在美国的重重封锁下我国国产“芯”技术再突破,目标直指5nm

光源是光刻机的核心部件之一，未来会不断探索更先进的光源技术。如极紫外（EUV）光源技术将持续优化，提高光源的功率、稳定性和能量转换效率，降低成本，以更好地支持高端芯片的生产。同时，也可能会有新的光源技术出现，为光刻技术带来新的突破点。光学系统的性能对光刻精度至关重要。我国会加大在光学设计、光学材料...

目标直指5nm,国产“芯”技术再突破:感谢老美送“助攻”?

从官方消息来看,国产T150A光刻胶的分辨率已经达到了120nm,足以满足5nm及以下工艺芯片生产。就目前国内市场的需求而言,国产T150A光刻胶已经足够我们使用了。而从这其中我们还能看出,国产T150A光刻胶的出现,意味着我国国产芯片技术,已经在朝着5nm工艺进发了。颇具戏剧性的是,尽管光刻胶在芯片生产过程中是不可或...

中国高端光刻机问世,分辨率突破65纳米,能制造8纳米的芯片吗

光刻机被称为芯片制造的“皇冠”，其复杂的工艺和精密的设计使得它成为制造纳米级芯片的必备设备。而光刻机的研发与制造，不仅需要在光学、材料学和电子技术等领域达到全球顶尖水平，还需要整合跨国供应链中的核心技术。全球光刻机龙头企业荷兰ASML，几乎垄断了最先进的光刻机生产，并依赖多个国家的技术合作。这意味着...

央视报道:第三代玻璃穿孔技术获突破,我国芯片制造能否换道超车

为此,我们正在研发第三代玻璃穿孔技术。这种技术利用特殊的激光器进行“打孔”,通过化学反应,实现给玻璃打上微密小孔。当然,正如开头所说的,这些技术还在研发当中,一旦实现,对于中国乃至全球的芯片制造行业都将是颠覆性质的。就像近些年来,我国在新能源汽车领域实现的弯道超车那样,芯片行业也将迎来这样的局面。日前,美...

国产光刻机新信息公布:技术又进一步!网友们讨论的重点却是这个

此外，中芯国际基于从ASML采购的浸润式DUA光刻机，已经可以实现14nm工艺芯片的稳定量产，相对而言，这款氟化氩光刻机照明波长是193nm，如果配合浸润式技术并经过曝光，也可以生产14nm芯片，但因为我国浸润式技术依然有较大的发展空间，目前通过该方案实现14nm芯片的稳定量产看起来依旧难度不小。综合考虑技术水平、良品...

我国七部委联手出击,加快突破GPU芯片技术,有什么重大战略意义!

随着大数据、云计算和人工智能等技术的不断进步,高性能的GPU芯片计算技术已经成为衡量一个国家实力的重要指标(www.e993.com)2024年11月10日。我国正努力推动这些技术的创新和发展,以降低对外部供应链的依赖,提升自身的创新能力。3、科技自立自强动技术的进步,如GPU芯片等,将直接促进相关产业的发展,包括智能制造、自动驾驶和生物科技等。这将有助于...

人形机器人进入“爆发期”,谁最有机会领跑这个万亿级产业?

熊蓉说,从技术布局上看,中国研究团队的技术储备覆盖了人形机器人运动控制、人机映射、机器智能等技术路线,在部分领域达到了国际领先水平。“现阶段人形机器人的火爆,一是由于大模型形成的人工智能优势,能够在人形机器人上实现‘落地’,二是人工智能芯片的算力,已经能够支撑人形机器人的复杂应用。”均普人工智能与人...

荷兰与美国保持一致收紧光刻机出口,没关系芯片差距只有三五年

从美国对华为启动事实上的出口禁令至今已有5年。5年来美国一直在采取遏制我国芯片技术的措施。不过,实际效果很少被讨论。由于这些年我国进口了大量的光刻机和相关生产资料,利用国家半导体基金重点支持发展了一批半导体设计、制造、封装企业,我们的半导体产业虽然与西方最新技术还存在一定的差距,但也基本形成了半导体产业体...

华泰联合证券:半导体设备国产化替代加速,乘势而为推动技术升级

2、存储器技术架构进步,带来更多对刻蚀设备、薄膜沉积设备的需求在NAND闪存芯片领域,2D存储器件的线宽已接近物理极限,NAND闪存逐步进入3D时代。3DNAND制造工艺将存储单元改为垂直排列,通过增加堆叠层数,可以解决二维平面上难以微缩的工艺问题。NAND闪存芯片的3D化,使高深宽比蚀刻和薄膜沉积成为关键加工步骤,带来更多对...

瞭望·治国理政纪事|以核心技术突破赢得科技自立自强

????◇多位业内人士表示,我国芯片领域光芯片技术与国外差距最小。中国光谷基于自身强大的研究基础与产业基础,依托国内庞大的终端应用,未来可能在光芯片领域率先实现突破。????◇作为我国第一根光纤的诞生地、“国家光电子信息产业基地”,中国光谷是全球最大的光纤光缆研发制造基地、光器件研发生产基地,全国最大...