开关功率晶体管的选择和正确操作
上级晶体管几乎可以是任何晶体管:高fT双极晶体管、标准MOSFET、Coolmos、a-Si、GaN、SiCJFET、GaN或SiC增强型MOSFET,这都无关紧要!了解这一点非常重要,因为提供级联的GaN和SiC制造商试图说服客户,GaN或SiC可实现快速切换。事实上,如果使用SiCoolmos代替GaN或SiC,则切换速度相同,因为这...
用溶液处理平面电解门控场效应晶体管直接记录心肌细胞的动作电位
本文使用一种基于溶液处理聚合物包裹的单手性半导体单壁碳纳米管(SWCNTs)的具有成本效益的平面电解质门控场效应晶体管(EGFET)对心肌细胞进行自发的细胞内样记录。通过简单地打开晶体管,人类诱导多能干细胞衍生的心肌细胞的细胞内样动作电位的自发记录成为可能。如图1所示,EGFETs的器件结构如图1a、b和c所示。晶体管...
芯朋微申请多poly电位晶体管专利,可使输入电容和电流密度降低且可调
所述多poly电位的绝缘双极性晶体管的各元胞中包括:位于第一导电类型漂移区的第一主面的元胞区和终端区,所述终端区,位于所述元胞区外圈并环绕包围所述元胞区;所述元胞区,包括:邻近沟槽内poly电位为gate电位的元胞和邻近沟槽内poly电位为任意电位的元胞。本申请的绝缘双极性晶体管能够使输入电容和电流密度降低...
...使得在高刷新率时电位能更快的充至目标值,在低刷新率下电位...
金融界2024年2月3日消息,据国家知识产权局公告,上海和辉光电股份有限公司申请一项名为“一种兼容高低刷的新型电路及驱动方法“,公开号CN117496890A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示,本发明涉及电子技术领域,具体涉及一种兼容高低刷的新型电路及驱动方法,包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、...
基础知识之晶体管
小信号晶体管最大集电极电流(IC(max))在500mA以下,最大集电极功率(PC(max))不超过1W的晶体管。相对功率晶体管而得名,一般以树脂封装居多,这是其特点之一。功率晶体管一般功率晶体管的功率超过1W。相比小信号晶体管拥有更大的最大集电极电流、最大集电极功率,对于散热而言,它本身形状就很大,有的功率...
扩展栅场效应晶体管化学与生物传感器现状与展望
从贝尔实验室的单一宏观原型,到拥有数百万个设备的集成芯片,晶体管是可扩展性演变的最突出的例证(www.e993.com)2024年9月17日。虽然它们主要用作逻辑门元件,但晶体管也显示出在用作传感器时跟踪模拟信号的能力。这种类型的传感器得益于表面效应,因为它们的化学和生物门控是传感器表面电位变化的结果。经过几十年的探索,基于场效应晶体管(FET)的...
我科学家成功创制极化激元“晶体管”
戴庆介绍:“极化激元是一种由入射光与材料表界面相互作用形成的特殊电磁模式(表面波)。它具有优异的光场压缩能力,可以轻易突破光学衍射极限从而实现纳米尺度上光信息的传输和处理。”研究表明,该晶体管可实现光正负折射的动态调控,类似电子晶体管能切换(1,0)两个高低电位,为构筑与非门等光逻辑单元提供重要基础。
BCD技术科普:模拟、数字和电源设计的统一方法
典型的BCD技术在同一工艺中提供低压逻辑CMOS晶体管、高压晶体管、二极管、电阻器和MIM电容器。BCD工艺具有寄生双极晶体管,非常适合制作带隙基准等模拟电路。图1.1图1.2使用BCD技术的优点:提高系统可靠性减少电磁干扰更小的芯片面积高能源效率...
技术科普 | 汽车电机控制器详解
注:由于高效率和低成本,当今绝大多数电动汽??都采用基于绝缘栅双极晶体管(IGBT)的三相电压源逆变器(VSI)。如图所??,电池组可以直接连接到逆变器直流输??(图a),也可以使??DC/DC升压转换器来升压电池电压并向逆变器提供受控直流电压(图b)。
类脑计算模型登Nature子刊:受大脑启发的人工树突网络,实现高能效AI
图示:(a)生物树突,(b)Dendristor与正常突触,(c)Dendristor与沉默突触的方向选择性比较。(来源:论文)Baek表示:「这种薄膜通过允许掺杂离子以类似于神经元树突中的离子的方式移动来模拟树突分支,从而调节晶体管的电流以反映树突膜电位的变化。我们的研究表明,树突晶体管表现出非线性树突整合和方向选择性。」...