一周动态:武汉国家存储器基地施工生产加速推进
武汉国家存储器基地于4月2日获得复工批复,目前正在进行二次施工及部分高层主体结构施工。经过前期科学有序的疫情防控和复工复产准备,日前武汉国家存储器基地施工生产加速推进,现场300余名工人已经投入到各项工作。长江存储128层QLC3DNAND闪存研发成功4月13日,长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC3DNAND闪存...
...董事长马新强:打造原创技术策源地 支持武汉光谷建设“世界光谷”
目前,武汉光谷是全国唯一的国家光电子产业基地,在光通信、激光、存储芯片等部分领域的关键核心技术、产业规模都居世界前列。在接受证券时报记者采访时,马新强表示,建议国家发展改革委将《中国(武汉)光谷建设方案》作为长江经济带和中部地区崛起战略的支撑性文件,纳入国家区域发展战略,以支持武汉光谷建设“世界光谷”。
《武汉百年瞬间》第八十七期:国家存储器基地、国家网络安全人才与...
国家存储器基地项目位于光谷智能制造产业园,由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设,计划分两期建设3DNAND闪存芯片工厂,总用地面积约153.33公顷,总投资1550.4亿元,是湖北省规模最大的单体产业投资项目。2016年3月28日,国家存储器基地项目在武汉东湖新技术开发区启动。国家存储器...
两会|多位全国人大代表联名建议:支持武汉加速建设国家存储器基地
“国之重器须立足于自身,形成规模和集聚效应,进一步打造世界级‘芯’产业集群。”全国两会上,刘江东等多位全国人大代表联名建议,支持武汉加速建设国家存储器基地。2016年2月,武汉国家存储器基地项目落户武汉东湖新技术开发区,根据项目方案,项目分三期建设,项目二期技术水平达到世界一流,初步形成规模经济。代表们建...
国产半导体重要进展!武汉国家存储器基地项目二期开工
6月20日上午,国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区开工。长江存储国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设,计划分两期建设3DNAND闪存芯片工厂,总投资240亿美元。在开工仪式上,紫光集团兼长江存储公司董事长赵伟国介绍,一期主要实现技术突破,并建成10万片...
武汉重大项目计划:国家存储器基地、武汉新芯12英寸线等项目入列
国家存储器基地(一期)项目,落地于武汉东湖高新区的武汉未来科技城,一期项目计划总投资815亿元,2020年计划投资50亿元,在2016年12月30日正式开工建设,将建设3座全球单座洁净面积最大的3DNANDFlash生产厂房,预计2020年完成整个项目,总产能将达到30万片/月,年产值将超过100亿美元(www.e993.com)2024年10月19日。
国家存储器基地项目二期在武汉开工
国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设,计划分两期建设3DNAND闪存芯片工厂。项目一期于2016年底开工建设,进展顺利,32层、64层存储芯片产品已实现稳定量产,并成功研制出全球首款128层QLC三维闪存芯片。王晓东代表省委、省政府对项目开工表示祝贺,对长期以来...
武汉市线网中心大厦设计施工总承包项目、国家存储器基地公共停车...
招标人:中铁电气化局集团西安电气化工程有限公司武汉分公司地址:武汉市东湖高新技术开发区黄龙山东路1号联系人:杨伟伟联系电话:18329677315电子邮箱:371976654@qq中铁电气化局集团西安电气化工程有限公司武汉分公司2022年1月20日
国家存储器基地三维闪存取得新突破
1月2日,正在建设中的国家存储器基地雏形初现。位于武汉光谷的该基地继成功研发中国首颗32层三维闪存芯片后,另一项技术取得新突破,为三维闪存带来前所未有的I/O高性能、更高的存储密度,以及更短的产品上市周期。
操盘必读|国家存储器基地项目二期开工!重庆啤酒拟获嘉士伯进一步...
6月20日,国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区开工。国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设,计划分两期建设3DNAND闪存芯片工厂,总投资240亿美元。该项目一期于2016年底开工建设,32层、64层存储芯片产品已实现稳定量产,并成功研制出全球首款128层三维闪存...