技术|航空和航天应用需要怎样的SiC功率器件?
看STM32研讨会直播,领STM32开发板(无需注册)飞机、航天和卫星系统的功率转换要求一直在快速发展。趋势是更小、更轻、更高效的转换器提供更高的功率和电压水平。宽禁带半导体(例如碳化硅和氮化镓)在功率转换器中具有多种优势,例如更高的功率密度和效率,因此非常适合太空应用。需要仔细考虑这些WBG设备的抗辐射性。
中国芯再破纪录!沟槽型碳化硅MOSFET芯片颠覆行业格局
沟槽型碳化硅MOSFET芯片的横空出世,犹如为半导体行业打开了一扇崭新的大门。其设计巧妙地采用沟槽栅结构,相较于平面栅结构,实现了显著的性能飞跃:更低的导通损耗、更高的开关性能以及更密集的晶圆布局。这些特性不仅极大地降低了芯片使用成本,更为重要的是,它们为新能源汽车的续航能力提升、智能电网的效能优化等实际应用...
燕东微(688172.SH):消费类沟槽型IGBT、车规级IGBT完成开发并实现...
多款产品产出优化后的样品,MOSFET工艺平台完成部分关键工艺优化;(2)IGBT技术升级项目:消费类沟槽型IGBT、车规级IGBT完成开发并实现批量生产;(3)沟槽分离栅MOSFET(SGT)工艺平台开发项目:100VSGT已实现量产,目前正在结合快充应用场景对现有技术平台进行迭代升级和拓展;(4)热成像工艺平台开发项目...
东海研究 | 电子:华为官宣Mate XT预热新品发布会,IFA 2024掀起AI...
国家第三代半导体技术创新中心(南京)历时4年自主研发,成功攻关沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造关键技术,打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”,实现我国在该领域的首次突破。沟槽型碳化硅MOSFET芯片较平面型提升导通性能30%左右,目前中心正在进行沟槽型碳化硅MOSFET芯片产品开发,推出沟槽型的碳化硅功率器件,预...
驻马店开发区数字城管指挥中心积极发挥指挥棒作用 快速处置沟槽...
近日,驻马店开发区数字城管指挥中心接到市智管中心采集派遣的金骏街玖隆茂门前沟槽盖板缺失,存在较大安全隐患的案件后,高度重视,第一时间根据职权划分派遣至属地金河办事处,通知爱克物业处理。物业回复暂时没有相匹配的盖板,无法快速更换处理。考虑到玖隆茂商业街人流量较大,盖板破损缺失又存在较大的安全隐患的问题,开...
H16200指针内卡规 德国kroeplin内卡规ID80200大尺寸沟槽直径测量
测量深度为720毫米(www.e993.com)2024年9月16日。该卡规具有良好的耐磨性和抗腐蚀性。指针式显示方式直观易读。附有护套,便于携带和存放。H16200内径卡规主要用于测量零件的内径。在机械制造、汽车制造、航空航天等领域都有广泛应用。使用H16200内径卡规时,应注意以下事项:测量前应检查卡规是否完好无损。
1:1.5放坡是什么意思
在建筑工程中,"1:1.5放坡"是指在进行基坑、沟槽开挖时,为了保证边坡的稳定,按照每1米的垂直高度设置1.5米的边坡。也就是说,如果基坑或沟槽的深度是1米,那么需要预留出1.5米的边坡宽度。这样可以有效防止边坡塌方或者滑坡现象的发生,确保工程的安全和稳定。
工程服务取费标准2024版
消防工程指室内消火栓系统、消防喷淋系统、防排烟系统、气体泡沫灭火系统、火灾自动报警及消防联动系统等;智能化工程指综合布线系统、安全技术防范系统、建筑设备监控系统、广播会议系统、背景音乐系统、智能化集成系统等;室外设施指道路、水电沟槽、广场、停车场、场地硬化、边坡支护等;...
德国KROEPLIN指针式内径卡规H440 沟槽测量内卡规40-90mm内径测量
H440内径卡规是一款由Kroeplin公司位于德国制造的专业内径测量工具。该卡规的测量范围为40.00至90.00毫米,指示精度为0.05毫米,测量深度达到192毫米。测量范围该卡规的测量范围适用于较大内径的测量需求。指示精度卡规具备0.05毫米的指示精度,满足精密测量要求。
全球芯片关键技术研究最新进展
了解4H-SiC沟槽通过外延填充的机制对于开发可重复的SJ器件结构制造工艺至关重要,这可以克服当前基于4H-SiC的功率器件的限制。破局第四篇:第四代半导体第四代半导体是指氧化镓(Ga2O3)、金刚石(C)、氮化铝(AlN)等超宽禁带半导体材料,以及锑化镓(GaSb)、锑化铟(InSb)等超窄禁带半导体材料。其中氮化铝...