计算速度超越英伟达的 Groq,凭什么这么惊奇?
SRAM中文是静态随机存取存储器,DRAM就是动态存储器。SRAM是用触发器来存储信息,而且不需要对数据进行刷新,也可以同时送"行、列"地址。而DRAM是用电容存储数据,需要刷新来保持数据,不然数据会丢失。行、列地址也是分两次送的。所以,结果就是,SRAM运行速度要显著快于DRAM。为什么LPU采用SRAM,...
史上最快大模型诞生,Groq自研芯片参数超英伟达(附股)
其次,在算力上,Groq的芯片提供了高达750TOPs的整型(8位)运算速度和188TFLOPs的浮点(16位)运算速度,让处理大规模数据变得轻而易举。重视SRAM(静态随机存取存储器),下一个HBM探索人工智能的旅程中,两种技术路线的对决就像是速度与效率的较量。英伟达的GPU技术,长久以来被誉为数据处理的高速公路,依靠高带宽存储器(H...
DRAM技术,迎来新进展
标准型DDR,即DDRSDRAM,又称双倍数据率同步动态随机存取存储器,它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据传输速度得以加倍。在性能和成本优势下,DDRSDRAM成为了目前电脑和服务器中用的最多的内存。环顾DDR内存技术发展历程,从最初KB到GB的跃进,从单条1GB到单条16GB、32GB的进化,从古老的SIMM到DDR的出现,再...
新型自旋转移矩磁性随机存储器:写入速度达14纳秒!
近日,日本东北大学的科研团队成功开发出存储密度达128Mb的自旋转移矩-磁性随机存储器(STT-MRAM),写入速度达14纳秒,可作为物联网和人工智能中用到的缓存使用。它是目前世界上存储密度超过100Mb的嵌入式存储器中写入速度最快的。背景人类正处于一个“信息大爆炸”的时代。我们平时使用的计算机与电子产品都需要处理大...
半导体市场“大萧条”:韩国芯片库存以27年来最快速度堆积
财联社3月2日讯(编辑卞纯)全球半导体市场正遭遇历史性的寒冬。作为全球最重要的半导体生产国之一,韩国1月份半导体库存以近27年来最快的速度增长,突显出科技行业的低迷。这令韩国的经济增长前景再度蒙阴。韩国统计局周四在一份声明中表示,芯片库存较一个月前猛增28%,为1996年2月以来的最大增幅。与一年前相比...
ReRAM新型存储器如何影响未来存储格局?
第一类易失性存储器是以动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)代表的易失性存储器,二者均具备高读写速度(www.e993.com)2024年7月11日。其中SRAM速度高于DRAM,但密度低于DRAM,这是因为一个DRAM存储单元仅需一个晶体管和一个小电容,而每个SRAM单元需要四到六个晶体管。其共同的缺点是容量较低且成本高,一般分别用作主存和缓存。
超越速度极限 金士顿USB3.0优盘首测
通过对4KB小文件的读写测试,金士顿DTUltimate64GBUSB3.0优盘4KB文件平均速度为5.222MB/秒,1MB文件的传输速率最高,平均速度高达76.422MB/秒,而在随机存取测试中,金士顿DTUltimate64GBUSB3.0优盘可以达到68.835MB/秒。产品:DTU30(64GB)金士顿U盘ATTO测试:最快写入高达70MB/秒...
手机ram是什么意思?手机ram详情分析
高访问速度现代的随机存取存储器几乎是所有访问设备中写入和读取速度最快的,取存延迟也和其他涉及机械运作的存储设备相比,也显得微不足道。需要刷新现代的随机存取存储器依赖电容器存储数据。电容器充满电后代表1(二进制),未充电的代表0。由于电容器或多或少有漏电的情形,若不作特别处理,数据会渐渐随时间流失。
手机上 UFS/eMMC/LPDDR 究竟是什么?科技美学带你一文看懂
DDR是内存发展到现在的一种类型,严格来讲,DDR应该叫DDRSDRAM:双倍数据率同步动态随机存取存储器(英语:DoubleDataRateSynchronousDynamicRandomAccessMemory,简称DDRSDRAM,人们习惯称为DDR)为具有双倍数据传输率的SDRAM,其数据传输速度为系统时钟频率的两倍,由于速度增加,其传输性能优于传统的SDRAM。
Ameya:随机存储器是什么 随机存储器有哪些特点
3.高访问速度现代的随机存储器几乎是所有访问设备中写入和读取速度最快的,取存延迟也和其他涉及机械运作的存储设备相比,也显得微不足道。4.需要刷新现代的随机存储器依赖电容器存储数据。电容器充满电后代表1(二进制),未充电的代表0。由于电容器或多或少有漏电的情形,若不作特别处理,数据会渐渐随时间流失...