如果把开关电源的频率无限提升,会发生什么?
那么对于这个mos管来说,它的极限开关频率(在这种极限情况下,mos管刚开通就关断)fs=1/(16+12+83+5)ns=8.6MHz,当然,在实际应用中,由于要调节占空比,不可能让开关管一开通就关断,所以实际的极限频率是远低于8.6MHz的,所以器件本身的开关速度是限制开关频率的一个因素。开关损耗当然,随着器件的进步,开关管开关...
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算
**此处的FSW代表的为mos管开关频率,QG则代表的是mos管寄生电容值(一般我们取最大值)。以该mos管的QG=170nc,FSW=500K为例计算:IG=500*170=85000uA=85mA(所以从此处可以看出,当开关频率越高时,栅极所需要的驱动电流越大),显然这样的电流不是我们一般IO管脚可以提供的,所以我们一般采用到了推挽电路(推挽电路...
开关电源电路设计的10个经验
首先,单独给控制IC供电,看看IC工作是否正常,主要看频率及MOS管的驱动信号,如果单独供电,IC都工作不正常的话,你如果直接上电后果是什么不用说了吧?IC单独供电正常后,我一般都是找一个带限流功能的直流输出电源给自己设计的电源供电,然后空载上电,看输出电压是否正常,由于直流输出电源带限流功能,所以即使存在问题也是...
这些MOS管广受好评,威兆历年拆解案例汇总_腾讯新闻
开关频率高,更高效,导阻为8.5m??。这款器件同样采用无铅无卤素工艺,符合RoHS规范,常用于输出VBUS开关管和输出电流采样。相关阅读:1、拆解报告:美富达100WUSBPD桌面快充充电器威兆VS3509AE威兆VS3506AE是一款增强型PMOS,耐压30V,采用PDFN3333封装,开关频率高,更高效,导阻为8m??。这款器件100%通过雪...
获联想、努比亚等知名品牌采用的硅动力电源芯片,你还不来看看
硅动力SP5620HP是一颗电流模式PWM控制芯片,内部集成650V耐压MOS管,开关频率为65KHz。SP5620HP在启动和工作时只需要很小的电流,可以使用较大的启动电阻,从而进一步减小待机时的功耗。芯片还内置跳频和抖频功能,能够减小待机功耗,改善EMI性能。1、拆解报告:T&W共进电子18WDC电源适配器...
碳化硅(SiC)MOS与超结(SJ)MOS和IGBT的性能及应用和器件选型方法
3、IGBT开关参数的选择变频器的开关频率一般小于10kHZ,而在实际工作的过程中,IGBT的通态损耗所占比重比较大,建议选择低通态型IGBT(www.e993.com)2024年8月1日。四.SiCMOSFET与SiSJ-MOSFET对比1.1静态特性表1:SiSJ-MOSFET和SiCMOSFET器件参数上表为SiSJ-MOSFET和SiCMOSFET器件的静态参数,可以看出SJ-MOSFETVGS(栅压)大于VTH(...
程华电子:DC-DC 转换器的系统设计
其中Rop和Ron由线性区MOS管的理论可得开关管的开关损耗由式(3-2)得其中Ctot为PMOS和NMOS总的等效寄生电容,并且开关管主要是处于线性区,因而有在忽略静态功耗PQ的情况下,转换器的功率损耗可以近似写为转换效率重写如下由上式可以发现转换器的功耗主要由开关管尺寸、负载电流和开关频率决定,在综合考虑转换...
这位大牛记录下了电路设计的全过程
其中,fsw为反激变换器的工作频率,KRF为电流纹波系数,其定义如下图所示:对于DCM模式变换器,设计时KRF=1。对于CCM模式变换器,KRF<1,此时,KRF的取值会影响到初级电流的均方根值(RMS),KRF越小,RMS越小,MOS管的损耗就会越小,然而过小的KRF会增大变压器的体积,设计时需要反复衡量。一般而言,设计CCM...
速看!大厂联想都在用的ACDC快充芯片你不来看看吗?
其利用MOS管极低的导通压降,消除肖特基二极管的压降损耗,降低温升提高效率。芯片支持系统工作在电流断续模式DCM,电流连续模式CCM,准谐振谷底导通模式QRM,临界导通模式CRM等多种工作模式。ETA8003x支持10-150KHz开关频率。ETA8003x的智能多重开通判定条件有效地防止了误开通,不开通的不良情况;3A大电流下拉和25ns关断...
一文搞懂IGBT
2、IGBT额定电流的选择以30kW变频器为例,负载电流约为79A,由于负载电气启动或加速时,电流过载,一般要求1分钟的时间内,承受1.5倍的过流,择最大负载电流约为119A,建议选择150A电流等级的IGBT。3、IGBT开关参数的选择变频器的开关频率一般小于10kHz,而在实际工作的过程中,IGBT的通态损耗所占比重比较大,建议选择低...