量产30W双通道输出,开关电源全套电路资料(文末有下载链接!)
2.4GPCB天线封装(量产用)PADS快问快答合集不用开发板学习STM32合集一般流水灯实验(文末获取代码及工程文件)7段数码管0~9定时显示(文末获取代码及工程文件)串口收发+按键控制数码管显示(文末获取代码及工程文件)DS18B20温度采集+OLED显示(文末获取代码及工程文件)可设置时钟(文末获取代码及工程文件)必看...
电池超充行业报告:超充产业化进程提速,关注车桩供应链升级
从相应的450V提升到950V或更高电压;其中:DCDC变换模块功率开关管由原来的750V提升到1500V或更高电压,传统的硅基IGBT器件已无法满足,需要采用1500V及以上的SiC器件替代;OBC输出功率管也同样被1500V以上的SiC器件替代;充配电系统使用接触器会因为电压升高而尺寸变大。
从结型晶体管到场效晶体管,市场会给到新兴技术答案
相比MOS场效晶体管的冷清,罗斯在会上公布的外延工艺却立马引起了轰动,外延工艺使晶体管既增大了功率,又提升了频率。能让结型晶体管实现了以前不可能实现的指标,解决了贝尔实验室最关心的晶体管开关速度和稳定性问题。外延工艺示意图:使晶圆上生长出一个薄层这意味着它将在高速通信、航天和军事领域获得广泛应用。
优利德2023年年度董事会经营评述
截止报告期末,公司在1500W以内的源载类仪器已经形成产品线布局,并在可编程线性电源、可编程开关电源、宽范围可编程电源等领域形成了一定的技术积累。公司将会在2024年持续推出3000W的源载类仪器。公司电子元器件类仪器的核心技术为DDS信号源发生技术及组合MOS管量程切换的控制技术。报告期内,公司的基础电子元器件测量...
锴威特2023年年度董事会经营评述
功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心,可实现电源开关和电能转换的功能,实现变频、变相、变压、逆变、变流、开关的目的。公司坚持“自主创芯,助力核心芯片国产化”的发展定位,始终围绕功率半导体产品不断进行业务开拓和持续创新,主要产品包含功率器件及功率IC两大类。在功率器件方面,公司产品以高压平面MOSFET为...
燕东微2023年年度董事会经营评述
8英寸生产线:报告期内IGBT和FRD等新工艺平台产品通过了国内头部车企客户的可靠性认证,实现了稳定量产,公司产品正式进入车规级市场(www.e993.com)2024年9月17日。MOS、BCD等工艺平台持续稳定量产,良率保持在98%以上;12英寸生产线:报告期内完成首款高密度功率器件产品的可靠性认证,良率持续提升;第二款产品完成样品开发并提交客户可靠性验证,正在...
晶体管的未来,靠二维材料了?
2D半导体的应用可能会超出高性能晶体管的范围。另一个潜在的应用领域包括性能和面积限制较小的低功率电路。例如片上电源管理系统,信号缓冲器和存储器选择器。最重要的是,通过启用小型后端兼容开关,可以使用2D材料彻底改变芯片的后端(BEOL)。芯片制造大致可分为两部分:在其中构建晶体管的前端(FEOL),以及通过多层互连连...
SiC行业深度报告:SiC全产业链拆解,新能源行业下一代浪潮之基(上)
根据ROHM,SiCMOSFET+SBD的模组可以将开通损耗(Eon)减小34%,因此恢复损耗低;SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,根据ROHM,SiCMOSFET+SBD的模组可以将关断损耗(Eoff)减小88%,因此开关损耗更低。2)器件得以小型化:SiC禁带宽度决定了它能够以更高的掺杂浓度、更薄的膜厚漂移层制作出600...
ADALM2000实验:硅控整流器
由于所有这些MOS器件都位于单片芯片上,出现适当的外部刺激时,寄生SCR器件可能会开启,这种情况在设计不良的CMOS电路中很常见。图6是两个晶体管的简化截面图,一个PMOS,一个NMOS;它们可以连接在一起作为逻辑门使用,或作为模拟放大器,或开关使用。寄生双极晶体管负责进行闩锁,Q1(纵向PNP)和Q2(横向NPN),如下图所示。
半导体材料,飞跃2D|芯片_新浪财经_新浪网
2D半导体材料的未来路线图2D半导体研究始于2011年左右。从*提出至今,石墨烯和2D材料(2DM)在科学和工程领域的研究已经持续了15年。从国外进度来看,美国MIT于2019年开发用碳纳米管制造的超大计算机芯片,一颗由1.4万余个碳纳米管晶体管(CNFET)组成的16位微处理器,证明可以完全由CNFET打造超越硅的微处理器。