一万八干字详解半导体刻蚀工艺_腾讯新闻
这增加了蚀刻过程中的随机性,导致各向异性降低,即蚀刻方向不仅垂直于材料表面,还会在侧向发生,形成较不陡峭的侧壁。简而言之,压力较低时,等离子蚀刻的各向异性较高,蚀刻侧壁更直;压力较高时,各向异性降低,侧壁蚀刻效果较差。这种特性对于微电子制造中的精细图案制作非常重要,因为它可以影响器件的性能和可靠性。总...
建E首发 | UHOUSE DESIGN:光影造境 空间里的建筑美学
两边的落地窗打开了大厅空间的通透性,水吧台以硬朗的线条勾勒出建筑之美,排列整齐划一的长方体灯具进一步加强空间的秩序感。天瓒的标志与镜面金属装置结合,采用金属蚀刻工艺,不同材质下结合灯光效果,镜面与墙面材质形成鲜明对比,光线的反射下将室内景象化作色块与线条的重组,点缀了整个空间。以亚克力层叠的方式融入花...
晶圆蚀刻Etch工艺主要工艺步骤
案例1:ISO步骤中的过蚀问题:问题描述:在ISO步骤中,由于控制系统故障导致蚀刻时间过长,造成过蚀。解决策略:立即停止蚀刻过程,检查和校准蚀刻机的时间控制系统,重新进行蚀刻前的设定,避免未来此类问题。案例2:MLM步骤中的不均匀蚀刻:问题描述:在进行多层掩模蚀刻时,发现某些区域蚀刻不足。解决策略:分析蚀刻剂的...
钎焊材料行业发展态势及未来发展趋势分析
由于陶瓷基板易碎而难以压合,其主要工艺覆铜、钻孔和蚀刻的技术难度较高。特别是覆铜工艺,国内鲜有企业能够完成。覆铜工艺主要包括DBC(直接覆铜)、DPC(直接电镀铜)和AMB(活性金属钎焊)。AMB(ActiveMetalBonding)技术是指在800℃左右的高温下,含有活性元素Ti、Zr的活性焊料在陶瓷和金属的界面润湿并...
谁能替代铜互连?_腾讯新闻
虽然铜“双大马士革”的进一步优化仍在进行中,但表1中路线图中的最小互连尺寸将需要使用潜在的新材料,工艺以及集成方案的颠覆性方法。如表所示,互连线和通孔的相关尺寸将在约5和10nm之间的范围内,这可以用作金属选择以及工艺开发的指导。纳米尺度的金属电阻率...
青岛理工、中石油(华东)、南航、上交大和大连理工联合策划——多...
难加工材料(包括镍基高温合金/钛合金等高强韧材料、工程陶瓷等硬脆材料、兼具高硬度与高强韧特性的金属基/陶瓷基/树脂基复合材料)的切削、磨削、特种加工是先进制造技术、高端装备等领域的重要组成,难加工材料的高表面完整性加工难题成为了不可回避的技术瓶颈,限制了其在航空航天、精密模具、海工装备、轨道交通等领域...
玻璃通孔技术研究进展
玻璃通孔(TGV)互连技术具有高频电学特性优异、成本低、工艺流程简单、机械稳定性强等应用优势,在射频器件、微机电系统(MEMS)封装、光电系统集成等领域具有广泛的应用前景。综述了国内外高密度玻璃通孔制作、金属填充、表面高密度布线的研究进展,对玻璃通孔技术特点及其应用进行了总结。
PCB设计高手的进阶秘籍
蚀刻过程可以将板子浸到蚀刻溶剂中,或是将溶剂喷在板子上。一般用作蚀刻溶剂使用三氯化铁等。蚀刻结束后将剩下的光阻剂去除掉。一布线宽度和电流一般宽度不宜小于0.2mm(8mil),在高密度高精度的PCB上,间距和线宽一般0.3mm(12mil)。当铜箔的厚度在50um左右时,导线宽度1~1.5mm(60mil)=2A。公共地一般...
中国芯粒技术如何发展?院士专家重磅发布!
第四章分析了集成芯片EDA和多物理场仿真的相关技术,包括集成芯片布局布线EDA、芯粒尺度的电-热-力多场耦合仿真以及集成芯片的可测性与测试技术。第五章分析了集成芯片的工艺原理,包括RDL/硅基板(Interposer)制造工艺、高密度凸点键合和集成工艺、基于半导体精密制造的散热工艺等。
武汉大学汪的华/尹华意团队,最新Nature Sustainability!|玻璃|...
在此,武汉大学尹华意与汪的华教授报告了一种简单的盐蚀刻方法,可在不使用有毒矿物酸和不产生二次污染的情况下回收报废硅太阳能电池板中的银和硅。这种蚀刻工艺得益于熔融氢氧化物的高腐蚀性,它通过自上而下的方向与硅晶片表面的SiNx、SiO2、Al2O3和Al自发发生反应,从而直接将Ag从硅晶片中分离出来。蚀刻过程仅需...