电化学应用方向:石英晶体微天平理论与校准-QCM
ρq-石英的密度为-2.648gcm-3,和μq-石英剪切模量-2.947.1011g.cm-1.s-2频率变化对单位面积质量覆盖的依赖性,强调了这样一个事实,即在一定范围内,灵敏度因子与电极几何形状无关。因此,在理论上,QCM质量传感器不需要为此进行校准。这种从*一性原理计算质量载荷的能力显然是这些设备的一个非常活跃...
密度在中学化学和生产实际中的应用
⑴标准状况下,气体的密度=气体的摩尔质量÷标准状况下的气体摩尔体积,气体的密度单位:g/L。⑵标准状况下比较密度就是比较气体的摩尔质量,气体的摩尔质量在数值上与气体的相对分子质量相等。⑶空气的平均相对分子质量为29。相对分子质量比29小且相差3以上(含3)的气体就是密度比空气小的气体,与空气混合时该气...
锂电常用参数与计算公式、中英对照
LiFePO4摩尔质量157.756g/mol,其理论容量为:同理可得:三元材料NCM(1:1:1)(LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2)摩尔质量为96.461g/mol,其理论容量为278mAh/g,LiCoO2摩尔质量97.8698g/mol,如果锂离子全部脱出,其理论克容量274mAh/g.石墨负极中,锂嵌入量最大时,形成锂碳层间化合物,化学式LiC6,即6个碳原子结合...
2024年河南科技大学硕士研究生招生考试化学 [702] 考试大纲已发布
(3)化学反应热、热化学方程式、化学反应进度、标准态、标准摩尔生成焓、标准摩尔生成吉布斯自由能、化学反应的摩尔焓变、化学反应的摩尔熵变、化学反应的摩尔吉布斯自由能变等基本概念和计算、吉布斯判据的应用。(4)吉布斯-亥姆霍兹方程的计算及温度对反应自发性的影响。(5)化学反应方向的自由能判据。3.化学平衡(...
烟台德邦科技股份有限公司2023年年度报告摘要
集成电路封装材料贯穿了电子封装技术的设计、工艺、测试等多个环节,并直接制约下游应用领域的发展,属于技术含量高、工艺难度大、知识密集型的产业环节,是先进封装技术持续发展的基础,是半导体封装的关键材料,直接影响晶圆、芯片及半导体器件的良率和质量。集成电路封装材料的技术难点主要在于,集成电路封装对材料的理化性能...
半导体行业专题报告:先进封装加速迭代,迈向2.5D3D封装
先进封装在封装的四大功能的基础上,还肩负着提升芯片性能的作用(www.e993.com)2024年7月26日。具体而言,先进封装对芯片的提升作用包括五个方面:一是实现芯片封装小型化、高密度化、多功能化:二是降低产品功耗、提升产品带宽、减小信号传输延迟:三是可实现异质异构的系统集成;四是延续摩尔定律,提升产品性能的有效途径;五是降低先进节点芯片的设计复杂...
关于【半导体产业现状】与【各类沉积设备】发展趋势
(4)等离子增强化学气相沉积(PECVD)由于等离子体的作用,化学反应温度明显降低,薄膜纯度得到提高,致密度得以加强,不伤害芯片已完成的电路,因此在从亚微米发展到90nm的IC制造技术过程中发挥着重要作用。(5)金属有机气相沉积(MOCVD)技术主要用于制备半导体光电子、微电子器件领域的各种Ⅲ-Ⅴ族化合物(GaAs、GaN)和Ⅱ-Ⅵ...
混合比,对火箭发动机有多重要?
氢氧发动机使用混合比一般高于最佳值,这是由于,O2密度是H2的16倍,如果混合比为4,则推进剂综合密度为289kg/m3,理论比冲4112m/s;混合比6对应综合密度373kg/m3,理论比冲4068m/s。使用之前推导的密度比冲组合公式v=gIsp·ρ0.13。就火箭总体而言,混合比从4变为6,虽然偏离了最佳性能点,却能将火箭末速度从8.6km/...
磁学与磁性材料丨展卷_澎湃号·湃客_澎湃新闻-The Paper
离子向阴极的输运由浓度梯度▽c决定,其中c是以摩尔每立方米为单位的离子浓度。电流密度j=D▽c,其中D是扩散系数,|▽c|=c0/δ,其中δ是扩散层的厚度,扩散层是靠近阴极的区域,大约几百微米宽,其中的离子浓度从化学槽的平均浓度c0降低为阴极表面的0。洛伦兹力的搅挫作用减少了扩散层的厚度,因而增大了溶质转移...
EUV“光刻厂”?谈谈芯片制造与光刻的工程技术与科学原理
28nm及以上制程的传统芯片,里面的晶体管是MOSFET,可以理解为一种平面的晶体管,有个控制门Gate,从上往下这“一个方向”施加电压,控制晶体管的0-1导通状态。28nm指的是Source和Drain两个栅极之间的宽度,整个晶体管有100nm以上这么宽。FINFET晶体管就升级成“立体”的,如上图,绿色的Gate从上方、左方、右方三个方...