国产算力专题报告:国产算力飞跃启新,AI引领产业链发展变革

存储：DRAM和NANDFlash是主流产品存储芯片分为易失性和非易失性两种，易失性主要包括静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)；非易失性主要包括闪存存储器(Flash)、可编程只读存储器(PROM)、可擦可编程只读存储器(EPROM/EEPROM)等。其中，DRAM和Flash是主流产品，根据头豹研究院数据，2021年我国...

赶超英伟达?都2024年了,居然还炒作SRAM

SRAM的中文全名叫静态随机存取存储器,和DRAM也就是内存,在技术上略有不同。SRAM是易失性内存,也就是说断电不保存数据,这点DRAM内存条也一样,NANDFLASH刚好相反,它是非易失性的,断电还能保存数据。SRAM的优点很明显,快,非常快,不仅远远超过NAND,更是超过DRAM的速度,所以SRAM的特点就是快。你可以理解成SRAM...

存储芯片,中国什么时候能成?

在非易失性存储器领域,持续涌现新技术,目前技术成熟且拥有一定规模市场的外存共有三种:NANDFlash、NORFlash、EEPROM。其中,市场规模最大的是NANDFlash。NANDFlash属于数据型闪存芯片,可以实现大容量存储、高写入和擦除速度,多应用于大容量数据存储。拥有SLC、MLC、TLC、QLC四种不同存储技术,依次代表每个存储单元...

你说的“内存”,其实不是内存?——计算机存储器科普

这是完全错误的,内存就是内存啊,闪存属于外存的一种,这种错误最开始可能来源于android的存储一般被标记为internalstorage,被翻译成中文就是内置存储设备,但这名字很明显太长啊,然后就被人错误的简称为“内存”。在android的最初设计中,确实有外存(externalstorage)的存在,外存用来存储用户数据比如照片什么的,内...

内存条故障原因有哪些 内存条故障解决方法

通常所说的内存条是由4,8,16片1*16M或2*32M或更大的内存芯片封闭在PCB板上,再辅以电阻电容。目前随着DDR266,DDR333,DDR400,DDR533内存的上市,内存的种类很多,但是内存的读写周期和延时的设置非常专业,设置错误将导致计算机不能启动或工作不稳定,所以在大多数内存条上都有一片串形FLASH芯片,用以存贮内存条的...

总算有篇文章把存储芯片讲的七七八八啦

1)新型存储有望突破内存、外存间“存储墙”当前主流的计算系统都采用冯诺依曼架构,其特点在于程序存储于存储器中,与运算控制单元相分离(www.e993.com)2024年11月25日。为了满足速度和容量的需求,现代计算系统通常采取高速缓存(SRAM)、主存(DRAM)、外部存储(NANDFlash)的三级存储结构。SRAM响应时间通常在纳秒级,DRAM则一般为100纳秒量级,NANDFl...

新型存算分离架构技术展望

相较于传统架构,新型存算分离架构最为显著的区别在于:(1)更为彻底的存算解耦,该架构不再局限于将CPU和外存解耦,而是彻底打破各类存算硬件资源的边界,将其组建为彼此独立的硬件资源池(例如处理器池、内存池、机械硬盘(HDD)/固态硬盘(SSD)池等),从真正意义上实现各类硬件的独立扩展及灵活共享;(2)更为细粒度的...

存储芯片行业研究报告:存储60年,观历史,聊兴衰

按照存储介质的不同,现代数字存储主要分为光学存储、磁性存储和半导体存储三类。光学存储包括CD、DVD等常见形式。磁性存储包含磁带、软盘、硬盘等。半导体存储是存储领域应用最广、市场规模最大的存储器件,包括当前主流的易失性存储器DRAM,和非易失性存储器NANDFLASH、NORFLASH等等。

这篇文章,把新型存储说清楚了

由于DRAM和NANDFlash本身物理特性的限制,单纯依靠改良现有的存储器很难突破“存储墙”。因此,新型存储开始受到广泛关注,其特点在于同时具备DRAM的读写速率与寿命以及NANDFlash的非易失特性。这使得新型存储理论上可以简化存储架构将当前的内存和外存合并为持久内存,从而有望消除或缩小内存与外存间的“存储墙”。

为啥16G与64G价格差距这么大?小编教你扩容

加上这类半封闭系统直接旱死了RAM以及Flash芯片,让内存与硬盘的升级成为不可能,当然可不要说用SD卡或者外接移动硬盘作为“系统硬盘”,毕竟这只能用于暂时的数据传输。要想享受到大容量好处?加钱吧!微软会感谢你的慷慨解囊的。USBType-C闪存盘,封闭智能生态系统的救星?