...的半导体发光元件专利,提升热态下量子阱与 p 型半导体的界面带阶

专利摘要显示,本发明提出了一种具有热态冷态比例调控层的半导体发光元件,包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体、有源层和p型半导体,所述n型半导体与有源层之间设置有热态冷态比例调控层,所述热态冷态比例调控层具有峰值速率电场变化趋势和重空穴有效质量变化趋势。本发明能够提升热态下量子阱与p型半...

【受阻】进军印度受阻,高塔半导体重新提交晶圆厂建设申请

通威股份工作人员表示,公司产能满足满足硅料行业从P型向N型的转型需求,同时具备一定成本优势下,公司持续进行产能建设和扩张。此外,本次建设产能或将在2026年得到释放,或将对产业链价格产生进一步影响,与此同时,目前硅料价格接近前期底部,公司签约出货库存都处在正常水平。尽管当前光伏产业处于低点,但行业巨头纷纷推出巨...

中科院北京纳米能源所张弛研究员团队EES:基于P/N型有机半导体纤维...

图4.A-C,WDP在自供电可穿戴电子领域的展望.B-F,WDP在标准频率下为不同功耗的电子设备供电.G-H,WDP良好的耐久性.I-J,WDP通过收集人体机械能为电子墨水屏供电.结论作者报告了一种基于P/N型有机半导体编织和串联/并联逐层组装策略的高性能真正可穿戴的摩擦伏特直流电源纺织品。采用传统的织造工艺制备...

发射型钙钛矿半导体的可控p型和n型行为研究

本研究报道指出,通过在宽带隙钙钛矿半导体中掺入具有强吸电子能力的膦酸分子掺杂剂,可以调整其p型和n型特性。由此得到的p型和n型样品的载流子浓度均超过1013cm-3,霍尔系数范围从0.5m3C-1(n型)到0.6m3C-1(p型)。观察到费米能级在带隙间的移动。重要的是,在保持70–85%的高光致发光量子产率的同时,实现了...

刘冰冰教授、李全军教授团队利用压力调制Peierls畸变实现NbOI2的n...

图1:通过压力抑制Nb原子沿着b轴的偏心,导致NbOI2发生C2到C2/m的半导体-半导体相变,同时,载流子行为发生从n型到p型的显著转变。吉林大学超硬材料国家重点实验室岳磊博士、李宗伦博士(现散裂中子源博士后)为论文共同第一作者,通讯作者为吉林大学超硬材料国家重点实验室的刘冰冰教授、李全军教授。该研究得到国家重点研...

拉普拉斯:被专利战围剿的隆基与晶科“影子股”

光衰、理论转化效率极限低等诸多因素让P型电池的边际贡献在不断削弱,而技术突破带来的综合性能更优的N型则成为厂商竞争的新舞台(www.e993.com)2024年11月13日。2021年开始,以晶科为代表的头部企业率先投建N型产能;随着电池转换效率世界纪录被一次次刷新,行业性的、集中式的大规模资本开支呼之欲出。作为“卖铲人”之一的拉普拉斯迎来了周期红利...

...&狄大卫Nature全面解读:发光钙钛矿半导体中可控的p型和n型行为

结果表明,p型和n型样品的载流子浓度均超过了1013??cm??3,霍尔系数在??0.5??m3C??1(n型)到0.6??m3C??1(p型)范围内。我们观察到了费米能级在带隙中的移动。重要的是,实现了从n型到p型导电性的转换,同时保持了70%到85%的高光致发光量子产率。在发光钙钛矿半导体中,可控的掺杂使得我们展示...

首次!有机半导体光催化掺杂

图4:光催化n型掺杂以及光催化的协同的p/n掺杂。最后,研究人员研究了有机半导体的光催化还原(n-掺杂)以及协同的光催化p/n掺杂。作者使用三乙胺作为弱n型掺杂剂,在光照下转化光催化剂至还原态,之后光照继续激活至活性更高的激发还原态,实现对n型半导体BBL的有效掺杂。作者进一步将三乙胺替换成p型半导体P(g42T-...

吃透MOS管,看这篇就够了

上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求。解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可。因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通...

【会议邀请】2024 NET ZERO 光伏产业大会即将召开,诚邀您的参与!

异质结对N型硅片的性能需求拟邀发言嘉宾:安徽华晟新能源科技有限公司大咖访谈:内外市场悲观硅料、硅片企业如何穿越周期和回归理性拟邀发言嘉宾:刘松,四川永祥股份有限公司,销售总监(已确认)吴刚,双良硅材料(包头)有限公司,总经理(已确认)甘新业,新特能源股份有限公司,副总经理...