从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。

由于MOS管和大功率晶体三极管在结构、特性有着本质上的区别,在应用上驱动电路也比晶体三极管复杂,致使维修人员对电路、故障的分析倍感困难,此文即针对这一问题,把MOS管及其应用电路作简单介绍,以满足维修人员需求。01什么是MOS管MOS管即金属氧化物半导体型场效应管,属于场效应管中的绝缘栅型,因此,MOS管有时被称...

吃透MOS管,看这篇就够了

由于MOS管和大功率晶体三极管在结构、特性有着本质上的区别,在应用上;驱动电路也比晶体三极管复杂,致使维修人员对电路、故障的分析倍感困难,此文即针对这一问题,把MOS管及其应用电路作简单介绍,以满足维修人员需求。一、什么是MOS管MOS管的英文全称叫MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor),即金属...

MOS管-IC电子元器件

1、N沟道MOS管(NMOS):沟道区域为N型半导体,栅极电压为正时导通。2、P沟道MOS管(PMOS):沟道区域为P型半导体,栅极电压为负时导通。3、增强型MOS管(EnhancementMOSFET):栅极电压为正时导通,栅极电压为零时截止。4、耗尽型MOS管(DepletionMOSFET):栅极电压为负时导通,栅极电压为零时截止。5、压控型MOS管(V...

功率半导体行业深度报告:能源变革大时代,功率器件大市场

跟BJT或者MOS管比起来，IGBT的优势就是能提供比标准双极型晶体管更大的功率增益，而且工作电压更高，MOS管的输入损耗更低。所以呢，它在直流电压600V及以上的变流系统里用得特别广泛，像交流电机、变频器、开关电源、照明电路还有牵引传动这些地方都在用。IGBT跟MOSFET比起来，能在更高的电压下一直工作，而且得同时...

半年度创新集锦:芯片企业最新参考设计大盘点

充电头网通过解析发现,由誉烁鑫电子设计的120W高性价比氮化镓适配器方案,采用方形外观设计,符合适配器应用。这款适配器方案采用PFC+反激+SR高效架构,使用赛威科技SF6562PFC控制器搭配茂睿芯MK2697反激控制器,搭配使用能华CE65H160TOAIF和CE65H270TOAIF两颗耗尽型氮化镓开关管。器件具有优秀的兼容性,满足不同功率...

涨知识!氮化镓(GaN)器件结构与制造工艺

氮化镓功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延结构的不同,本文通过深入对比氮化镓HEMT与硅基MOS管的外延结构,再对增强型和耗尽型的氮化镓HEMT结构进行对比,总结结构不同决定的部分特性(www.e993.com)2024年11月9日。此外,对氮化镓功率器件的外延工艺以及功率器件的工艺进行描述,加深对氮化镓功率器件的工艺技术理解。在理解氮化镓功率器件结构和工艺...

预见2024:2024年中国MOSFET行业市场规模、竞争格局及发展前景预测...

本文核心数据:中国MOSFET行业市场规模;MOSFET行业规模以上生产型企业数量;MOSFET行业下游应用情况行业概况1、定义功率半导体(powersemiconductor)是电子装置中电能转换与电路控制的核心,主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。功率半导体可以分为功率IC(PowerIC)和功率分立器件(PowerDiscrete,包括功率...

想要玩转氮化镓?纳芯微全场景GaN驱动IC解决方案来啦!

<纳芯微NSD1624在氮化镓快充产品的应用案例>某氮化镓桌面充电器某氮化镓快充插座直驱式方案尽管阻容分压式驱动电路,可以采用传统的SiMOSFET驱动器来驱动E-modeGaN,但是需要复杂的外围电路设计,并且分压式方案的稳压管的寄生电容会影响到E-modeGaN的开关速度,应用会有一些局限性。对此,纳芯微针对E-modeGaN...

功率半导体介绍及分类,功率半导体技术挑战和解决方案

IGBT同时具有BJT和MOSFET的优点,即高输入阻抗、低导通压降、驱动功率小而饱和压降低等,IGBT与BJT或MOS管相比,其优势是它提供了一个比标准双极型晶体管更大的功率增益,以及更高的工作电压和更低的MOS管输入损耗。因此广泛应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路和牵引...

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(ARK)成都方舟微电子有限公司成立于2008年,是国内唯一专注耗尽型MOSFET设计的公司。产品以集成控制的方式提供具有出众的功率处理和电源管理能力,自主研发的耗尽型MOSFET、SiCFET、PHOTOMOS继电器、IC集成功率器件等系列产品大量用于快充、LED、工业控制、电动汽车、通信电路、物联网、光伏、服务器电源和充电桩等领域。