我院讲席教授杨杰圣受邀参加第八届MOS-AK器件模型国际会议
本站讯(通讯员董倩楠)第八届MOS-AK器件模型国际会议(MOS-AK2024)于2024年8月16至17日在西北工业大学长安校区召开,由西北工业大学主办,西安电子科技大学联合主办。来自世界各地学术界和工业界的专家、学者和研究人员10000余人次通过线上、线下相结合的方式参加了此次会议。MOS-AK国际会议自2016年首次举办至今,已成...
关于举办MOS-AK器件模型国际会议(MOS-AK 2024)的通知
4.射频/微波器件和功率器件模型5.功率器件和功率集成6.可靠性模型7.人工智能和机器学习在EDA与建模中的应用8.纳米级CMOS器件和电路9.用于紧凑模型标准化的Verilog-A语言10.新型紧凑模型技术和提取软件11.开源TCAD/EDA建模和仿真12.技术研发,DFY,DFT和IC设计13.芯粒建模和封装相关...
独家首发:《纳米集成电路FinFET器件物理与模型》 作者:IEEE会士
3)《纳米集成电路FinFET器件物理与模型》介绍了FinFET器件和技术的基本理论和工作原理,概述了FinFET器件结构和制造工艺,并给出了用于集成电路设计和制造的FinFET器件特性的详细公式。4)《纳米集成电路FinFET器件物理与模型》内容详实,器件物理概念清晰,数学推导详尽严谨,即使不太熟悉半导体物理的人员也能轻易理解FinFET...
专家约稿|碳化硅功率器件封装与可靠性测试
本研究将通过寄生参数提取、建模、仿真及测试方式研究DBC布局、多栅极电阻等方式对芯片寄生电感与均流特性的影响,进一步提高我国碳化硅器件封装及测试能力。2.SiCMOSFET功率模块设计技术2.1模块设计技术介绍在MOSFET模块设计中引入软件仿真环节,利用三维电磁仿真软件、三维温度场仿真软件、三维应力场仿真软件、寄生参数提...
更新版:氮化镓功率晶体管——器件、电路与应用(原书第3版)
《氮化镓功率晶体管——器件、电路与应用(原书第3版)》共17章,第1章概述了氮化镓(GaN)技术;第2章为GaN晶体管的器件物理;第3章介绍了GaN晶体管驱动特性;第4章介绍了GaN晶体管电路的版图设计;第5章讨论了GaN晶体管的建模和测量;第6章介绍了GaN晶体管的散热管理;第7章介绍了硬开关技术;第8章介绍了软开关技术...
5.6亿元!“新一代人工智能”重大项目2020年度项目启动申报
项目申报单位网上填报预申报书的受理时间为:2020年4月23日8:00至5月25日16:00(www.e993.com)2024年9月21日。进入答辩评审环节的申报项目,由申报单位按要求填报正式申报书,并通过国家科技管理信息系统提交,具体时间和有关要求另行通知。2.组织推荐。请各推荐单位于2020年6月1日16:00前通过国家科技管理信息系统公共服务平台逐项确认推荐项目,...
本土EDA厂商大盘点
VisualTCAD是器件仿真软件Genius的图形化用户界面,致力于提高易用性,以满足初级TCAD用户和学生的需求。三维TCAD建模工具——Gds2MeshGds2Mesh是一个三维TCAD模型构建工具,它可以导入GDSII版图,然后结合预定义、可定制的工艺规则来生成三维器件模型。