存储器新技术:FeRAM的高可靠性和无延迟

●高速读写:FeRAM能够实现纳秒级的数据读写速度,这在需要快速存取数据的应用中极为关键。例如,在智能电网或工业自动化控制中,数据存储的延迟可能导致系统反应滞后,而FeRAM的高读写速度确保了数据的及时传输。●高耐久性:FeRAM具有超高的写入耐久性,读写次数达到1013到1014次,几乎可视为无限次写入。这种特性在需要...

长鑫存储公司获半导体存储器专利,为行业创新注入新动力

根据公开信息,半导体存储器的创新主要体现在其存储密度、读写速度和能效比等几个关键指标上。长鑫存储的研发团队致力于解决传统存储器在这些方面的技术瓶颈。例如,提升存储密度能够使得更少的物理空间容纳更多数据,这对智能手机、平板电脑和服务器等移动设备来说,是至关重要的。除了存储器的物理特性外,长鑫存储还在研发...

【研报】HBM产业链专题报告:国内AI发展胜负手,国产化迫在眉睫

NANDFlash是非易失性存储的一种,相较于其他非易失性存储产品,NANDFlash具有存储容量大、读写速度快、功耗低、单位成本低等特点,主要应用于有大容量存储需求的电子设备。据中商产业研究院预测,2024年NANDFlash市场规模为656.1亿美元。NANDFlash市场集中度很高,CR5达95%以上。目前全球具备NANDFlash晶圆生...

国产科技之光最大容量新型存储器芯片存10GB高清电影仅需1秒

**事件**：发布会现场，企业负责人详细介绍了这款新型存储器芯片的研发背景、技术特点及未来应用前景。据介绍，该芯片采用了全新的存储架构与材料技术，实现了存储容量与读写速度的双重飞跃。其最大亮点在于，相比传统存储器，其写入和读取速度提升了数百倍，达到了前所未有的高度。**原因**：面对全球半导体行业的激...

外国机构看中国芯片:制造设备滞后西方6年,技术却超前发展

然而近期，TechInsights在分析长江存储新发布的SSD时意外发现，其中竟然运用了Xtacking4.0技术，该技术的独特之处在于能够显著提升SSD的读写速度和能效比。长江存储作为国内闪存存储器领域的一颗璀璨新星，能够在短时间内取得如此卓越的技术成果，已经令人刮目相看。更何况，尽管我们知道长江存储在SSD中采用了Xtacking4.0...

液态金属存储器:在溶液中如大脑般读写信息

随着技术的进步,静态随机存储器(SRAM)、动态随机存储器(DRAM)、闪存存储器(NAND和NOR)、带电可擦可编程只读存储器(EEPROM)等相继问世,持续改善和优化了存储器的存储密度、读写速度、使用寿命、功耗和可靠性等性能指标,使得半导体存储器成为现代计算机系统中不可或缺的组成部分,被广泛应用于电子设备和存储单元等领域...

德明利: 深圳市德明利技术股份有限公司向特定对象发行股票并在...

速发展,市场中存储当量的供给和需求都在快速增长,存储晶圆价格可能因上下游技术进步及存储原厂产能扩张计划等变化发生短期的供给过剩或不足。假设其他因素保持不变,当原材料价格每上涨??5%时,将导致公司报告期内主营业务成本分别上升??4.46%、4.01%、4.09%和??4.75%,主营业务毛利率分别下降??3.55、3.32...

铠侠EXCERIA PLUS G2评测:轻便高速的存储大师

04实际测试中,铠侠XD20的顺序读写速度分别为1050MB/s和1000MB/s,满足绝大多数用户的需求。05此外,铠侠XD20还配备有专业的官方存储管理软件铠侠SSDUtility,提高用户的使用体验。以上内容由腾讯混元大模型生成,仅供参考1开篇随着手机等移动设备对PSSD支持越来越好的当下,固态移动硬盘正逐渐从小众走向主流,目前各...

AI大模型需要新型存储器!北京大学唐克超老师谈FeRAM铁电存储器...

FTJ即基于隧穿结的铁电存储器,目前主要处于前沿研究阶段。FTJ面临的主要挑战是其较小的读电流,这限制了其速度潜力。尽管如此,FTJ在神经形态计算等低功耗应用中显示出巨大潜力。对于FeFET的科研创新,唐克超老师分享说:“面临的最大挑战是耐久性问题,即在反复编程和擦写后性能衰减。”唐克超老师表示,铁电材料的极化状...

全球闪存峰会预热:铁电存储器观察

1.读写速度快:FRAM的读写速度接近SRAM,显著快于NAND闪存。2.寿命长:FRAM的写入寿命非常高,适合频繁读写的应用。3.功耗低:FRAM在读写过程中消耗的能量非常低。4.可靠性高:FRAM在高温、高压等极端环境下表现稳定。铁电存储器(FeRAM)市场目前的主要参与企业包括英飞凌(收购赛普拉斯半导体)、富士通、德州仪器、...