常用的MOS做电源开关电路的设计_腾讯新闻
电容浮栅自举电路原理电机控制和功率变换应用中,较多使用的是电容浮栅自举,其内部电路形式大多为高侧+低侧栅极驱动IC,或者叫NMOS半桥栅极驱动IC。其内部集成死区控制器,以防止半桥上下管同时开通,造成短路MOS过流损坏,俗称炸管。常用型号如IR2101、IR2104、IR2110、IR2130,市面上的大多数栅极驱动IC多以这几款IC...
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凭借CoolSiC??技术的独特性能及其具有极快开启速度的硅IGBTEDT3技术,英飞凌能够使用单栅极驱动器或双栅极驱动器,从而可以轻松从全硅或全SiC逆变器重新设计为融合逆变器。总体而言,英飞凌在SiCMOSFET和硅IGBT技术、功率模块封装、栅极驱动器以及传感器方面拥有全面的专业知识,可实现在系统级节省成本的优质产品,例如在H...
EG2104,替代IR2104,600V2A半桥驱动芯片
EG2104替代IR2104EG2104D替代IR2104、IR2008、IR2004EG2104M替代IR2104、IR2008、IR2004EG2104S替代IR2104EG2106替代IR2106、IR2101、FAN7382、IRS2005、NCP5106EG2106D替代IR2106、IR2101、FAN7382、IRS2005、NCP5106EG2108替代FD2606S、IRS2308、FD2501EG2113D替代IR2113、IR2110EG2113S替代IR2113、I...
IRFP460MOS功率管开关电源全桥驱动模块电路
采用两片IR2101和TL494设计的全桥开关电源驱动模块。电路结构简洁功能强大,下面电路可以直接1KW-1.5KW开关电源。IRFP460MOS/20A开关电源驱动模块电路IR2101的IO输出电流0.6A,可以直接驱动20A的IRFP460MOS大功率管子。
采样电路PWM驱动电路
电力MOSFET驱动功率小,采用三极管驱动即可满足要求,驱动电路如图4所示。由于单片机为弱电系统,为保证安全需要与强电侧隔离,防止强电侧的电压回流,烧坏MSP430,先用开关光耦进行光电隔离,再经三极管到MOSFET的驱动电路IR210l。MSP430产生的PWM波,经过光耦及后面的IR2101芯片,在芯片的5管脚输出的PWM波接到MOS—FET的门极G...
2023年半导体最具发展潜力技术领域Top10进展报告
根据工信部赛迪研究院的数据,2022年全球半导体市场规模为5980亿美元,同比增长7.6%,预计2023年全球半导体市场规模为6255亿美元,同比增长4.6%;中国半导体市场方面,将继续保持增长的势头,预计2022年中国集成电路市场规模为2.1万亿元,同比增长6.5%(www.e993.com)2024年10月22日。2023年中国集成电路市场规模为2.28万亿元,同比增长7.1%。
集中供电电源的设计与实现*
IR2101是一款含有欠压锁定的专用半桥驱动芯片,具有独立的高端和低端输出通道,逻辑输入兼容标准的CMOS或者LSTTL输出,实现10~20V的栅极驱动电压,浮动通道能够驱动高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT[4]。1.2.2主电电路工作原理在前级整流滤波电路中,主要实现输入整流滤波和初级辅助供电等功能。电路输入部分增加保...