...使场效应晶体管具有第二导电类型的掺杂剂的不同平均原子浓度
专利摘要显示,场效应晶体管包括:源极侧掺杂阱、漂移区域阱、源极区域、漏极区域;浅沟槽隔离结构,包括位于漂移区域阱上面并且与源极侧掺杂阱横向间隔开的第一部分;栅极介电层;栅电极,位于栅极介电层上面;以及近端掺杂层堆叠件,嵌入在漂移区域阱内并且介于源极侧掺杂阱和浅沟槽隔离结构的第一部分之间。近端掺杂层...
长鑫存储取得半导体储存器的晶体管结构及其制造方法专利,降低了有...
专利摘要显示,本发明提出一种半导体储存器的晶体管结构及其制造方法,该方法包括:在衬底上形成有源区及与之相交的字线;在两个字线之间形成接触窗并沉积导电材料;在衬底上形成位线并与有源区相交错;刻蚀未被位线遮盖的导电材料,形成位线接触垫;以及通过接触窗中的未覆盖区域向有源区注入离子,形成离子再注入区域,并...
芯片里面100多亿个晶体管是如何安装上去的?
芯片制造过程共分为七大生产区域,分别是扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、抛光、金属化,光刻和刻蚀是其中最为核心的两个步骤。而晶体管就是通过光刻和蚀刻雕刻出来的,光刻就是把芯片制作所需要的线路与功能区做出来。利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光,光刻胶见光后会发生性质...
科学家打造碳纳米管晶体管,解决碳纳米管均匀可控掺杂难题
其一,局部掺杂技术的可行性:实现准确的局部掺杂是一项具有挑战性的任务。对碳纳米管进行精确的局部掺杂,可以实现电学性质的调整,期间涉及到选择适当的掺杂剂、掺杂浓度和掺杂位置。同时,确保这些过程对于纳米管整体结构和性能的影响最小化,也是一个复杂的问题。其二,掺杂一致性:在制造过程中,确保在不同器件之间...
科学家打造碳纳米管晶体管,兼容已有半导体制程工艺,解决碳纳米管...
由于延伸区域的掺杂是局部性的,因此通道可以保持未掺杂的状态,这也是N型和P型器件均能兼容互补金属氧化物半导体(CMOS,ComplementaryMetalOxideSemiconductor)阈值电压的关键所在。此外,量化场效应晶体管通道中的载流子密度和迁移率,对于理解和优化器件的性能指标也是至关重要。
NPN型晶体管-IC电子元器件
NPN型晶体管是一种三极管,由三个不同掺杂的半导体材料组成(www.e993.com)2024年7月14日。它是最常见的晶体管类型之一,用于放大和开关电路中。NPN型晶体管具有很高的电流放大倍数和较低的输入电流要求,因此在电子电路中得到广泛应用。NPN型晶体管基本结构NPN型晶体管的基本结构由三个掺杂不同材料的半导体层构成,分别是P型半导体、N型半导体和P...
下一代功率晶体管
像任何二极管一样,他们的器件有一个p掺杂区和一个n掺杂区,两者之间有一个称为“结”的边界。这两个区域的掺杂都是通过分布式极化掺杂来实现的。更具体地说,掺杂是通过在合金中确定氮化铝相对于氮化镓的百分比梯度来实现的。掺杂是p型还是n型简单地取决于梯度的方向。
格力电器获得发明专利授权:“绝缘栅双极型晶体管及其制备方法”
该绝缘栅双极型晶体管结构包括:集电层,具有第一掺杂类型;漂移层,设置于集电层的一侧,且漂移层具有第二掺杂类型;栅极结构,设置于漂移层远离集电层的一侧;第一掺杂层,接触设置于漂移层远离集电层的一侧,第一掺杂层包括第一部分和第二部分,第一部分和第二部分之间具有第一间隔区域,第一间隔区域位于栅极结构靠近...
第三代半导体技术,迎来劲敌
????氮化铝通过分布式极化掺杂技术实现无掺杂剂分布和特定的极化,为功率器件制造提供了新的概念。????氮化铝晶体管的实验成功运行以及高温环境下的稳定性表现,为实现超低损耗功率器件和高温电子器件打下了基础。过去十年,半导体领域最大的故事之一就是电力电子领域意外超越传统硅的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN...
大型科普(三)为什么28nm光刻机上多曝也无法做到7nm?
栅极上加电压后,两个N型掺杂区域之间会形成导通区域,导通情况下晶体管就能被代表为1,不加电压后关断就可以表示成0,有了0和1就组成了计算机计算原理的本质——二进制原理。这个二进制原理就是微积分大神,莱布尼茨提出来的。这么多年来,摩尔定律一直在前进,晶体管在不断微缩,也就是说栅极距离在不断被拉进,并且...