光刻胶是什么材料?这种材料在半导体制造中有何重要性?
增感剂则有助于提高光刻胶对光的敏感度,从而能够在光刻过程中实现更精细的图案转移。溶剂的作用是使光刻胶能够均匀地涂布在半导体晶圆表面。为了更清晰地了解光刻胶的重要性,我们可以通过以下表格对比光刻胶在不同工艺环节中的作用:光刻胶在半导体制造中的重要性主要体现在以下几个方面:首先,它直接影响着半导...
一万八干字详解半导体刻蚀工艺_腾讯新闻
刻蚀工艺是半导体制造中一个关键且不可或缺的步骤,其重要性体现在以下几个方面:1.微观结构的精确形成:刻蚀工艺通过去除特定区域的材料,形成微观结构和电路图形,这些结构决定了半导体器件的性能和功能。刻蚀工艺能够实现纳米级别的精度,这是制造高密度、高性能集成电路(IC)的基础。例如,现代微处理器的晶体管尺寸...
2024-2030年CMP制程工艺材料行业市场调研及发展趋势预测报告
根据TECHCET,受益于逻辑和存储芯片技术节点进步、掩膜步骤数、3DNAND层数、刻蚀及刻蚀后去除步骤数增加,全球半导体关键清洗材料(包括刻蚀后残留物清洗液和抛光后清洗液)保持增长。先进制造技术和设计需求使逻辑半导体的复杂性将显著增加,主要体现在层数的增多和晶体管结构的复杂化,技术进步对CMP抛光工艺提出更高的要求。
盛美上海新品发布!推出Ultra C bev-p面板级边缘刻蚀设备
该工艺对于有效避免电气短路、最大限度降低污染风险、保持后续工艺步骤的完整性至关重要,有助于确保器件经久耐用。该设备的高效性主要得益于盛美上海的专利技术,以应对方形面板衬底所带来的独特挑战。与传统的圆形晶圆不同,盛美上海的独特设计可以实现精确的去边工艺,确保在翘曲面板的加工过程仅限于边缘区域。这一专...
科普| 什么是光伏电池片?光伏电池片的种类有哪些?
因此,必须对太阳能电池周边的掺杂硅进行刻蚀,以去除电池边缘的PN结。通常采用等离子刻蚀技术完成这一工艺。等离子刻蚀是在低压状态下,反应气体CF4的母体分子在射频功率的激发下,产生电离并形成等离子体。等离子体是由带电的电子和离子组成,反应腔体中的气体在电子的撞击下,除了转变成离子外,还能吸收能量并形成大量的活性...
...质蜡的加氢工艺专利,减少生物油脂中杂质对固体催化剂的刻蚀作用
卓越新能取得一种生物质油脂生产生物质蜡的加氢工艺专利,减少生物油脂中杂质对固体催化剂的刻蚀作用,油脂,固体,催化剂,反应器,生物质,加氢工艺
...激光方面结合现在主流技术正在进行两个工艺路径的开发,包括...
公司回答表示,公司在TGV(ThroughGlassVia,玻璃通孔)技术上正在进行研发投入,激光方面结合现在主流技术正在进行两个工艺路径的开发,包括激光刻蚀技术和激光诱导变性技术。其中激光刻蚀技术由于不需要掩膜,可以省略部分工艺过程,对制造成本的降低具有重要作用。该方法通过形成一定倾斜角度的深孔,可在深孔内填充金属。但现有...
【爆发】对话极豆科技创始人:数字化服务运营商如何赋能车企;"百亿...
CEVAIP在物联网时代以令人惊讶的速度被广泛采用也证实了CEVA在无线连接的普及方面发挥了重要的作用。CEVA将5G、蜂窝物联网、蓝牙、Wi-Fi和UWB平台IP广泛授权予数百家半导体企业和OEM厂商,有效地降低了在SoC中嵌入无线连接功能的导入门槛,推动各家企业设计出具有高成本效益和高能效的芯片产品,使得人们认为...
刻蚀设备:仅次于光刻机的半导体制造核心工艺 迎国产爆发机遇?丨...
并且,已经有不少国产企业在技术、订单方面有较为明显的突破。例如,3DNAND工艺中最困难环节的高深宽比刻蚀领域,中微公司就自主开发了极高深比刻蚀机,该设备用400KHz取代2MHz作为偏压射频源,以获得更高的离子入射能量和准直性,使得深孔及深槽刻蚀关键尺寸的大小符合规格。在3DNAND芯片制造环节,公司的等离子体刻蚀设...
2024年中国钙钛矿电池工艺流程分析 镀膜、涂布、激光刻蚀为关键...
镀膜、涂布、激光刻蚀为制备过程核心环节钙钛矿电池在结构上由多个功能薄膜叠加而成,其制备在方法上也是在基底上一层层累置薄膜而成。整个过程中三层薄膜(空穴传输层HTL、钙钛矿层、电子传输层ETL)制备最为关键,镀膜、涂布、激光刻蚀为核心环节,镀膜设备(PVD、RPD)、激光设备和涂布机为核心设备。