...减小接触电阻增大薄膜晶体管的开态电流提高存储器的读写速度

沿第一表面指向第二表面的方向,沟道层的导电率逐渐降低。通过设置沟道层的导电率可以减小接触电阻增大薄膜晶体管的开态电流提高存储器的读写速度。本文源自:金融界作者:情报员

...该存储器结构具有无串扰、低功耗、且读写速度满足电路需求的优势

所述存储器结构位于一个半导体衬底上,自下而上包括晶体管层、中间金属互连层、放大电容层和上层金属互连层,晶体管层包括并排放置的一个N型和一个P型低功耗双导器件,中间金属互连层包括接触孔、SN互连线通孔、金属互连线、接触孔间介质和金属互连线间介质,放大电容层包括下极板层、介质层和上极板层,上层金属互连层...

荣耀公司取得内存优化专利,提升内部存储器的读写速度,避免卡顿

此外,开启内存优化功能后,通过显示包括数据迁移选项的第一界面,从而能够便用户根据显示的数据迁移选项将内部存储器中的不同数据迁移选项对应的数据迁移到外部存储器,降低内部存储器的空间占用,从而提升内部存储器的读写速度,避免卡顿。金融界提醒:本文内容、数据与工具不构成任何投资建议,仅供参考,不具备任何指导作用。...

...方法、存储器、电子设备及读写方法专利,提高了数据的读取速度

本实施例提供的存储阵列、存储阵列制作方法及读写方法,器件层包括层叠设置的第一电极层、第一隔离层以及电极板,各第一电极层之间电连接。在数据读取时,可以向第一电极层和栅极柱供电,即可使栅极柱与各器件层形成的各存储晶体管均处于可读取数据的状态,此时通过电极板即可读取该电极板对应的存储晶体管内的数据,无需...

长鑫存储取得读写方法及存储器装置专利,大大提高了存储器装置的...

长鑫存储取得读写方法及存储器装置专利,大大提高了存储器装置的运行速度,大大,指向,长鑫存储,读写方法,存储器装置

HBM(高带宽存储器)简介

典型的DRAM中,每个芯片有八个DQ引脚(数据传输路径,用作处理器和存储器之间通信的数据总线,必须具备读写功能,所以具备双向特性),即数据输入/输出引脚(www.e993.com)2024年11月22日。组成DIMM模块单元后(双列直插式存储模块,安装在PCB板上的存储模块,包含多个存储芯片,被用作PC或者服务器中的主存储单元),共有64个DQ引脚。随着数据处理速度等方面的...

长鑫存储申请电源提供电路及存储器专利,提高存储器的读写速度

功能模块供电;第二电源提供模块被配置为,基于初始电压信号向第二电源网络提供第二电源电压;第一电源网络和第二电源网络的相应节点之间通过电压控制模块连接;电压控制模块基于电压控制信号导通,以通过第二电源电压拉高第一电源电压;以通过提供更大的电源电压以提高存储器相应功能模块的驱动能力,从而提高存储器的读写速度。

华大九天2024年半年度董事会经营评述

针对存储电路设计,该系统支持包括但不限于静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器以(DRAM)及闪速存储器(Flash)、磁随机存取存储器(MRAM)等多种类型的存储芯片设计。在设计存储电路时,需综合考虑数据的读写速度、功耗、可靠性及集成度等多方面因素,公司提供的存储电路全定制设计全流程EDA工具系统,提供从电路...

COMPUTEX 2024,得一微的存储看点:一切已成事,皆可再超越

该主控还通过先进的算法优化和硬件设计,实现了针对AI应用场景的自适应优化,为AI应用提供强大存储动力。在PC领域,得一微展示了新一代的PCIeGen3NVMe1.4SSD主控YS9205,采用得一微自研的NVMeIP,以及得一微自研的4K码长LDPC,顺序读写速度高达3600MB/s和3200MB/s。该主控采用DRAM-less无缓存设计,采用先进的...

万字聊聊汽车MCU芯片

MCU需要足够的内存来存储控制算法和数据,以及足够的RAM来处理实时数据。车规级MCU芯片的存储器通常包括RAM、ROM、FLASH等不同类型的内存,用于存储程序代码、数据和参数等信息。其中,ROM是固化在芯片内部的、只读的程序存储器,主要用于存储芯片自带的Bootstrap代码、芯片ID、供应商信息等。RAM是一种易失性存储器,用于...