电力晶体管GTR的开关特性详解
由于整个管芯的导电不可能绝对均匀,大的IC会产生集中热点,从而发生雪崩击穿,IC骤增。这时候,即使降低VCE也无济于事,高速增长的热量无法散出,在很短时间内(几微秒甚至几纳秒)便使GTR被永远地烧坏。这就是GTR的二次击穿现象,它是GTR最致命的弱点,也是限制GTR发展和进一步推广应用的最重要的原因之一。电力晶体管GTR...
第一块晶体管背后的故事(《计算机发展时间线》番外)| 跟陶叔学编程
1947年12月23日,在贝尔实验室,一块三角形塑料片、一条金箔、一个回形针制成的弹簧和一片放在铜板上方的薄锗半导体材料被组合在一起,当今世界上最重要的电子元器件“晶体管”就这样诞生了。贝尔实验室发明的第一支晶体管(点接触晶体管)这是人类历史非常值得铭记的一天,从这一天开始,电子元器件才能越来越小越稳...
导体场效应晶体管基础知识解析
晶体管:基极发射极集电极场效应管:栅极源极漏极要注意的是,晶体管(NPN型)设计发射极电位比基极电位低(约0.6V),场效应管源极电位比栅极电位高(约0.4V)。场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件。有些场效应管的源极和漏...
【转帖】元器件科普之晶体管基础知识大放送
晶体管又称双极结型晶体管(BJT),是由电流驱动的半导体器件,用于控制电流的流动,其中,基极引线中的较小电流控制集电极和发射极之间较大的电流。它们能用于放大弱信号,用作振荡器或开关。晶体管通常由硅晶体制成,采用N和P型半导体层相互夹合形式。见下图1。图1:图1a展示了2N3904TO-92剖视图,展示了连...
科普:电子技术的主要知识
最高工作频率取决于PN结结电容的大小,结电容越大,二极管允许的最高频率越低。除上述参数外,还有最大瞬时电流、最高使用温度等。5、温度对二极管特性的影响温度变化时,对二极管的正向电流、反向电流、阀电压、反向击穿电压等都有影响。1)温度升高时,正、反向电流增大,阀电压降低、反向击穿电压降低。温度降低时...
最全面的二极管知识解读
它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管(www.e993.com)2024年9月17日。产生高频振荡的工作原理是栾的:利用雪崩击穿对晶体注入载流子,因载流子渡越晶片需要一定的时间,所以其电流滞后于电压,出现延迟时间,若适当地控制渡越时间,那么,在电流和电压关系上就会出现负阻效应,从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中。
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首先发射时要禁得住剧烈的抖动和很高的温度,才能走出地球。而真正的炼狱在入轨后才刚刚开始,面对太阳面的时候,温度迅速提升,最高到120°C背离太阳面的时候,温度骤减,最低到-150°C就这样90分钟一圈又一圈,周而复始,每圈都是270°C的温差。
最全面的二极管知识分享
它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。产生高频振荡的工作原理是栾的:利用雪崩击穿对晶体注入载流子,因载流子渡越晶片需要一定的时间,所以其电流滞后于电压,出现延迟时间,若适当地控制渡越时间,那么,在电流和电压关系上就会出现负阻效应,从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中。
电脑,开关电源维修图解
(4)直流变换电路中的功率开关晶体管VT1、VT2和换向二极管VD1、VD2击穿损坏。损坏原因:由于整流滤波后的输出电压一般高达300V左右,逆变功率开关管的负载又是感性负载,漏感所形成的电压峰值可能接近于600V,而VT1、VT2的耐压Vceo只有450V左右。因此当输入电压偏高时,某些耐压偏低的开关管将被击穿。所以可选择耐压更高的...