无锡舜铭存储科技申请铁电存储器参考生成专利,存储数据位

金融界2024年11月15日消息,国家知识产权局信息显示,无锡舜铭存储科技有限公司申请一项名为“铁电存储器参考生成”的专利,公开号CN118942502A,申请日期为2024年7月。专利摘要显示,一种FRAM存储器器件可以包括多个FRAM存储器单元,每个FRAM存储单元包括一个晶体管和电耦合到所述至少一个晶体管的一个电容器。电容器...

...通过补偿存储单元的电阻的变化来准确地读取存储在存储单元中的值

所述电阻式存储器装置包括:单元阵列,包括所述存储单元及参考单元;参考电阻电路,被配置成电连接到所述参考单元;偏移电流源电路,被配置成对被提供到所述参考电阻电路的读取电流加上偏移电流或者从被提供到所述参考电阻电路的所述读取电流汲取所述偏移电流;以及控制电路,被配置成控制所述偏移...

[科学新闻]“土鳖”的创新摇篮——走进中科院量子信息重点实验室

就在近期,实验室的史保森研究小组在国际上首次实现了携带轨道角动量、具有空间结构的单光子脉冲在冷原子系综中的存储与释放,证明了建立高维量子存储单元的可行性,迈出了基于高维量子中继器实现远距离大信息量量子信息传输的关键一步。麻省理工学院的TechnologyReview网站更以“第一个存储单光子形状的量子存储器在中国揭...

...第二节点的电压来确定存储器单元与第一开关之间的键合是否有缺陷

所述半导体装置可包括:存储器装置,包括存储器单元、页缓冲器和第一开关,第一开关具有电连接到位于存储器单元的键合点的第一节点的第一端、以及连接到位于页缓冲器的第二节点的第二端;以及存储器控制器,被配置为在第一时段将预充电电压施加到第一节点和第二节点,在第一时段之后的第二时段中闭合第一开关,并且被...

...半导体存储器的测试方法和设备专利,实现同一字线上存储单元...

字线上存储单元内测试数据,控制存储块中每个位线连接的灵敏放大器处于使能状态,刷新目标字线上存储单元内测试数据,控制存储块中两个相邻位线上其中一个位线连接的灵敏放大器处于使能状态,另一个位线连接的灵敏放大器处于失效状态,从目标字线上的存储单元中读取数据,根据读取的数据与目标字线上的存储单元中测试数据...

...存储器的修复方法及电子设备专利,增加存储器中对存储单元行的...

存储阵列包括多个存储区域,每一存储区域中均包括多行存储单元行(www.e993.com)2024年11月19日。存储控制电路包括与多个存储区域一一对应的多个字线驱动电路,解码器和驱动控制电路。每一字线驱动电路中均包括多个驱动子电路,每一驱动子电路连接对应的存储区域中的一行存储单元行,用于向存储单元行发送驱动信号;驱动控制电路与每一字线驱动电路中至少部分...

长鑫存储申请动态随机存储器测试方法及装置专利,该方法可避免老炼...

动态随机存储器包括衬底和多个存储单元，各个存储单元包括存储电容和第一晶体管NMOS晶体管，各个存储单元的存储电容的第一极板与对应第一晶体管的漏极电连接，各个存储单元的第一晶体管的P型硅基板与衬底电连接，该方法包括：通过在衬底上施加第一电压，并在各个存储单元的存储电容的第二极板上施加第二电压，对各个...

长鑫存储取得技术专利,提高对边缘子存储阵列中存储单元的利用率

另一者为第一参考位线；其中，写入与第一读写位线对应的存储单元中的数据为第一数据，则对应写入与第一参考位线对应的存储单元中的数据为第二数据，第一数据和第二数据中的一者为逻辑1，则另一者为逻辑0。本公开实施例至少有利于提高对边缘子存储阵列中存储单元的利用率。本文源自：金融界作者：情报员...

中国科大首次实现多自由度复用的多功能固态量子存储器

量子网络实用化的关键指标是通信速率,而多模式复用量子存储器可以极大地提升量子网络的通信速率。对于经典的存储器,如硬盘或者优盘等,其一个存储单元一次只能存储一个比特。而对量子存储器,由于具有量子相干性,其一个存储单元可以一次性存储大量的量子比特,这就是复用的概念。原则上对量子存储器的各个自由度都可以进行...

3D DRAM行业研究:3D DRAM时代到来,国产DRAM迎来契机

DRAM的基本存储单元由一个晶体管(Transistor)和一个电容器(Capacitor)构成,也被称为1T1C。晶体管作为开关控制是否允许电荷的流入或流出,电容器则用来存储电荷,当电容器充满电后表示1,未充电时则存储0。DRAM沿用2D方式缩小器件尺寸遇阻随着摩尔定律推进速度放缓,DRAM技术工艺也逐渐步入了瓶颈期。从技术角度上看,...