江南大学董玉明/清华大学朱永法《自然·通讯》:聚酰亚胺气凝胶新...
设计的具有π共轭和π堆积DA型结构的交联的聚酰亚胺气凝胶光催化剂。通过13CNMR,FTIR,XPS证实结构中羰基的存在。通过Uv-vis、Mott-Schottky、XPS价带谱图测定带隙、价带和导带和CV测试确定结构的-C=O的还原电位,从热力学角度说明光生电子的还原能力可以将材料表面的-C=O还原。通过原位XPS检测光照下催化剂表面结...
双剑合璧! Michael Gr??tzel和Edward H. Sargent联手发Nature!
相比之下,钙钛矿在不同的衬底上表现出相似的导带最小值(CBM)和价带最大值(VBM)(图3h)。钙钛矿和SAMs的能级图如图3i,j所示。钙钛矿和2PACz双分子层之间的真空能级(VL)位移为0.17eV,钙钛矿/混合SAMs双分子层的真空能级(VL)进一步增加到0.32eV。更高的VL位移表示放大的内置场,这在PSCs中可以导致增强的载流子...
专家约稿|微电子大马士革工艺的发展现状
其原理是福勒-诺德海姆(FN)隧穿过程,由于等离子体携带高能光子,当光子能量超越Low-k材料的禁带宽度时,会令材料的电子从价带跃迁至导带,形成短路,所有Cu连线作为一个等势体,会从各个方向收集Low-k介电材料的电荷,所以收集电荷的面积大于连线上表面面积,从而增大了从Cu流向栅极的电流,使栅氧化层可靠性降低。这种电流...
Npj Comput. Mater.: 一维范德华异质结很迷人,但曲率如何改变电子...
图1:常见的半导体能带对齐类型:跨骑(I型),交错(II型),以及错层(III型)。红色和蓝色分别代表半导体材料的导带和价带。图2:曲率导致的过渡金属二硫化物(TMDC)一维范德华异质结能带对齐类型转变的示意图。当TMDC纳米管的管径(D)减小时,一些异质结体系的能带对齐类型可发生从II型到I型的转变。Curvature-cont...
一文看懂电路三个层次的集成
在导体中,导带与价带重叠,其中不存在禁带,电子容易产生移动,在外加电场下形成电流;在半导体中,少部分电子可以跃迁到导带,并在外加电场下形成电流;在绝缘体中,电子无法越过禁带,因而无法形成电流。加工艺,减工艺,图形转移制造芯片的工艺很多,完成一颗芯片制造的工艺流程多达上千种,这些工艺可以分为三大类:加工艺,...
半导体材料在纳米光子学中的作用
半导体能带结构示意图导带上的最低能级将被产生的能量高于带隙的电子快速填充,此外,在价带中产生的空穴将上升到价带的顶部,如上图所示,带内跃迁是电子在导带或价带内发生变化的能级,纳米光子学极大地受益于利用带内跃迁开发的技术(www.e993.com)2024年9月17日。半导体也表现出自发和受激***,当电子从传导能级跃迁回价带时,会发生自发***(也...
劳模!最强教授夫妻,4个月已发1篇Nature,3篇大子刊!
最后,作者研究了铁电开关对拓扑学传输特性的影响。结果证明了NAHE的铁电开关。在没有莫尔电位(P>0)的情况下,贝里曲率及其偶极集中在WTe2的导带和价带边缘附近。在电荷中性(ν=0)附近,NAHE很强;V2ω⊥/I2的符号反转。图4:通过铁电切换非线性反常霍尔传输小结总之,作者已经证明了在角度对齐的双层WTe2/...
「研氢」光解水制氢技术前沿及进展
科学原理是半导体材料的光电效应——当入射光的能量大于等于半导体的能带(BandGap)时,光能被吸收,价带(VB)电子跃迁到导带(CB),产生光生电子(e-)和空穴(h+)。电子和空穴迁移到材料表面,与水发生氧化还原反应,产生氧气和氢气。光分解水制氢主要包括3个过程,即光吸收、光生电荷迁移和表面氧化还原反应...
深圳大学、中国科学技术大学在钙钛矿LED领域取得新进展|中国科学...
此外,导带和价带附近能态波函数由于对称性存在差异,因而对吸收/发射光子的偏振模式具有选择性,比如各向异性半导体。因此,基于材料的对称性特征合理利用带边电子/空穴跃迁的偏振选择性,对实现光电器件的偏振操纵和性能提升具有重要意义。该研究从半导体发光的电子结构角度出发,到设计增强蓝光跃迁的物理模型,再到基于构效...
国科大等提出新的拓扑量子物态——二维外尔半准金属态---中国科学院
由于受到拓扑保护,外尔半金属在三维空间非常稳定,在布里渊区存在二重简并的外尔点(Weylpoints),其导带和价带在外尔点线性交叉,低能电子类似于相对论性的外尔费米子。外尔半金属具有许多新奇的物理性质,例如表面费米弧,超高迁移率,负磁电阻效应,巨光伏响应,以及可增强催化过程的材料等。