芯片新品|三星计划2026年推出400层V10 NAND闪存,用于AI服务器

存储芯片制造商三星电子计划在2026年前推出400层V-NAND闪存芯片，以在人工智能（AI）热潮中引领快速增长的存储设备市场。根据三星的存储芯片发展规划，其负责半导体业务的设备解决方案部门（DS）目标是最早在2026年生产出至少有400层单元垂直堆叠的V-NAND，以最大限度地提高容量和性能。三星目前批量生产286层大容量V9NA...

三星计划2026年实现400层NAND闪存,2030年将超过1000层

三星在2013年推出了第一款量产的3DNAND存储器,称为V-NAND,并因此领先于竞争对手。三星是从24层V-NAND开始,逐渐积累了丰富的经验,目前最新量产的是第9代V-NAND,层数达到了290层。据TrendForce报道,随着人工智能(AI)的蓬勃发展,市场除了HBM这类高带宽存储器,也需要更多层数的NAND闪存,这是大型数据中心大容量SSD...

三星宣布启动首批第九代V-NAND闪存量产

环球网科技综合报道4月23日消息,三星半导体今日宣布,其第九代1TbTLCV-NAND闪存已开始量产。三星电子闪存产品与技术主管SungHoiHur表示:“我们很高兴推出三星首款第九代V-NAND产品,这将为未来应用的飞速发展提供新的可能性。为了满足持续演进的NAND闪存解决方案需求,三星在新型闪存的单元架构和操作方案上...

三星研制出采用第八代V-NAND的车载固态硬盘

三星研制出采用第八代V-NAND的车载固态硬盘三星电子9月24日表示,公司在业内率先研制出采用第8代3D垂直闪存(V-NAND)的PCIe4.0车载固态硬盘(SSD)“AM9C1”。AM9C1提供128GB、256GB、512GB、1太拉字节(TB)、2TB多种存储容量选择。以第8代V-NAND为准,2TB是业内现存最大容量,预计明年年初投入量产。三星计划...

三星电子宣布量产1Tb QLC V-NAND存储芯片

9月15日消息,近日,三星电子宣布已开始量产其最新的NAND芯片——1Tb(太比特)四层单元(QLC)第九代垂直NAND(V-NAND)。三星官网继今年4月首次量产9th-GenTLCV-NAND之后,三星再次引领行业,推出更高存储密度的QLC解决方案。这项新技术允许每个存储单元存储4位数据,从而在物理芯片上实现更高的存储密度。

三星宣布第9代V-NAND QLC启动量产:其首款1Tb QLC闪存,计划扩大...

今年4月,三星正式开始量产第9代V-NAND闪存,首批提供的是容量为1Tb的TLC闪存,进一步增强了自身在闪存市场的竞争力(www.e993.com)2024年11月22日。现在三星宣布启动新款第9代V-NAND闪存的量产工作,属于其首款1Tb的QLC(四层单元)闪存,进一步巩固了三星在高容量、高性能NAND闪存市场中的地位。

三星第九代 QLC V-NAND 量产, AI 时代的存储

三星电子宣布正式量产其第九代四层单元(QLC)V-NAND闪存。作为全球首个涉足QLC领域的存储巨头,三星再次彰显了其在存储市场的领导地位。伴随着人工智能(AI)、大数据、5G等新兴技术的迅速发展,存储市场迎来了前所未有的变革。三星的最新产品不仅带来了业内最高层数的结构,还凭借其突破性的技术为迎接AI时代的内存需求...

...款超大容量固态硬盘 BM1743:搭载 176 层第 7 代 V-NAND QLC 闪存

BM1743采用了三星自主研发的第七代176层V-NAND(3DNAND)QLC存储单元以及专属的主控,其顺序读取速度可达7.2GB/s,顺序写入速度为2.0GB/s。随机读写性能方面,BM1743拥有160万次随机读取IOPS和11万次随机写入IOPS。该款固态硬盘的耐久性为每天0.26次写入(DWPD),能够持续五年。

...BM1743 SSD:最高 61.44TB,搭载 176 层第 7 代 V-NAND QLC 闪存

三星宣布,推出企业级BM1743SSD,提供了最高61.44TB容量。其搭载了176层QLC闪存,采用了第7代V-NAND技术。上一代的BM1733SSD发布于2020年,采用了第5代V-NAND技术的QLC闪存,堆叠层数为96层,最大容量为15.36TB,显然BM1743的存储密度有了大幅度提升。

1000层NAND,难在哪里?

在IEDM2023的邀请演讲中,达到1000层左右的3DNAND一代被称为“V13”一代,毫无疑问,其发展目标是“将堆叠字线数量增加到1000层”。2030年的“V13”一代。”就是这样。三星在IEDM邀请演讲开始时指出,3DNAND闪存层的速度正在呈指数级增长。最初,大约需要五代才能达到100层。