SK海力士:将进一步完善321层NAND闪存,拟2025年量产

当地时间8月8日,SK海力士在美国加利福尼亚州圣克拉拉举办的“2023闪存峰会”上,公布了321层1TbTLC(TripleLevelCell)4DNAND闪存开发的进展,并展示了现阶段开发的样品。SK海力士宣布,将进一步完善321层NAND闪存,并计划于2025年上半期开始量产。

SK海力士全球率先量产12层堆叠HBM3E

特别是SK海力士的先进MR-MUF技术,较现有技术减少了芯片堆叠时所施加的压力,提高了芯片的翘曲控制力(WarpageControl),这是确保HBM稳定量产的关键。

SK海力士量产12层堆叠HBM3E:36GB容量,运用MR-MUF工艺,年内开始供货

SK海力士宣布，全球率先量产12层堆叠HBM3E，实现了现有HBM产品中最大的36GB容量。SK海力士表示，新产品是面向AI的存储器，提供了所需要的速度、容量、稳定性等，所有方面都已达到全球最高水平。这是继今年3月全球率先向客户供应8层HBM3E后，仅时隔6个月再次展现出其压倒性的技术实力。SK海力士强调:“自2013年全球...

321层堆叠!海力士展出UFS 4.1闪存

321层堆叠!海力士展出UFS4.1闪存SK海力士在FMS2024峰会上展示了其突破性的存储产品,包括尚未正式发布的UFS4.1通用闪存。尽管JEDEC固态技术协会最新公布的UFS规范仍为2022年8月的UFS4.0,SK海力士的新品预示着存储技术将再次飞跃。海力士展示的两款UFS4.1产品,拥有512GB和1TB的存储容量,均采用了创新的321层堆叠V...

SK海力士明年量产400层闪存!能让SSD更便宜吗?

这就颇有点长江存储晶栈结构的味道了。SK海力士在去年8月已经展示了321层堆叠闪存的样品，是第一家做到300+层的，而且是TLC。其他厂商方面，三星已经量产290层闪存，目标是2030年超过1000层。美光已经将276层闪存投入实用。铠侠去年达成了218层，暗示有望在2027年就达到1000层。长江存储……不公开，也不能说。

SK海力士将展示 AI 内存新品:12 层 HBM3E、321-high NAND等

IT之家8月1日消息,SK海力士今天(8月1日)发布博文,宣布将出席8月6日至8日,在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的全球半导体存储器峰会FMS2024,展示诸多新一代产品(www.e993.com)2024年11月21日。未来存储器和存储峰会(FutureMemoryandStorage)简介前身是主要面向NAND供应商的闪存峰会(FlashMemorySummit),在人工...

SK海力士开始量产12层堆叠HBM3E

SK海力士开始量产12层堆叠HBM3ESK海力士9月26日宣布已开始量产12层HBM3E,实现了现有HBM产品中最大的36GB(千兆字节)容量,公司将在年内向客户提供此次产品。

SK 海力士 8 月 6 日将展示 AI 相关新品:12 层 HBM3E、321-high...

IT之家8月1日消息,SK海力士今天(8月1日)发布博文,宣布将出席8月6日至8日,在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的全球半导体存储器峰会FMS2024,展示诸多新一代产品。未来存储器和存储峰会(FutureMemoryandStorage)简介前身是主要面向NAND供应商的闪存峰会(FlashMemorySummit),在人工智...

SK海力士准备通过混合键合技术生产400层NAND 321层工艺已投产

SKHynix已经实现了321层NAND工艺,并在2023年8月进行了展示,计划在2025年上半年开始量产。这将是该公司第一款也是最先进的400层NAND产品。尽管如此,SK海力士并不是这场游戏的唯一参与者。三星和美光等内存巨头也在增加其NAND芯片的层数。美光最近推出了一款拥有276层的高密度NAND,而...

SK 海力士率先展示 UFS 4.1 通用闪存,基于 V9 TLC NAND 颗粒

SK海力士此次展示了两款UFS4.1通用闪存,容量分别为512GB和1TB,均基于321层堆叠的V91TbTLCNAND闪存。而在V9NAND闪存上,SK海力士不仅有展示已公布的1Tb容量、2.4Gbps速率TLC,还首度展出了容量业界领先的3.2GbpsV92TbQLC以及3.6Gbps高速V9H1TbTLC颗粒。