存储器新技术:FeRAM的高可靠性和无延迟

EEPROM在非易失性存储器市场占有一定地位,但其写入次数有限,通常在百万级,而FeRAM则可支持万亿级的写入次数。高耐久性的FeRAM在电网、表计和医疗监控等场景中具备较大优势。此外,FeRAM的写入速度也远超EEPROM,满足了更高的实时性需求。MRAM是一种基于磁性材料的存储器,与FeRAM相比,MRAM的速度更快、功耗更低,...

国内非易失性下一代存储器技术行业各品牌占比分析

报告结合全球经济政策形势和市场动态,对全球非易失性下一代存储器技术市场做出合理预测,预计至2029年全球非易失性下一代存储器技术市场规模将会达到458.92亿元,以27.53%的复合年增长率增长。非易失性下一代存储器技术市场按类型可进一步细分为STT-MRAM,三维X点,可变电阻式记忆体。非易失性下一代存储器技术市场...

...取得嵌入式系统存储域自动划分专利,能根据非易失性存储器不同...

在嵌入式系统的代码烧写阶段,对非易失性存储器进行分区划分;然后将分区信息烧写到分区表中,将存储域的配置规则的镜像文件烧写到代码分区中。嵌入式系统启动运行时,根据分区表中的分区信息采用递归迭代算法对非易失存储器的存储域进行自动划分,将划分好的存储域的信息作为所述存储域的配置规则的镜像文件的各个参数的取...

三星申请非易失性存储器装置专利,提高存储空间的管理效率

金融界2024年3月2日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“包括非易失性存储器装置的存储装置及其操作方法“,公开号CN117631985A,申请日期为2023年8月。专利摘要显示,公开了包括非易失性存储器装置的存储装置及其操作方法。所述存储装置包括:非易失性存储器装置,包括多个存储器单元;以及控制器,...

三星取得非易失性存储器设备专利,当确定存储块有缺陷时实现存储块...

专利摘要显示，非易失性存储器设备包括存储单元阵列和坏块重映射电路。存储单元阵列包括彼此配对的第一片和第二片。第一片包括多个第一存储块。第二片包括多个第二存储块。多个第一存储块中的第一选择存储块和多个第二存储块中的第二选择存储块基于第一地址来访问。当确定第一选择存储块有缺陷时，坏块重映射电路...

抗疲劳!中国科学家解决铁电材料疲劳之痛,有望实现存储器无限次数...

铁电材料像十多年前常见的卡式磁带上的材料一样,可以被用作非易失性存储器,具有低功耗、无损读取和快速重复写入的优势(www.e993.com)2024年11月17日。铁电材料目前已被广泛应用在存储器、压电元件、传感设备等电子器件。然而,传统铁电材料会产生疲劳:随着极化翻转次数的增加,铁电材料极化会减小,而导致其性能衰减,最终引发器件失效故障。

荣威RX5 MAX版智驾域控制器拆解分析

此外,TDA4还支持高容量存储设备,可以保存大量的车载数据以进行离线分析和后处理。③、决策与规划:DRA829配备了高性能的人工智能处理器,可以进行实时的决策与规划。它可以通过深度学习模型对环境进行预测和分析,生成安全、高效的路径规划和动态决策,以实现自动驾驶车辆的导航和行驶控制。④、安全性保障:DRA829具备多...

三星申请非易失性存储器装置专利,提高存储装置的操作效率

所述存储装置包括:非易失性存储器装置,包括形成用户区域和保留区域的多个存储器单元;以及控制器,被配置为对包括在所述多个存储器单元中的至少一个写入单元执行写入操作,并且对包括在所述多个存储器单元中的至少一个擦除单元执行擦除操作,其中,控制器包括内部缓冲器,其中,控制器被配置为:通过将存储在内部缓冲器中的...

关于MCU,这可能是迄今为止最专业的报告

在非易失性存储器领域,尤其是闪存领域,预计最大市场份额将增长,这归因于对小型控制器的需求以及对具有内存管理功能的高性能MCU的需求,这些MCU管理着更大的片外存储块。在另一方面,对于超过1MB的存储量,市场份额也在适度扩大。在易失性存储器领域,主要是SRAM,趋势是增加集成内存,特别是在256kB以上的范围内,这是由...

大车规与小车规,车规级与功能安全有何关系?

可见SLC模式比起MLC会有更高的耐用性。更低的错误率、更高的温度等级,但是容量只有MLC的一半,也就是说,同等条件下,价格要贵一倍。我们再去看一下AEC标准对车规级非易失性存储器的测试要求。AEC-Q100-005标准:《非易失性存储程序/擦除耐久性、数据保持及工作寿命的测试》详细规定了对车规级存储器的测试要求...