...减小接触电阻增大薄膜晶体管的开态电流提高存储器的读写速度

沿第一表面指向第二表面的方向,沟道层的导电率逐渐降低。通过设置沟道层的导电率可以减小接触电阻增大薄膜晶体管的开态电流提高存储器的读写速度。本文源自:金融界作者:情报员

...该存储器结构具有无串扰、低功耗、且读写速度满足电路需求的优势

所述存储器结构位于一个半导体衬底上,自下而上包括晶体管层、中间金属互连层、放大电容层和上层金属互连层,晶体管层包括并排放置的一个N型和一个P型低功耗双导器件,中间金属互连层包括接触孔、SN互连线通孔、金属互连线、接触孔间介质和金属互连线间介质,放大电容层包括下极板层、介质层和上极板层,上层金属互连层...

荣耀公司取得内存优化专利,提升内部存储器的读写速度,避免卡顿

此外,开启内存优化功能后,通过显示包括数据迁移选项的第一界面,从而能够便用户根据显示的数据迁移选项将内部存储器中的不同数据迁移选项对应的数据迁移到外部存储器,降低内部存储器的空间占用,从而提升内部存储器的读写速度,避免卡顿。金融界提醒:本文内容、数据与工具不构成任何投资建议,仅供参考,不具备任何指导作用。...

长鑫存储取得读写方法及存储器装置专利,大大提高了存储器装置的...

金融界2024年3月28日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“读写方法及存储器装置“,授权公告号CN113495670B,申请日期为2020年4月。专利摘要显示,本发明提供一种读写方法及存储器装置,所述读写方法为,对存储器装置施加读命令,所述读命令指向地址信息,从所述读命令所指向的地址信息对应的...

...方法、存储器、电子设备及读写方法专利,提高了数据的读取速度

金融界2024年3月29日消息,据国家知识产权局公告,华为技术有限公司申请一项名为“存储阵列及其制作方法、存储器、电子设备及读写方法“,公开号CN117794247A,申请日期为2022年9月。专利摘

HBM(高带宽存储器)简介

典型的DRAM中,每个芯片有八个DQ引脚(数据传输路径,用作处理器和存储器之间通信的数据总线,必须具备读写功能,所以具备双向特性),即数据输入/输出引脚(www.e993.com)2024年11月22日。组成DIMM模块单元后(双列直插式存储模块,安装在PCB板上的存储模块,包含多个存储芯片,被用作PC或者服务器中的主存储单元),共有64个DQ引脚。随着数据处理速度等方面的...

长鑫存储申请电源提供电路及存储器专利,提高存储器的读写速度

功能模块供电;第二电源提供模块被配置为,基于初始电压信号向第二电源网络提供第二电源电压;第一电源网络和第二电源网络的相应节点之间通过电压控制模块连接;电压控制模块基于电压控制信号导通,以通过第二电源电压拉高第一电源电压;以通过提供更大的电源电压以提高存储器相应功能模块的驱动能力,从而提高存储器的读写速度。

新兴存储,冰火两重天

高速读写:FeRAM的读写速度相对较快,存取时间通常在50ns左右,循环周期约为75ns,这使得它在需要快速数据访问的场合具有优势;寿命长:FeRAM具有较高的读写耐久性,通常能够达到数十亿次的读写循环,远超过传统的EEPROM和闪存;低功耗:由于FeRAM在存储数据时不需要额外的电源来维持数据状态,因此功耗相对较低;...

复旦微电2023年年度董事会经营评述

产品覆盖存储卡、高频/超高频标签、NFCTAG、接触式/非接触式/双界面智能卡、安全SE芯片、安全MCU芯片、非接触读写器机具以及移动支付等数十款产品,是国内安全与识别芯片产品门类较为齐全的供应商之一。2.2非挥发存储器复旦微电的存储芯片产品线可提供多种接口、各型封装、全面容量、高性价比的非挥发存储器产品,...

数据存储技术发展趋势概览!

可擦除可编程的只读存储器(ErasableProgrammableROM,EPROM)是一种以读为主的可读写的存储器,可多次编程;EPROM比MROM和可编程的只读存储器(ProgrammableROM,PROM)更方便、灵活,但EPROM速度较慢。图4ROM种类可电擦除可编程的只读存储器(ElectricallyErasableProgrammableROM,EEPROM)是一种支持电可擦除和即...