提高基极输入频率,hFE变低。这时,hFE为1时的频率叫做fT(增益带宽积)。fT指在该频率下能够工作的极限值。但是,实际使用时能够动作的只有fT值的1/5to1/10左右。测定条件如下f:根据测定装置而...
技术科普|汽车电机控制器详解
电压转换:MCU将电池的直流电转换为三相交流电,驱动交流电机,这一过程通过内部逆变器实现,使用半导体开关器件如晶体管或IGBT来控制电流的频率和幅值。速度与转矩控制:MCU根据驾驶条件调整电机转速和转矩,以适应不同的驾驶需求。系统保护:MCU具备多种保护机制,如电池输入端保护、故障检测、电机控制器本体故障保护、过载...
一文搞懂IGBT
IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由(BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有(MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(GTR)的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;(因为Vbe=0.7V,而Ic可以很大(跟PN结材料和厚度有关))MO...
双极结型晶体管的电流增益
有些人可能会说这是特定双极结型晶体管的电流增益,他们可能会提供β=100作为典型值。这是一个好的开始,但我们需要更:β是正向激活模式下工作的双极结型晶体管的基极电流和集电极电流之间的比例因子。这样更好,但我们还没有完成,因为情况实际上比这更复杂。作为本节副标题的问题有点误导,因为如果我们想在...
如何正确识别晶体管的3个引脚:晶体管测试方法分步
双极结型晶体管(BJT)结构当考虑物理外观时,具有塑料覆盖的晶体管并且晶体管的一侧是平坦表面而另一侧是弯曲的(www.e993.com)2024年9月11日。如何通过符号识别晶体管的3个引脚通过查看箭头指向的方向,可以轻松识别晶体管符号的3个引脚。如果箭头指向发射器,它是一个NPN晶体管。如果箭头指向基极,则它是PNP晶体管。
半导体芯片,到底是如何工作的?
不管是电子管(真空管),还是晶体管,都是用电来控制电的小元件。晶体管基于半导体材料,所以能做得足够小。这是芯片(集成电路)能做到“极小身材,极大能力”的本因。今天这篇,我们继续往下讲,说说芯片的诞生过程——从真空管、晶体管到集成电路,从BJT、MOSFET到CMOS,芯片究竟是如何发展起来的,又是如何工作的。
万用表如何判断mos管好坏
双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比(beta)。另一种晶体管,叫做场效应管(FET),把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance,定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道,以下为N沟道和P沟道符号。
高通、MTK猛龙过江射频前端市场,Qorvo、Skyworks如何招架?
凭借独有的高性能HBT(HeterojunctionBipolarTransistor,异质结双极晶体管)工艺,Qorvo将GaAs的潜能挖掘到极致。“Qorvo新推出的第五代HBT工艺再次提升了GaAs技术,使之能够支持更高增益,这对研发针对PC2的PA产品相当有利。目前新一代工艺的关键技术只有Qorvo掌握了,而Qorvo2016年中后的GaAs新产品都将用到这项工艺。
功率晶体管的历史和新兴设计
达林顿功率双极晶体管(图1右侧)能够改善低通态电流增益的问题。它利用基极驱动晶体管T1向输出晶体管T2提供驱动电流,如图1中的等效电路所示。这种方法允许在导通状态下增加电流增益,但关断增益仍然很差。更重要的是,由于晶体管T1的电流流经晶体管T2的基极-发射极结,达林顿功率晶体管具有类似二极管的导通状态特性。这使得...