铌酸锂集成光电子技术:进展与未来展望
2024年8月29日 - 光纤日报
薄膜铌酸锂中的大普克尔效应可实现高速、低电压的电光调制。薄膜薄膜铌酸锂调制器已证明:·带宽>100GHz·半波电压<2V·数据传输速率高达320Gbps图4展示了薄膜铌酸锂马赫-曾德干涉仪(MZI)调制器的示例:图4.基于薄膜铌酸锂的调制器。(a)薄膜铌酸锂MZI调制器的显微图像(插图为其示意图横截面)。(b...
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CHIPX:无锡打造的世界级光子芯片中试线正式启用
2024年10月1日 - 电子工程专辑
研发团队基于薄膜铌酸锂材料,开发了电光调制器、超快可编程器等光子芯片。同时,基于4寸薄膜铌酸锂晶圆,团队自主开发了与之匹配的DUV光刻工艺、薄膜铌酸锂干法刻蚀工艺。同时,结合光波导结构设计制备出了高品质的低损耗薄膜铌酸锂光波导,实现了薄膜铌酸锂光子芯片的规模集成。此项成果为薄膜铌酸锂光电芯片的研制与超大规模光...
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清华团队基于湿法刻蚀实现铌酸锂微环腔高效制备,实现近千万Q值,为...
2022年12月28日 - 网易
庄荣津尝试在氨水、双氧水和水组成溶剂中,基于x切与z切薄膜铌酸锂进行波导和微环腔的加工实验,并对刻蚀的各向异性进行了深入的探索,他发现了一个很有意思的现象:湿法刻蚀对铌酸锂的不同晶向显示出迥异的刻蚀效果。经过几十次的比对实验和持续探索,今年5月份的一天晚上11点多,庄荣津向打电话汇报实验的...
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