3D闪存哪家强:姜还是三星的辣 长江仅次之

3D闪存哪家强:姜还是三星的辣长江仅次之近日,市场研究机构Techinsights对于三星、SK海力士/Solidigm、美光、铠侠(西部数据)、YMTC的200层以上的3DNANDFlash进行了对比分析,发现三星的垂直单元效率(VCE,verticalcellefficiency)是最高的。传统的NAND闪存单元采用平面晶体管结构,包括控制栅极(ControlGate)和浮...

紫光闪存UNIS SSD S2 Ultra:3D TLC颗粒,新玩家也有成熟表现

UNISSSDS2Ultra在包装中附赠了石墨烯散热贴，那么在散热贴的加持下，其发热表现如何呢？在硬盘进行CrystalDiskMark跑分时，我们使用HWiNFO可以看到硬盘三颗温度传感器分别显示为49℃、49℃以及75℃。使用红外测温仪，则可以看到硬盘主控芯片的温度约73℃，闪存颗粒大约在60℃上下，总体来看发热表现还是不错的。总结：...

存储器巨头正聚焦于NAND闪存堆叠层的突破,以及DRAM先进制程节点和...

存储器巨头正聚焦于NAND闪存堆叠层的突破,以及DRAM先进制程节点和3DDRAM技术。受人工智能和大数据驱动,数据存储的需求激增,对存储技术的先进性提出了更高要求。在此背景下,存储器巨头之间的技术竞争日趋白热化。NAND闪存主要厂商正聚焦于堆叠层的突破。近期,《韩国经济日报》报道称,三星预计将于本月晚些时候量...

中国NAND闪存行业发展趋势研究与投资前景分析报告(2023-2030)

而在国内方面，长江存储在NAND领域取得不断突破，2020年成功研发128层3DNAND闪存产品，持续缩短与海外巨头之间的差距。为进一步提高存储容量，SK海力士推出4DNAND技术，并且在2022年宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层4DNAND闪存。4DNAND技术主要通过在3DNAND中利用单元下外围（PUC）技术，在单元下方形成外围...

三星将量产290层闪存,明年430层

据Kedglobal报道,全球*的存储芯片制造商三星电子公司将于本月晚些时候开始批量生产290层第九代垂直(V9)NAND芯片,以引领行业向高堆叠高密度闪存过渡的竞争对手。业内消息人士周四表示,随着人工智能时代对高性能和大型存储设备的需求增长,这家韩国芯片制造商还计划明年推出430层NAND芯片。

长江存储QLC闪存封神

提高3DNAND闪存存储密度的四项基本技术3DNAND是一种非易失性存储技术(NVMNon-VolatileMemory),属于Memory(存储器)的一种(www.e993.com)2024年11月22日。目前,2DNAND也称为平面NAND,已经达到了其容量发展的极限。3DNAND是为了克服2DNAND的容量限制而开发的。3DNAND架构可在不牺牲数据完整性的情况下扩展到更高的密度。

从2D到3D:半导体封装工艺与DTCO

从2D到3D,这就是一个很大的进步。2D到3D,包含晶体管的架构,从原来平坦式的晶体管,变成已经现在立体式晶体管。除了在芯片上的晶体管开始变成3D之外,封装部分也把它变成了3D。3D封装技术在3D封装中,工程师们通过垂直堆叠芯片,用更短的互连和高带宽连接起来,进一步弥补了二维封装设计中的缺陷。在传统的2D封装中...

3D Nor Flash,即将到来

Macronix目前正在开发一条32层3DNOR闪存生产线,该生产线的内存密度将是2DNOR闪存的7倍。未来,Macronix可能会通过使用数百层来进一步提高密度。与现有的2DNOR闪存产品一样,这些3DNOR闪存设备将提供工业和汽车(AEC)级产品。

存储芯片巨头,秀肌肉!|闪存|美光|海力士|nand_网易订阅

他们在论文摘要指出,铠侠提出了一种新颖的架构,即先进的水平通道闪存(HCF:horizontalchannelflash),它使用本地块互连、交错选择门和采用基于浮栅的电荷存储的存储单元。具有最小化2F2单元的HCF显示出比具有6F2单元的垂直栅极NAND设计和具有4F2单元的传统3D闪存更好的单元效率。此外,HCF保留了...

3D NAND,1000层

回顾2DNAND,它采用平面架构,浮动栅极(FG)和外围电路彼此相邻。2007年,随着2DNAND的尺寸达到极限,东芝提出了3DNAND结构。三星于2013年率先向市场推出了所谓的“V-NAND”。3D设计引入了多晶硅和二氧化硅的交替层,并将浮动栅极替换为电荷陷阱闪存(CTF)。这些区别既有技术上的,也有经济上的。FG将存储...