双极型晶体管BJT应用需求增长 高性能产品市场占比不断提升
双极型晶体管(BJT)全称为双极性结型晶体管,指由两个PN结构成,可引出三个电极的晶体管。双极型晶体管具有耐久力好、功率控制能力强、工作效率高、灵敏度高等优势,在通信系统、汽车电子、家用电器、医疗器械、航空航天等领域拥有广阔应用前景。按照结构特点不同,双极型晶体管可分为NPN型和PNP型两种类型。双极型晶体...
基础知识之晶体管
根据工作原理不同分类,分为双极晶体管和单极晶体管。双极晶体管双是指Bi(2个)、极是指Polar(极性)。双极晶体管,即流经构成晶体管的半导体的电流由空穴(正极性)和电子(负极性)产生。一般而言的晶体管是指这种由硅构成的晶体管。FETFieldEffectTransistor的简称,是指场效应晶体管。有接合型FET和MOS型FET...
整理分类:晶体管的类型分析
GTR和双极结型晶体管的原理完全相同。光电晶体管光电晶体管是由三端器件(如双极晶体管或场效应晶体管)组成的光电元件。光在其活性区域被吸收,产生光生载流子。通过内部电放大机制,产生光电流增益。光电晶体管在三个端子上工作。易于实现电控或电同步。光电晶体管使用的材料通常是砷化镓。主要分为双极型光电晶体管...
...槽的“桥梁”,制氢电源有望打开增长之路——制氢电源深度报告
原理上,制氢电源整流利用了二极管的单向导电性,将交流电转换为脉冲直流电,目前主流制氢电源按功率模块的技术可分为晶闸管(SCR)制氢电源和绝缘栅双极晶体管(IGBT)制氢电源。从政策机遇、项目建设、技术支持来看,制氢电源有望开启增长之路:制氢电源行业规范与标准不断出台,未来有望进一步获得政策支持。风光氢一体化建设进程...
深度报告:模拟芯片行业,历周期稳中维良,拓新域辟土开疆
CMOS工艺使用PMOS和NMOS晶体管,依赖电路结构获得参数匹配。Bipolar工艺使用双极晶体管构成模拟电路,通过精密的掺杂制程控制获得匹配性。DMOS工艺通过双重扩散制程使源极和漏极间隔很近,提高密度,用于构建驱动电路。BiCMOS工艺在同一芯片上集成BJT和CMOS器件,组成复杂混合信号电路。BCD工艺在一片硅...
技术科普|汽车电机控制器详解
电压转换:MCU将电池的直流电转换为三相交流电,驱动交流电机,这一过程通过内部逆变器实现,使用半导体开关器件如晶体管或IGBT来控制电流的频率和幅值(www.e993.com)2024年9月11日。速度与转矩控制:MCU根据驾驶条件调整电机转速和转矩,以适应不同的驾驶需求。系统保护:MCU具备多种保护机制,如电池输入端保护、故障检测、电机控制器本体故障保护、过载...
盛剑环境2023年年度董事会经营评述
2021年3月,第十三届全国人民代表大会第四次会议表决通过了《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》的决议,纲要提出需要集中优势资源攻关多领域关键核心技术,其中集成电路领域包括集成电路设计工具开发、重点装备和高纯靶材开发,集成电路先进工艺和绝缘栅双极晶体管(IGBT)、微机电系统(MEMS...
一颗改变了世界的芯片
这些晶体管的接受之路很长,与20世纪60年代大多数计算机中使用的双极晶体管相比,速度较慢且可靠性较差。到20世纪60年代末,MOS集成电路变得越来越普遍。标准技术是带有金属栅极的PMOS晶体管。晶体管的栅极由金属组成,也用于连接芯片的组件。芯片本质上有两层功能:硅本身和顶部的金属布线。该技术被用于...
半导体专题篇十五:功率半导体
MOSFET是一种基于金属氧化物半导体结构的场效应晶体管。它具有高输入电阻、低开关损耗、高开关速度等优点,因此在高频率、低功率应用中得到了广泛应用。在功率电子领域,MOSFET通常用于低电压、高频率的应用,例如电源适配器、直流-直流变换器等。(2)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)...
半导体芯片,到底是如何工作的?
弗莱明的二极管,结构其实非常简单,就是真空玻璃灯泡里,塞了两个极:一个阴极(Cathode),加热后可以发射电子(阴极射线);一个阳极(Anode),可以接收电子。旁热式二极管玻璃管里之所以要抽成真空,是为了防止发生气体电离,对正常的电子流动造成影响,破坏特性曲线。(抽成真空,还可以有效降低灯丝的氧化损耗。)...