2024 汽车芯片创新成果典型案例新鲜出炉,来看看他们都是谁

Z20K11xN系列最高可提供两块物理独立的大容量Flash(256KB程序存储+128KB数据存储,128K数据存储也可以用于存储程序),片上集成丰富外设提供灵活的扩展功能,包括高达16路适用于数据传输的DMA,4路支持LINFrame的UART,3路SPI,2路I2C,两路CAN/CAN-FD。应用支持方面,Z20K118N支持GNU,IAR,KEIL等开发调试环境,客户可...

德明利: 深圳市德明利技术股份有限公司向特定对象发行股票并在...

速发展,市场中存储当量的供给和需求都在快速增长,存储晶圆价格可能因上下游技术进步及存储原厂产能扩张计划等变化发生短期的供给过剩或不足。假设其他因素保持不变,当原材料价格每上涨??5%时,将导致公司报告期内主营业务成本分别上升??4.46%、4.01%、4.09%和??4.75%,主营业务毛利率分别下降??3.55、3.32...

一文读懂随机存取存储器(RAM)的一切

随机存取存储器,也就是RAM,在从台式电脑到智能手机的各类设备中都是关键组件。RAM是一种高速的短期存储解决方案,能让应用程序、游戏以及操作系统本身迅速获取重要信息。这为其节省了从速度慢很多的存储设备(比如硬盘和固态硬盘)中检索数据的时间。不过,和您设备里的其他组件一样,RAM也有许多不同的类型。RAM的...

英飞凌扩展集成嵌入式纠错码的抗辐射异步静态随机存取存储器产品线

这些半导体器件的存取时间短至10ns,是目前速度最快的选择。此外,它们还为最高的密度和最低的静态电流提供了最小的占板面积。RADSTOP存储器解决方案扩展了整个系统的计算极限,同时具备尺寸、重量和功耗优势以及更大的设计灵活性。供货情况英飞凌的抗辐射静态随机存取存储器(SRAM)现已上市。(8518042)...

英飞凌宣布推出采用抗辐射(rad hard)异步静态随机存取存储器

这些半导体器件的存取时间短至10ns，是目前速度最快的选择。此外，它们还为最高的密度和最低的静态电流提供了最小的占板面积。RADSTOP存储器解决方案扩展了整个系统的计算极限，同时具备尺寸、重量和功耗优势以及更大的设计灵活性。供货情况英飞凌的抗辐射静态随机存取存储器（SRAM）现已上市。（刘立庆）

AI大模型需要新型存储器!北京大学唐克超老师谈FeRAM铁电存储器...

FTJ即基于隧穿结的铁电存储器,目前主要处于前沿研究阶段(www.e993.com)2024年11月25日。FTJ面临的主要挑战是其较小的读电流,这限制了其速度潜力。尽管如此,FTJ在神经形态计算等低功耗应用中显示出巨大潜力。对于FeFET的科研创新,唐克超老师分享说:“面临的最大挑战是耐久性问题,即在反复编程和擦写后性能衰减。”唐克超老师表示,铁电材料的极化状...

iPhone 16系列存储器全面解读

传输速度LPDDR5：最大数据传输速率为6400Mbps。LPDDR5X：最大数据传输速率为8533Mbps，比LPDDR5快了约14%以上。LPDDR5X能够在更短的时间内处理更多的数据，提升整体性能，特别是在多工、游戏等需要大量存储器频宽的场景。功耗LPDDR5：工作电压为1.1V。LPDDR5X：在提供更高速度的同时，也通过优化设计降低了功耗...

存储芯片,这一品类最赚钱

DRAM即动态随机存取存储器，是最为常见的系统内存。DRAM只能将数据保持很短的时间，为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。按照产品分类，DRAM主要分为DDR、LPDDR、GDDR及新型存储HBM。DDR（DoubleDataRate）即双倍速率同步动态随机存取...

SRAM概念发酵,Groq计算速度超越英伟达?睿能科技4连板

不少存储界专业人士给出的答案是:No!据了解,内存主要分为DRAM动态随机存储器和SRAM静态随机存储器。目前,HBM是AI芯片领域广泛使用的一种高性能DRAM。与DRAM相比,SRAM的优点是速度快(高存取速度),但缺点同样明显,那就是太贵了。根据Groq介绍,一张LPU配备一块SRAM,内存容量为230MB。一张LPU卡的售价超过2万美...

下一个“黑马”赛道,MRAM存储器市场蠢蠢欲动

理论上讲,MRAM,全称是MagnetoresistiveRandomAccessMemory,是一种非易失性(Non-Volatile)的磁阻式随机存取存储器,是一种基于隧穿磁阻效应的技术,属于当前新型存储器技术之一(下表为新型存储技术关键指标对比)。图表来源:全球半导体观察制表从特性上看,MRAM具备读写次数无限、写入速度快(写入时间可低至2.3n)、功...