长鑫存储公司获半导体存储器专利,为行业创新注入新动力

根据公开信息,半导体存储器的创新主要体现在其存储密度、读写速度和能效比等几个关键指标上。长鑫存储的研发团队致力于解决传统存储器在这些方面的技术瓶颈。例如,提升存储密度能够使得更少的物理空间容纳更多数据,这对智能手机、平板电脑和服务器等移动设备来说,是至关重要的。除了存储器的物理特性外,长鑫存储还在研发...

“电脑内存条”10个有趣的冷知识,不同品牌内存卡,内部差异很大

内存卡的速度直接决定了你的设备能多快地读取或写入数据,尤其是在使用高端相机拍摄高分辨率照片或4K视频时,速度的重要性体现得更加明显。内存卡的读写速度通常分为三个等级:普通速度(Class)、超高速(UHS)和视频速度(V系列)。比如Class10表示最低写入速度为10MB/s,而UHS-IU3表示速度达到30MB/s,V90则表示支持...

国产科技之光最大容量新型存储器芯片存10GB高清电影仅需1秒

**事件**：发布会现场，企业负责人详细介绍了这款新型存储器芯片的研发背景、技术特点及未来应用前景。据介绍，该芯片采用了全新的存储架构与材料技术，实现了存储容量与读写速度的双重飞跃。其最大亮点在于，相比传统存储器，其写入和读取速度提升了数百倍，达到了前所未有的高度。**原因**：面对全球半导体行业的激...

【研报】HBM产业链专题报告:国内AI发展胜负手,国产化迫在眉睫

DRAM是动态随机存取存储器,相较于SRAM,DRAM的特征是读写速度快、延迟低,但掉电后数据会丢失,常用于计算系统的运行内存。根据中商产业研究院预测,2024年DRAM整体市场规模约为780亿美元。DRAM市场集中度很高,CR3达95%以上。目前DRAM晶圆的市场供应主要集中在三星、海力士和美光。截止2024年6月三大厂商市场占有率...

外国机构看中国芯片:制造设备滞后西方6年,技术却超前发展

然而近期，TechInsights在分析长江存储新发布的SSD时意外发现，其中竟然运用了Xtacking4.0技术，该技术的独特之处在于能够显著提升SSD的读写速度和能效比。长江存储作为国内闪存存储器领域的一颗璀璨新星，能够在短时间内取得如此卓越的技术成果，已经令人刮目相看。更何况，尽管我们知道长江存储在SSD中采用了Xtacking4.0...

纳米氧化钨在半导体存储器中的应用

相比传统的半导体存储器,如DRAM和闪存等,基于纳米氧化钨的存储元件展现出了更为优异的性能:一是其响应速度更快,能够迅速完成数据的读写操作;二是纳米氧化钨材料具有更好的稳定性,能够长时间保持数据的完整性;三是其存储密度也更高,为实现更大容量的存储器提供了可能(www.e993.com)2024年11月26日。

铠侠EXCERIA PLUS G2评测:轻便高速的存储大师

04实际测试中,铠侠XD20的顺序读写速度分别为1050MB/s和1000MB/s,满足绝大多数用户的需求。05此外,铠侠XD20还配备有专业的官方存储管理软件铠侠SSDUtility,提高用户的使用体验。以上内容由腾讯混元大模型生成,仅供参考1开篇随着手机等移动设备对PSSD支持越来越好的当下,固态移动硬盘正逐渐从小众走向主流,目前各...

三星70亿美元股票回购助推股价反弹,AI热潮波及厂商 fortunes

目前,AI技术在消费电子、数据处理、云计算等多个领域的渗透越来越深。例如,利用AI优化的图像处理技术,使得智能手机的摄影质量大幅提升,用户体验显著增强。而在数据存储方面,AI的应用能够通过智能算法,提高存储设备的读写速度和效率,帮助企业更好地应对日益增长的数据处理需求。

AI大模型需要新型存储器!北京大学唐克超老师谈FeRAM铁电存储器...

近年来随着专利过期,才得以在民用市场不断突破创新。MRAM是当前主流非易失性存储器中能与DRAM和SRAM读写速度相提并论的存储器,能满足从缓存到内存的非易失存储需求。MRAM有望根据不同的带宽需求逐步替代现有的不同类型的存储器,如SRAM、DRAM以及Flash等。

全球闪存峰会预热:铁电存储器观察

1.读写速度快:FRAM的读写速度接近SRAM,显著快于NAND闪存。2.寿命长:FRAM的写入寿命非常高,适合频繁读写的应用。3.功耗低:FRAM在读写过程中消耗的能量非常低。4.可靠性高:FRAM在高温、高压等极端环境下表现稳定。铁电存储器(FeRAM)市场目前的主要参与企业包括英飞凌(收购赛普拉斯半导体)、富士通、德州仪器、...