联发科技申请管理通过第二存储器访问第一存储器的专利,提升存储器...
对该第一存储器的访问速度为第一速度,该第一存储器包括第一组数据区块,对该第二存储器的访问速度为与该第一速度不同的第二速度,且该第二存储器包括第二组数据区块,该方法包括:将数据从该第一存储器中的该第一组数据区块中的一个或多个数据区块顺序地自动复制到该第二存储器中的该第二组数据区块中对应的一...
CHIPS法案的资助推动了高密度、高速混合增益单元存储器的研究
SRAM的读取速度更快,但单元相对较大,由多个晶体管组成。斯坦福团队的增益单元存储器结合了DRAM的小尺寸和SRAM的快速度。增益单元与DRAM相似,但使用第二个晶体管而不是电容器来存储数据。数据以电荷的形式存储在第二个晶体管的栅极上,栅极是一种电容结构,可控制通过晶体管的电流。普通DRAM中的电...
全新AI芯片速度比英伟达GPU快十倍!SRAM龙头连续两个20CM涨停,受益...
财联社2月21日讯(编辑若宇)采用LPU技术路线的全新AI芯片横空出世,推理速度较英伟达GPU提高10倍,其采用目前读写最快的存储设备之一SRAM。A股方面,采用算法图形和APG技术实现对SRAM读写擦除功能自动测试的西测测试收盘20CM涨停两连板,2月6日迄今股价累计最大涨幅达99.43%;主营产品包括SRAM的北京君正继昨日收盘20CM涨停...
全新AI芯片速度比英伟达GPU快十倍!SRAM龙头连续20CM涨停 受益公司...
采用LPU技术路线的全新AI芯片横空出世,推理速度较英伟达GPU提高10倍,其采用目前读写最快的存储设备之一SRAM。A股方面,采用算法图形和APG技术实现对SRAM读写擦除功能自动测试的西测测试收盘20CM涨停两连板,2月6日迄今股价累计最大涨幅达99.43%;主营产品包括SRAM的北京君正继昨日收盘20CM涨停后今日盘中一度涨超17%,2...
AI推理速度提升超10倍、性价比超100倍!Groq LPU能否取代NVIDIA GPU
SRAM对于AI至关重要,尤其是嵌入式SRAM,它是性能最高的存储器,可以将其直接与高密度逻辑核心集成在一起。目前SRAM也是被诸多CPU集成在片内(更靠近CPU计算单元),作为CPU的高速缓存,使得CPU可以更直接、更快速的从SRAM中获取重要的数据,无需去DRAM当中读取。
英伟达史上最强AI芯片都发布了,你还不知道GPU的原理和前景
2.GPU存储架构GPU有多层不同类型的存储器,从访问速度来看,这些存储结构按照从高到低排序依次是:RMEM(寄存器)>SMEM(共享存储)>CMEM(常量存储)>TMEM(类常量存储)>LMEM(本地存储)>GMEM(全局存储)上面中虚线中表示的就是一个SM中的存储结构,每一个SM都包括寄存器、共享内存、常量内存和L1...
光学计算70年
1970年10月,英特尔推出了第一款DRAM(动态随机存取存储器)——英特尔1103电路(theIntel1103circuit)。该芯片采用P沟道硅门MOS技术,容量为1Kbit,最大访问时间为300ns,最小写入时间为580ns。与当时的存储器相比,光存储有两个吸引人的特点:潜在的高密度和并行访问的可能性。早在1963年,vanHeerden就提出了三维...
CPU 2.0时代来了?Flow PPU可使任何CPU性能提升100倍!
Flow的参数化设计允许广泛的定制,包括PPU内核的数量、功能单元的种类和数量以及片上存储器资源的大小。性能会随着PPU内核数量的增加而增加。4核的PPU非常适合智能手表等小型设备,16核PPU非常适合智能手机,而64核PPU可为PC提供出色的性能;256核PPU最适合AI、云和边缘计算服务器等高需求环...
仅6皮秒!新技术打破磁存储器速度纪录,比最先进自旋电子设备快近...
近日在《自然·电子》(NatureElectronics)杂志上发表的一篇论文中,由法国、美国学者合作领导的国际研究团队宣布研发出了一种新的磁化“开关”技术(将信息“写入”到磁存储器的过程),其切换比最先进的自旋电子设备快近100倍。这一进步可能将引领计算机芯片的超快磁存储器的发展,即使在没有电力的情况下也能保留数据...
ReRAM新型存储器如何影响未来存储格局?
第二类非易失性存储器包括以NORFLASH和NANDFLASH为代表的传统存储器和四种新型存储器。NORFLASH的容量较小且写入速度极低,但读速较快,具备芯片内执行的特点,适合低容量、快速随机读取访问的场景;NANDFLASH的容量大成本较低,但读写速度极低,一般用于大容量的数据存储。