高端封装技术:攻克存储器系统性能和容量限制

需要指出的是,SK海力士凭借业界领先的TSV堆叠技术引领市场发展,这其中包括高带宽存储器(HBM)封装存储器解决方案,以及用于服务器的高密度存储器(HDM)三维堆叠(3DS)技术图2。2016年,SK海力士率先应用批量回流焊(massreflow)工艺??,将4块50um厚芯片相互堆叠,并结合TSV堆叠技术,成功开发出一款服务器专用3DS存储...

AI内存瓶颈(下):DRAM与HBM

存储芯片市场中,基于闪存Flash技术的NAND是主要外部存储器,而DRAM是主要的内部存储器,二者共同占据整个半导体存储市场超过97%的份额,也在各自的领域扮演着相当重要的角色。上一篇我们梳理了NAND,本篇接着梳理内存芯片DRAM。在AI推动的算力需求爆发中,GPU无疑是算力体系中最核心、受到关注最多、销量增长最快的细分赛道...

宁波哈德教育小自考:2009年高等教育自考微型计算机原理及应用

27.存储器的存储速度可以用两个时间参数表示,一个是___,另一个是___.28.8086有两条中断请求线,它们是___和___.29.当总线上所接负载超过总线的负载能力时,必须在总线和负载之间加接___或___.30.8位二进制补码11111111B表示的十进制数真值为___,8位二进制反码11111111B表示的十进制数真值为___....

美国能源部发布《聚变能源战略2024》,支持拜登政府聚变能源十年...

日本铠侠公司将引入低温蚀刻技术,可加速存储芯片制造据全球半导体观察网6月6日消息,日本存储器大厂铠侠近日宣布,将从其第10代NAND产品开始,在制程中引入低温蚀刻这一前沿技术,进一步提升生产效率。据悉,铠侠计划于2026年量产第10代NAND。低温蚀刻技术允许在更低温的环境下进行蚀刻,从而加速存储单元间的存储通孔形成。相...

精智达2023年年度董事会经营评述

半导体存储器测试技术门槛主要体现在以下方面:第一,技术方面的难度比较大,由于半导体存储器测试的负荷大,在测试速度、时序精度、并行通道数量以及测试功能等方面的要求高于其它半导体测试设备;半导体存储器的测试过程中包含修复操作,需要专门的软件和算法配合;除此之外,半导体存储器的测试实现需要依赖于整个系统,相应地对探...

车规级汽车 MCU 详解

这个功能安全等级的MCU国内属于空白(www.e993.com)2024年11月17日。除了功能安全等级,底盘域零部件的应用场景对MCU的主频、算力、存储器容量、外设性能、外设精度等方面均有非常高的要求。底盘域MCU形成了非常高的行业壁垒,需要国产MCU厂商去挑战和攻破。供应链方面,由于底盘域零部件需要控制芯片具有高主频、高算力的要求,这对晶圆生产的工艺和制程...

复旦微电: 上海复旦微电子集团股份有限公司向不特定对象发行可...

闪存??????????????????????????????指??????除、写入的技术属性,属于存储器中的大类产品。相对于硬??????????????????????????????????????????盘等机械磁盘,具备读取速度快、功耗低、抗震性强、体积??????????????????...

锦州神工半导体股份有限公司 2023 年年度报告

DynamicRandomAccessMemory,DRAM是一种内存产品,用DRAM指于存储计算机系统中的数据和程序.它是一种随机访问存储器,数据可以随时被读取和写入,但需要定期刷新以维持存储的数据Negative-AND,NAND是一种非易失性存储器技术或产品,通NAND指常用于闪存存储器中,如SSD和闪存卡.它具有高密度,低成...

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SoC通常内置中央处理器(CPU)和图形处理器(GPU),并根据使用场景的需要增加图像信号处理器(ISP)、神经网络处理器(NPU)、多媒体视频编解码器及音频处理器等处理内核。此外,在芯片内部还设置有高速总线负责各个处理器和外部接口的数据传输;同时还要配备闪存接口、动态存储器接口、显示接口、网络接口以及各种高速、低速外部...

新材料行业专题报告:先进制造突围,靶材蓄势待发

5.新一代存储技术,或催生靶材需求5.1.记录靶材,可用于新一代磁存储器磁记录用靶材在磁盘的介质和磁头部分均有应用。磁盘的记录介质层通常采用靶材溅射成磁性薄膜形成,包括记录层、中间层和衬层。当没有外部磁场作用时,记录层的磁极无序,而当受到磁头磁场作用时,记录层磁极方向变为与磁场同向,从而存储...