全功率覆盖,高效充电 - 茂睿芯在10W至1000W范围内的一站式布局
MK2787是一款高频QR控制器,专为PD/快速充电应用优化,这款芯片内置700V365mΩGaN,开关频率为130Khz,其宽广的VCC工作电压范围(9V-85V)使其能够覆盖3.3V-21V输出范围的PD/PPS,而无需使用额外的VCC绕组或线性降压电路。为了在不同负载下实现从通用线路的高效率,MK2787能够自适应地在DCM/QR模式下运行。在轻...
详解大功率电源中MOSFET功耗的计算
其中CRSS是MOSFET的反向传输电容(数据资料中的一个参数),fSW为开关频率,IGATE是MOSFET的栅极驱动器在MOSFET处于临界导通(VGS位于栅极充电曲线的平坦区域)时的吸收/源出电流。一旦基于成本因素将选择范围缩小到了特定的某一代MOSFET(不同代MOSFET的成本差别很大),我们就可以在这一代的器件中找到一个能够使功率耗散...
开关功率晶体管的选择和正确操作
工作频率主要保持在kHz范围内。饱和电压Vsat不能明显降低,当SiCMOSFET的Rdson达到毫欧姆级时,损耗也会降低。IGBT的主要优势是成本低,因为它仍然是双极晶体管。请注意,与标准MOSFET的主要区别在于额外的底部p层。IGBT有两种类型:PT=穿通型和NPT=非穿通型。两者的区别在于电场的形式。
英飞凌OptiMOS?? 7 40V 车规MOSFET ,助力汽车控制器应用
可以看出,相较于前几代沟槽技术具有相同/接近的RDSON产品,OptiMOS??7产品具有最小的门极充电电荷,减少门极充电消耗;同时提高了开关速度,减少开关损耗,缩短死区时间,可以以更高的开关频率工作,从而进一步提高了系统功率变换效率及功率密度。因此该系列产品非常适合于高频开关应用场合的功率变换器和电机驱动。开关瞬...
如何“榨干”SiC器件潜能?这几种封装技术提供了参考范例
具体而言,SiC产业的蓬勃发展主要得益于太阳能逆变器、储能系统和电动汽车等关键应用,SiCMOSFET和单管器件以其低功率损耗、高开关频率和高效率等优势,有效提升了系统的整体性能和可靠性。例如在工业应用中SiCMOSFET可以实现更高的转换效率;能源基础设施中SiCMOSFET可以提高功率密度,减少系统的尺寸、重量以及组件数;...
MOSFET开关损耗简介
开关频率(fSW)(www.e993.com)2024年9月9日。栅极电荷损失所有MOSFET都有一层绝缘层,可以防止电流流过栅极端子——这也是它们与其他类型场效应晶体管的区别所在。然而,严格地说,这种绝缘只能阻挡稳态电流。如图3所示,MOSFET的绝缘栅极是电容结构;瞬态电流因此在栅极驱动电路中流动,直到栅极电容器被完全充电或放电。
为什么D类放大器需要反并联二极管
例如,我们之前假设放大器调谐电路的谐振频率等于开关频率。实际上,谐振频率和开关频率可能略有不同。为了使D类放大器按预期工作,我们需要包括反并联二极管。二极管还有助于防止损坏晶体管。在本文中,我们将探讨当开关频率略高于谐振频率时,反并联二极管在D类操作中的作用。但首先,我们需要强调理想操作的一些关键特性。
SiCMOSFET实现高频大功率变换——固态变压器应用案例剖析
图5给出了功率为1500V母线电压系统分别使用1200VIGBT和1200VSiCMOSFET的解决方案和效率对比。评估过程选用英飞凌最新的IGBT7系列的快速开关管IKY50N120CH7和电流等级接近的CoolSiC??IMZA120R014M1H进行对比。在相同的电路条件下,开关频率为谐振频率的工况下,SiCMOSFET可以带来更低的损耗和更高的结温。此时...
安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列设计注意事项,您知道吗?
结果明确显示M3S比SC1表现更好,特别是在轻负载下,在该范围内开关性能占主导地位,因此说M3S是更适合高开关频率应用的产品。表3.主要性能比较汇总表,所有数据均在同一测试台上、在一个典型样品的条件下进行测量。(VGS=??3/18V,RG(EXT)=4.7Ω,VDS=800V,ID=40A,Lσ=30nH,14A...
一文带你看懂这些年小米原装INBOX充电器主控芯片的变化
安森美NCP1342是一颗高度集成的准谐振反激控制器,用于高性能的开关电源,内部集成X2电容放电,支持宽范围VCC供电和VCC过压保护,内置过热关断,支持完善的保护功能。内置同步整流芯片MPSMP6908A丝印IBHJM为次级同步整流控制器,实际型号为MP6908A,来自MPS芯源半导体,最高工作频率600KHz。