减少74%损耗!QorvoSiCFET开启高效、低耗新篇章
通过对一个50kWPSFB拓扑结构进行SiCMOSFET模块双脉冲测试的仿真,我的观点得到了验证。使用低Rg并配合漏-源缓冲电容Cs迅速吸收电压尖峰,相比于使用高栅极电阻,可使关断开关损耗降低50%。当用Qorvo的JFET器件替换SiCMOSFET模块时,缓冲器可进一步减少74%的关断开关损耗。这反过来有助于在全负载情况下降低10%的结温。
MOS管常见的几种应用电路
由于电源主通路使用了三个MOSFET,MOSFET在完全导通后其压降远远小于肖特基二极管(只有零点零几伏),因此其导通损耗很低;而三个三极管虽然额外增加了一些功率损耗,但是由于三极管工作在完全饱和状态,在饱和导通压降一定的条件下,导通电流可以通过电阻值设置的相对较小,因此功耗也不会太高。同时该电路无论电池电压是否大于外...
8种开关电源MOS管的工作损耗计算
截止损耗,指在MOSFET完全截止后在漏源电压VDS(off)应力下产生的漏电流IDSS造成的损耗。截止损耗计算:先通过计算得到MOSFET截止时所承受的漏源电压VDS(off),在查找器件规格书提供之IDSS,再通过如下公式计算:Poff=VDS(off)×IDSS×(1-Don)说明:IDSS会依VDS(off)变化而变化,而...
汤诚携手智融推出充放电管理芯片SW7201+MOS管电动工具应用方案
现代MOS管以其低导通电阻和高开关效率,大幅减少了能量损耗,提升了工具的整体能效。它们的高耐用性设计使其能够在高电流和高温环境中稳定工作,从而增强了电动工具的耐用性和可靠性。总之,MOS管不仅优化了电动工具的功率输出和运行效率,还确保了平稳的操作和降低能耗。特性38V/110A,RDS(ON)=3.8mΩ(Typ...
...抑制MOS串扰的电路专利,降低串扰电压且不增加MOS管开关损耗|快报
嘉晨智能申请抑制MOS串扰的电路专利,降低串扰电压且不增加MOS管开关损耗|快报隋代骆驼俑身上出现的老头是古希腊酒神狄俄尼索斯如果把长安平康坊里的青楼取消,唐诗得少一大半唐朝时期中国有多强大?在唐朝文化程度低喝酒容易丢命教授于赓哲:西安到处是古墓,陕西师范大学更被网友称为百墓大刘邦为何定都长安而非洛阳...
选择三浦微MOS管SP45R0P6,再无发热损耗之忧
三浦微MOS管SP45R0P6三浦微SP45R0P6是一款45V/130A导通电阻1.25mΩ的SGT技术NMOS管,具备极低RDS(ON)导通电阻,封装为DFN5*6,通过RoHS无铅无卤素认证(www.e993.com)2024年9月20日。SP45R0P6采用SGT技术制造,相较于传统的Trench结构MOS管,具有更低的导通电阻以及开关损耗。采用这种技术的三浦微MOS管不仅在高频开关应用环境下表现卓越,而且能...
向损耗说不,倍仕达、麦多多等多家厂商均选择永源微MOS管
随着快充技术的不断迭代升级,快充功率逐日攀升,从最早的10W一路提升至200W以上,而氮化镓充电器逐渐普及,MOS管逐渐替代电路中的传统肖特基二极管,通过其优异的性能,实现了电能的高效转换和快速输出,有效提高了充电效率,也为用户带来更便捷、高效的充电体验。
MOS管基础及选型指南
5、MOS管输入阻抗大,低噪声,MOS管较贵,三极管的损耗大。6、MOS管常用来作为电源开关,以及大电流开关电路、高频高速电路中,三极管常用来数字电路开关控制。▉G和S极串联电阻的作用MOS管的输入阻抗很大,容易受到外界信号的干扰,只要少量的静电,就能使G-S极间等效电容两端产生很高的电压,如果不及时把静电释放掉,...
如何让MOS管快速开启和关闭
常见的MOS管驱动波形:如果出现了这样圆不溜秋的波形就等着核爆吧。有很大一部分时间管子都工作在线性区,损耗极其巨大。一般这种情况是布线太长电感太大,栅极电阻都救不了你,只能重新画板子。高频振铃严重的毁容方波:在上升下降沿震荡严重,这种情况管子一般瞬间死掉,跟上一个情况差不多,进线性区。
MOS管参数解析及国内外大厂技术对比
优值系数(Ron*Qg),导通电阻Ron决定了导通状态下的静态损耗,栅极电荷Qg决定了开关损耗,通常用Ron与Qg的乘积来表征MOSFET器件的性能水品,该值越低代表技术水品越高。根据各官方网站发布的产品关键参数以及性能,松下FCAB21890L、松下FCAB22620L、英飞凌BSZ0506NSATMA1、英飞凌IQE013N04LM6、英飞凌IAUT260N10S5N...