常用的MOS做电源开关电路的设计_腾讯新闻
电容浮栅自举电路原理电机控制和功率变换应用中,较多使用的是电容浮栅自举,其内部电路形式大多为高侧+低侧栅极驱动IC,或者叫NMOS半桥栅极驱动IC。其内部集成死区控制器,以防止半桥上下管同时开通,造成短路MOS过流损坏,俗称炸管。常用型号如IR2101、IR2104、IR2110、IR2130,市面上的大多数栅极驱动IC多以这几款IC...
IRFP460MOS功率管开关电源全桥驱动模块电路
采用两片IR2101和TL494设计的全桥开关电源驱动模块。电路结构简洁功能强大,下面电路可以直接1KW-1.5KW开关电源。IRFP460MOS/20A开关电源驱动模块电路IR2101的IO输出电流0.6A,可以直接驱动20A的IRFP460MOS大功率管子。
EG2104,替代IR2104,600V2A半桥驱动芯片
EG2104是一款高性价比的带SD功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。EG2104高端的工作电压可达600V,低端Vcc的电源电压范围宽2.8V~20V,静态功耗小于1uA。
采样电路PWM驱动电路
采样电路PWM驱动电路电力MOSFET驱动功率小,采用三极管驱动即可满足要求,驱动电路如图4所示。由于单片机为弱电系统,为保证安全需要与强电侧隔离,防止强电侧的电压回流,烧坏MSP430,先用开关光耦进行光电隔离,再经三极管到MOSFET的驱动电路IR210l。MSP430产生的PWM波,经过光耦及后面的IR2101芯片,在芯片的5管脚输出的PWM波接...
集中供电电源的设计与实现*
IR2101是一款含有欠压锁定的专用半桥驱动芯片,具有独立的高端和低端输出通道,逻辑输入兼容标准的CMOS或者LSTTL输出,实现10~20V的栅极驱动电压,浮动通道能够驱动高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT[4]。1.2.2主电电路工作原理在前级整流滤波电路中,主要实现输入整流滤波和初级辅助供电等功能。电路输入部分增加保...