LDO这些性能参数,也许你并没有参透

随着负载电流增加,接地电流也会增大,因为PMOS调节元件的栅极驱动需增强以补偿RON引起的压降。在压差区域内,当驱动级进入饱和时,接地电流也随之增加。对于需要低功耗或小偏置电流的应用,CMOSLDO是理想选择。关断电流关断电流指输出禁用时LDO消耗的输入电流。参考电路和误差放大器在关断模式下都不上电。较高的漏电流...

从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。

由于MOS管和大功率晶体三极管在结构、特性有着本质上的区别,在应用上驱动电路也比晶体三极管复杂,致使维修人员对电路、故障的分析倍感困难,此文即针对这一问题,把MOS管及其应用电路作简单介绍,以满足维修人员需求。01什么是MOS管MOS管即金属氧化物半导体型场效应管,属于场效应管中的绝缘栅型,因此,MOS管有时被称...

常用的MOS做电源开关电路的设计_腾讯新闻

所以PMOS做高侧开关时,一般搭配一个小电流的NMOS或者NPN管,来做驱动电平转换。如下图,NMOS-Q3负责做电平转换,来驱动Q2-PMOS的开关。当CONTROL为0时,Q3关断,Q2的G极电平被拉高为VCC,Q2-PMOS关断,负载停机。当CONTROL为1,Q3开通,Q2的G极电平被拉低为0,Q2Vgs<导通阀值,PMOS开通,负载工作。

常用的MOS做电源开关电路的设计_腾讯新闻

所以PMOS做高侧开关时,一般搭配一个小电流的NMOS或者NPN管,来做驱动电平转换。如下图,NMOS-Q3负责做电平转换,来驱动Q2-PMOS的开关。当CONTROL为0时,Q3关断,Q2的G极电平被拉高为VCC,Q2-PMOS关断,负载停机。当CONTROL为1,Q3开通,Q2的G极电平被拉低为0,Q2Vgs<导通阀值,PMOS开通,负载工作。

吃透MOS管,看这篇就够了

由于MOS管和大功率晶体三极管在结构、特性有着本质上的区别,在应用上;驱动电路也比晶体三极管复杂,致使维修人员对电路、故障的分析倍感困难,此文即针对这一问题,把MOS管及其应用电路作简单介绍,以满足维修人员需求。一、什么是MOS管MOS管的英文全称叫MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor),即...

集成电路布图设计专有权公告(2023年11月24日)

集成电路布图设计专有权公告(2023年11月24日)布图设计登记号:BS.235539090布图设计申请日:2023年5月30日公告日期:2023年11月24日公告号:67419布图设计名称:DoWoSInterposer布图设计权利人:芯盟科技有限公司布图设计创作人:杨溢、徐睿、王贻源、薛迎飞...

国内主流集成电路代工厂的工艺特征

应用产品:中芯国际高压工艺为计算机和消费类电子产品以及无线通讯LCD/AMOLED显示面板驱动等广泛应用领域提供一个经济有效的平台。绝缘栅双极型晶体管IGBT(600V~1200V)技术简介:IGBT是一种新型电力半导体器件的平台性器件,具有高输入阻抗,低导通压降,驱动电路简单,开关速度快,电流密度大等优点。中芯集成电路制造(绍兴...