国产最大容量新型存储器芯片在光谷面世

9月29日,光谷企业新存科技(武汉)有限责任公司自主研发的国产最大容量新型三维存储器芯片“NM101”面世,有望打破国际巨头在该领域的长期垄断。(湖北日报全媒记者魏铼摄)图为研发人员在讨论芯片封装工艺细节。图为新型三维存储器芯片(左)和晶粒(右)。图为新型三维存储器芯片(左)和芯片晶粒(右)。图为新型三维...

高速高容量铁电存储器有望诞生

欢迎登录wap地址院kxsb.ibidu袁免费下载阅读叶科学时报曳手机版遥高速高容量铁电存储器有望诞生本报讯近日,复旦大学信息科学与工程学院微电子学系教授江安全在高密度铁电阻变存储器(Fer-ro-RRAM)的研究中取得重大进展,他带领的研究小组与中科院物理所,首尔大学,剑桥大学等...

...提问:董秘您好!请问公司2020年3月发表的高可靠超大容量存储器...

公司官网我看有大容量NANDFLASH是高存储密度的闪存存储器的产品还有SRAM产品,请问是真的吗?如果是真的,这些产品运功到哪些方面呢?董秘回答(航宇微SZ300053):尊敬的投资者您好,公司经营管理、业务开展方面的有关情况请以公司公告及官网发布的信息为准,请您基于对公司价值的判断,理性投资。值此元宵团圆之际,衷心祝...

江波龙:两款自研主控芯片已实现超千万颗规模化导入

在企业级存储领域,江波龙已经推出多款高速企业级SSD产品(「eSSD」),覆盖480GB至3.84TB的主流容量范围,涵盖2.5英寸到M.2的多种规格,构成了全面的企业级产品组合。江波龙自主研发的PCIeSSD具备多档功耗调节、无感在线固件升级、多命名空间以及可变SectorSize等先进功能。江波龙的PCIeSSD与SA...

...RAMXEED,以全新一代FeRAM迎接边缘智能高可靠性无延迟数据存储...

“业内人士认为NORFlash在下一代的时候工艺会进入瓶颈,未来可以替代NORFlash的是ReRAM,但是ReRAM目前量产最大的容量是12Mb。若要替代NORFlash,ReRAM的容量需要达到16Mbit到1Gb。”冯逸新表示。富士通FeRAM/ReRAM的应用定位赋能多个热门产业应用,智能存储获得广泛落地...

Machdyne 推出寿命可达 200 年的 Blaustahl FRAM U 盘:容量仅 8KB...

存储:8KBFRAM(富士通MB85RS64)、4MBNOR闪存用于存储固件接口:USBType-A安全:固件升级后支持加密尺寸:主板30x16mm,3D打印PLA外壳其他:内置文本编辑器、蓝色LED灯据介绍,该FRAM存储器在35°C环境下寿命达200年、55°C环境下寿命达95年,可在85°C环境下耐受10????...

太原市公安局监所管理支队公安医院医疗设备公开招标采购的采购公告

3.氧浓度设置范围值:21%-100%,调节精度为1%。4.具备高流量氧疗模式,最大流量80L/min。5.最大流速可达280L/min,具备自动漏气补偿功能。6.具备容量保证功能,目标潮气量设置范围值:20ml~2000ml。7.触发、撤换灵敏度5档以上可调。8.具备触发窗锁定功能,可选择“关闭”或“0.3-1.5S”。

2024 汽车芯片创新成果典型案例新鲜出炉,来看看他们都是谁

Z20K11xN系列最高可提供两块物理独立的大容量Flash(256KB程序存储+128KB数据存储,128K数据存储也可以用于存储程序),片上集成丰富外设提供灵活的扩展功能,包括高达16路适用于数据传输的DMA,4路支持LINFrame的UART,3路SPI,2路I2C,两路CAN/CAN-FD。应用支持方面,Z20K118N支持GNU,IAR,KEIL等开发调试环境,客户...

一文读懂 嵌入式系统外设器件的类型及其选择

本文引用地址:本文介绍了嵌入式系统外设器件的选择,包括存储器、时钟源、定时器、通信接口和输入/输出接口等。文章介绍了多种存储器类型及其选择考虑因素,多种时钟源的类型及其选择考虑因素。强调了定时器精度和计时范围的重要性。文章还介绍了通信接口类型、常见通信协议及其选择因素,以及主要的输...

中国存储、硅光子芯片重磅突破!

而与市场上大容量非易失性产品相比,“NM101”芯片在存储容量上优势显著,其单颗芯片容量高达64Gb,支持随机读写,读写均可提速10倍以上,同时寿命增加了5倍。凭借这些指标,系统解决方案的性能可以得到大幅提升,进而为虚拟化、数据库等应用领域的终端用户带来更加优质、高效的服务。