起底RAMXEED:一场关于铁电随机存储器(FeRAM)的革

FeRAM同时结合了易失性存储器、非易失性存储器的特点。首先,FeRAM的读写速度达到纳秒级,远超NORFlash和EEPROM;其次,FeRAM的读写耐久性极高,读写次数有1014之多,某种程度上相当于无限次读写,这是EEPROM和NORFlash所无法比拟的;最后,FeRAM还具有低功耗的特点。基于这些特点,FeRAM虽然目前份额不大,但却因为...

2024 年全球存储器市场销售额有望增长 61.3%,新型存储器迎来发

FeRAM的读写速度为纳秒级，远高于NORFlash。读写次数达到1014或1013次，从某种意义上相当于无限次。不过NORFlash一般都有使用次数的限制。基于这两个特性，FeRAM可用于实时写入、掉电保护等需要快速非易失性存储且读写次数较多的应用场景（如智能卡、计量设备、汽车中的事件数据记录器）。具有不可替代的绝对优势。

新存科技公布国产最大容量新型 3D 存储器芯片参数:最高 IO 速度...

可以看到NM101采用SLC存储单元类型,最高IO速度(I/O接口速率)3200MT/s,总线位宽为×8,IO为1.2V,支持0℃~+70℃运行温度。新存科技表示NM101基于新型材料电阻变化原理,支持随机读写,相比同类产品读写速度均可提升10倍以上、寿命也可增加5倍,可搭配业界合作伙伴的控制芯片,应用于企业级...

新存科技公布国产新型 3D 存储器参数:最高 IO 速度 3200MT/s

可以看到NM101采用SLC存储单元类型,最高IO速度(I/O接口速率)3200MT/s,总线位宽为×8,IO为1.2V,支持0℃~+70℃运行温度。新存科技表示NM101基于新型材料电阻变化原理,支持随机读写,相比同类产品读写速度均可提升10倍以上、寿命也可增加5倍,可搭配业界合作伙伴的控制芯片,应用于企业级...

打破国际垄断!国产最大容量新型存储器芯片面世:存10GB仅需1秒

快科技10月2日消息,据媒体报道,新存科技自主研发的国产最大容量新型三维存储器芯片“NM101”面世,有望结束国际巨头的长期垄断局面。新存科技总经理刘峻透露,“NM101”芯片的容量达到64GB,是国内同类产品的数十倍,同时支持随机读写。与国内现有同类产品相比,其存储速度提升了10倍以上,使用寿命增加了5倍,意味着使...

...方法、存储器、电子设备及读写方法专利,提高了数据的读取速度

金融界2024年3月29日消息,据国家知识产权局公告,华为技术有限公司申请一项名为“存储阵列及其制作方法、存储器、电子设备及读写方法“,公开号CN117794247A,申请日期为2022年9月(www.e993.com)2024年11月26日。专利摘

长鑫存储取得读写方法及存储器装置专利,大大提高了存储器装置的...

金融界2024年3月28日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“读写方法及存储器装置“,授权公告号CN113495670B,申请日期为2020年4月。专利摘要显示,本发明提供一种读写方法及存储器装置,所述读写方法为,对存储器装置施加读命令,所述读命令指向地址信息,从所述读命令所指向的地址信息对应的...

MRAM,新兴的黑马

铁电存储器(FRAM/Feram)利用铁电材料的极化特性来存储数据,具有读写速度快、功耗低、非易失性等优点,在一些对读写速度和功耗要求较高的嵌入式系统中有应用。在存储技术不断创新的浪潮中,磁性随机存储器(MRAM)作为一种新型存储技术脱颖而出。首先,它兼具非易失性和高速读写的特性。与传统的非易失性存储技术相...

全新AI芯片速度比英伟达GPU快十倍!SRAM龙头连续20CM涨停 受益公司...

全新AI芯片速度比英伟达GPU快十倍!SRAM龙头连续20CM涨停受益公司梳理采用LPU技术路线的全新AI芯片横空出世,推理速度较英伟达GPU提高10倍,其采用目前读写最快的存储设备之一SRAM。A股方面,采用算法图形和APG技术实现对SRAM读写擦除功能自动测试的西测测试收盘20CM涨停两连板,2月6日迄今股价累计最大涨幅达99.43%;主...

这篇文章,把新型存储说清楚了

MRAM具有最好的读写速率和使用寿命,从理论上有机会替代现有内存和外存,但是由于涉及量子隧穿效应,大规模制造难以保证均一性,存储容量和良率爬坡缓慢。在工艺取得进一步突破之前,MRAM的产品主要适用于容量要求低的特殊应用领域以及新兴的IoT嵌入式存储领域。