英伟达暴跌背后,IGBT 后起之秀纷纷崭露头角
绝缘栅双极晶体管,是由BJT(双极结型晶体管,即三极管)和MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)两种结构复合而成的全控型电压驱动式功率半导体器件。IGBT同时具备MOSFET输入阻抗高、开关速度快、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小以及BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点。因此,IGBT驱动功率小而饱和压降低是...
中国IGBT驱动器行业产业链分析、发展环境及未来趋势预测报告
IGBT是由双极结型晶体管(BJT)和金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件,IGBT要想将自身优秀的功能在相关产品上稳定实现,离不开它的助手IGBT驱动器(即IGBT模块解决方案),IGBT驱动器是对上位机发出的控制信号(控制信号:使得功率管开通或关断)进行功率放大并同时能够对IGBT模块...
中恒电气取得一种快速确定高压条件下IGBT驱动电阻值的方法专利...
专利摘要显示,本发明属于电力技术领域,涉及一种快速确定高压条件下IGBT驱动电阻值的方法,步骤包括:S1、确定充电电量;S2、计算等效寄生电容;S3、计算驱动电阻值。本方法可以利用驱动器固有的寄生电容和使用场合的设计电压的改变量快速地求出最优化的驱动电阻值,功率大部分并不损耗在驱动电阻上,又避免了尖峰电压击穿栅极,...
光伏的大脑:光伏逆变器行业的高质量发展之路
衡量光伏逆变器产品技术水平和核心竞争力的主要技术指标包括:转换效率、最大功率点跟踪电压范围(MPPT)、输入电流、功率密度等。各厂商逆变器性能指标存在一定差异,对发电量影响较大。表1光伏逆变器核心技术指标资料来源:爱士惟随着光伏逆变器转换效率普遍达到99%以上,从设备本身而言,在转换效率方面,其对整个光伏系统...
世平基于新能源电车 e-Conpressor 空压机(Spark-800V)应用方案
输入电压范围0.02-2V输入失调电压±1.5mV放大倍数1输入阻抗高达1GΩ带宽300kHz共模瞬变抗扰度150kV/us绝缘耐压等级5kVrmsAEC-Q1001级认证6.电流采样隔离器电压采样部分选用纳芯微的NSI1300D25来对IPM的底边管进行电流采样。NSI1300D25的其内部框图与特点下:...
【新品发布】圣邦微电子推出具有负输入电压能力的单通道高速低侧...
工作电压范围为4.5V至25V(www.e993.com)2024年9月8日。SGM48541的输出级采用独立的拉灌结构(Split-Output),该独立输出结构与非对称驱动提高了器件对寄生米勒传导效应的抗扰度。SGM48541/4采用正反逻辑双输入设计,IN+或IN-可独立控制驱动器的输出。这些器件的输入阈值与低压TTL和CMOS逻辑兼容,不会受到VDD变化的影响。SGM4...
...取得一项新专利,通过观察直流母线电压波形判断桥臂直通或IGBT...
专利摘要显示,本实用新型的H桥功率单元驱动信号异常的测试装置,其特征在于:测试装置由直流电源、测试设备和功率电阻R构成,直流电源的正极和负极输出端分别与正极母线、负极母线相连接,功率电阻R的两端接于第一桥臂和第二桥臂的输出端,测试设备用于对直流母线两端的电压进行测量;测试时:直流母线与高压部分断开,母线支撑...
一文搞懂IGBT
IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由(BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有(MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(GTR)的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;(因为Vbe=0.7V,而Ic可以很大(跟PN结材料和厚度有关))MO...
119家功率器件厂商汇总|晶体管|二极管|氮化镓|igbt|电子元器件|...
CET-MOS拥有各种不同的封装型式,适用于各类电力电子产品上。CET-MOS产品的电压范围由-200V(P通道)至高压+1000V(N通道),并可提供单一或多核心的订制化产品。CET-MOS产品已被广泛应用于网络通讯、电源供应器、通讯电子产品、光电控制装置、消费性电子及工业应用产品等领域。提供客户最有竞争力及完整快速的...
功率半导体IGBT行业科普
其应用范围广泛,包括工控、风电、光伏、电动汽车与充电桩、轨交、消费电子等领域。IGBT属于其中偏向高电压、中低频率应用场景的一类产品。一般低压IGBT常用于变频白色家电、新能源汽车零部件等领域;中压IGBT常用于工业控制、新能源汽车等领域;高压IGBT常用于轨道交通、电网等领域。