MOS管开关电路设计,用三极管控制会烧坏?
三极管有NPN型和PNP型,同理MOS管也有N沟道和P沟道的,三极管的三个引脚分别是基极B、集电极C和发射极E,而MOS管的三个引脚分别是栅极G、漏极D和源极S。本文引用地址:对于MOS管,我们在电路设计中都会遇到,那么应该如何设计一个MOS管的开关电路呢?MOS管开关电路MOS管开关电路但是这个电路的缺点也是显而易见...
吃透MOS管,看这篇就够了
这就构成了一个N沟道(NPN型)增强型MOS管。显然它的栅极和其它电极间是绝缘的。图1-1所示A、B分别是它的结构图和代表符号。同样用上述相同的方法在一块掺杂浓度较低的N型半导体硅衬底上,用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的P+区,及上述相同的栅极制作过程,就制成为一个P沟道(PNP型)增强型MOS管。
飞安瑞取得可上电自动开机与定时关机的开关机电路专利,在实现模式...
分档检测电路、开关控制电路以及单片机;电源分档模块包括输入电源、分档开关和档位线路;分档检测电路包括与档位线路连接的模式电阻,模式电阻的一端连接于档位线路的输入端,模式电阻的另一端连接于单片机;开关控制电路包括依次连接的启动电容、第一N沟道MOS管、P沟道MOS管;当档位线路与输入电源连接时,启动...
为啥MOS 管需要驱动电路?
然而,正如我们所见,要打开n沟道MOSFET,我们需要将栅极电压设置在源极电压之上。如果我们将n沟道MOSFET放在高侧,当它开启时,源极和漏极几乎具有相同的电压,因此栅极将需要被推到高于电源电压几伏特的位置。如何将N沟道MOS管用作高边开关这就是MOSFET驱动器派上用场的地方。这些巧妙的器件接受低电压控制信号...
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。
MOS管即金属氧化物半导体型场效应管,属于场效应管中的绝缘栅型,因此,MOS管有时被称为绝缘栅场效应管,在一般电子电路中,MOS管通常被用于放大电路或开关电路。1、MOS管的构造在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上,用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区,并用金属铝引出两个电极,分别作为漏极D和...
基于比较器的过压保护电路设计方案(完整版)
值得一提的的是,MOS管饱和导通后,漏源极(DS)之间的压降及损耗很小,保证电源电压几乎无损失地供给负载(www.e993.com)2024年9月9日。下面开始逐步构造电路:1.以MOS管为受控开关P沟道MOS管的阻尼二极管正极端连漏极(D),二极管负极连源极(S),要使MOS不至于无控导通,源极(S)必须接电源Us的正极。
2024年计算机软考中级【硬件工程师】面试题目汇总(附答案)
PMOS和NMOS都属于MOS管(绝缘栅型场效应管),二者的区别在于PMOS管的结构是N型背栅加上两块P型半导体,而NMOS管的结构是P型背栅加上两块N型半导体,即PMOS是指N型衬底、P沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管,而NMOS是指P型衬底、N沟道,靠自由电子的流动运送电流的MOS管。在实际应用中,多采用NMOS管,因为其导通电...
NMOS和PMOS详解
MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路,由PMOS管组成的电路就是PMOS集成电路,由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路,即CMOS电路。PMOSPMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管。
一站式服务,智融30-140W Turnkey Solution 方案介绍
智融SW1656是一款集成了N沟道MOS管的高频率、高性能同步整流功率开关,专为满足离线式反激变换器中副边同步整流管的驱动需求,可以替代肖特基整流二极管并提高系统效率的同时实现高集成度与高功率密度。SW1656支持智能导通检测,可以区分功率管关断和DCM振铃,避免在DCM振铃期间输出DRV驱动信号,防止DCM模式误导通。还...
打算设计快充产品?不如先看看这些广受好评的意法半导体器件
意法半导体VIPER28是一颗开关电源主控芯片,芯片内部集成800V高压MOS管,集成高压启动和采样管,采用电流模式控制。芯片开关频率为115kHz,支持抖频提升EMI性能。该器件集成双电平OCP、输出过压、短路过压、短路和热关断等多项保护功能。故障消除后,电路会自动重新启动。