Nano-Micro Letters:面向存储和存算一体的新型铁电AlScN综述

针对以上AlScN铁电器件各自的缺点提出了在商业化道路上可能面临的困难(图7)。最后,列举了基于AlScN的铁电存储器在IMC领域应用的实例(图8)。图8(a)AlScN-FeD和(b)TCAM由2-FeD细胞构建。(c)各种TCAM单胞的面积与搜索延迟的基准比较图。(d)VMM的AlScNFD交叉阵列实现。(e)16种电导态的保持特性。(f)卷积神经...

华东师大Nano-Micro Letters:面向存储和存算一体的新型铁电AlScN...

针对以上AlScN铁电器件各自的缺点提出了在商业化道路上可能面临的困难(图7)。最后,列举了基于AlScN的铁电存储器在IMC领域应用的实例(图8)。图8(a)AlScN-FeD和(b)TCAM由2-FeD细胞构建。(c)各种TCAM单胞的面积与搜索延迟的基准比较图。(d)VMM的AlScNFD交叉阵列实现。(e)16种电导态的保持特性。(f)卷积神经...

数据中心末端配电与智能小母线技术及多回路监控装置分析

缺点是电缆需要跨列敷设,且当列头柜需要维修、扩容、更换或移位时,将造成后端所有IT机柜断电。3.5列头柜配电方案对比对上述4种列头柜配电方案进行对比,如表1所示。表1四种列头柜配电方案对比综合列头柜的上述4种列头柜配电方案的优、缺点,建议采用配电方案一。3.6列头柜配电技术分析列头柜配电技术要占...

ReRAM新型存储器如何影响未来存储格局?-钛媒体官方网站

第一类易失性存储器是以动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)代表的易失性存储器,二者均具备高读写速度。其中SRAM速度高于DRAM,但密度低于DRAM,这是因为一个DRAM存储单元仅需一个晶体管和一个小电容,而每个SRAM单元需要四到六个晶体管。其共同的缺点是容量较低且成本高,一般分别用作主存和缓存。

铁电随机存取存储器 (FeRAM / FRAM) 技术

SBT最大的优点是不存在疲劳退化的问题,而且不含铅,符合欧盟环保标准;但其缺点是工艺温度较高,工艺集成困难,残余极化程度小。两种材料的比较见表1。表1.PZT和SBT的比较目前,从环保的角度来看,PZT已经被禁用,但从铁电存储器的性能和工艺集成以及成本的角度来看,SBT相比PZT没有优势。因此,铁电材料的选择值得...

存内计算:让AI进入高速路

其实,能做存内计算的存储器并不多,除了FLASH,还有忆阻器、相变存储器、铁电存储器、自旋存储器、SRAM等,但各有各的优缺点(www.e993.com)2024年11月17日。比如,IBM在相变存储(PCRAM)里实现神经网络计算的功能,利用新型存储器件的模拟计算功能来实现神经网络的计算;加州大学圣芭芭拉分校谢源教授在新型存储器件ReRAM(阻变存储)里面做计算的功能,让存...

用氧化物定制人脑之梦

尽管如此,可以看到,与基于阻变存储器(RRAM)、相变存储器(PCRAM)、磁存储器(MRAM)、铁电存储器(FeRAM)等类型的类晶体管器件相比,电解质晶体管的工作方式与生物突触最为相似(如图4所示),是突触仿生器件研究的天然选择[2,3]。从结构上看,电解质晶体管的栅极对应突触前膜、沟道对应突触后膜、沟道电导对应着...