安徽长飞先进半导体申请半导体器件相关专利,使半导体器件获得更好...

安徽长飞先进半导体申请半导体器件相关专利，使半导体器件获得更好的散热结构以及更低的电阻率金融界2024年11月4日消息，国家知识产权局信息显示，安徽长飞先进半导体有限公司申请一项名为“半导体器件的处理方法及半导体器件”的专利，公开号CN118888436A，申请日期为2024年7月。专利摘要显示，本发明公开了一种半导体...

上海璟派半导体申请电阻修调电路等专利,通过控制修调开关导通或者...

金融界2024年10月18日消息,国家知识产权局信息显示,上海璟派半导体有限公司申请一项名为“电阻修调电路、方法、集成电路及计算机可读存储介质”的专利,公开号CN118783950A,申请日期为2024年7月。专利摘要显示,本申请实施例提供了一种电阻修调电路、方法、集成电路及计算机可读存储介质,其中,电阻修调电路,包括:N个...

安世半导体,如何赢下第三代半导体市场?

出色的导通电阻温度稳定性:RDS(on),即导通电阻,是SiCMOSFET的一个重要衡量指标,因为它会直接关系到导通功率损耗。安世半导体的两款SiCMOSFET的RDS(on)与其他供应商的同类额定器件相比,高温工作环境下的导通损耗更低。需要强调的是,许多制造商只关注RDS(on)标称值,而忽略了一个事实,即随着设备工作温度的升高,RD...

上海隐冠半导体取得电涡流传感器检测电路相关专利,能计算传感线圈...

金融界2024年8月21日消息,天眼查知识产权信息显示,上海隐冠半导体技术有限公司取得一项名为“电涡流传感器检测电路、电涡流传感器及其数据处理方法“,授权公告号CN113983918B,申请日期为2021年10月。专利摘要显示,本发明公开了一种电涡流传感器检测电路,包括脉冲发生电路、脉冲放大电路、线圈模块、信号传输模块和处...

长鑫存储申请半导体结构及制备方法专利,降低半导体结构的接触电阻

金融界2024年1月26日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及制备方法“,公开号CN117457724A,申请日期为2022年7月。专利摘要显示,本公开实施例涉及

半导体参数分析仪的FFT分析

表3电阻热噪声测试相关公式使用PMU获取电流谱密度图5pmu-isd测试配置视图和SMU一样,4225-PMU的电流谱密度也可以通过电流和时间的测量以及FFT计算得出(www.e993.com)2024年11月10日。在测试库中可以找到pmu-isd,在100μA和100nA范围内测试计算PMU开路的电流谱密度。这个测试是通过使用PMU_freq_time_ulib用户库中的PMU_sampleRate用户模块...

今天中国半导体学术进展真不少!纳芯微并购麦歌恩分析解读;国产...

9.西安电子科技大学广研院第三代半导体创新中心攻克1200V以上增强型氮化镓电力电子芯片量产技术10.中国科学院微电子所在存内计算处理器上取得进展1.国产算力路在何方?2024WAIC行业观察2024年7月4日~6日,2024世界人工智能大会暨人工智能全球治理高级别会议(WAIC2024)在上海圆满召开。当今全球生成式人工智能(AI...

长鑫存储申请半导体结构及其制作方法专利,减小了半导体结构的接触...

本公开的半导体结构及其制作方法中,增加了源极接触插塞和源区、漏极接触插塞和漏区的接触面积,减小了半导体结构的接触电阻,但源极接触插塞和栅极之间、漏极接触插塞和栅极之间的耦合电容不变。

基于比较器的过压保护电路设计方案(完整版)

7.电阻功率计算:经过分压器的最大电流为36V/(R2+R3)=36/(200+100)=0.12mA,R2功率0.122×200=2.88mW,取Ⅰ级降额系数0.5,于是R2功率为2.88/0.5=5.76mW=0.00576W,这个功耗比0201封装的1/20W=0.05W小了将近10倍,因此任何封装的贴片电阻都能满足功率要求。R3/R2=100/200=1/2,二者是串联关系,因此功率...

超导现象到底是啥:相信我、这篇你绝对能看懂!

根据导电性的不同,日常材料可分为绝缘体、半导体和导体。有一种特殊的导体,当处于“超导状态”时,我们将其称为“超导体”。“超导状态”描述的是某些材料在特定低温条件下,电阻降至零并同时展现出完全抗磁性的状态。超导体图源:罗切特大学这种现象是人类首次发现的宏观量子效应,更是物理学领域中充满神秘与美丽...