三星电子推出第七代图形双倍数据传输率存储器

环球网科技综合报道10月17日消息,三星电子今日宣布,该公司已成功开发出首款24GbGDDR7DRAM,即第七代图形双倍数据传输率存储器,标志着在高性能存储解决方案领域的又一重大突破。这一创新产品预计将在数据中心、AI工作站等需要高速数据处理的领域发挥重要作用,并将进一步拓宽图形DRAM在显卡、游戏机和自动驾驶等传...

iPhone利润率下降,苹果股价黯淡;国芯科技解决国产RAID卡无“芯...

RAID存储控制芯片长期以来一直由美国的博通、PMC等公司垄断,经过多年的研发,国芯科技子公司广州领芯已成功开发基于公司C*CoreCPU内核C8000的第一代RAID芯片产品CCRD3316及其适配卡,该芯片支持RAID0/1/5/6/10/50模式,支持掉电保护和恢复功能且适配国产阵列管理软件,具有高性能、大缓存、低功耗等特点,广泛应用于图...

存储器新技术:FeRAM的高可靠性和无延迟

MRAM是一种基于磁性材料的存储器,与FeRAM相比,MRAM的速度更快、功耗更低,适用于对实时性要求极高的场景。然而,MRAM易受外界磁场影响,且相对FeRAM在抗环境干扰和数据持久性方面稍显不足。因此,在工业自动化和汽车电子领域,FeRAM的可靠性和耐用性得到了更多青睐。NAND和NORFlash是市场中最主要的两种存储器,但二...

顺络电子助力DDR5实现低功耗、高传输速率

DDR5是第五代双倍数据率内存技术的缩写。它是计算机系统中用于存储数据的一种高速随机访问内存类型。相对于DDR4,DDR5在供电位置、数据传输速率、功耗、效率转换要求、内存容量主要有如下变化。1.供电位置DDR4:DDR4的供电位置主要位于主板的24Pin的主板供电插槽。DDR5:DDR5内存的供电模组位于内存条的背面,DDR5内...

...Premium系列,实现全新系统加速水平,满足数据密集型工作负载需求

第二代AMDVersalPremium系列自适应SoC能以至高8533Mb/s的最快速LPDDR5存储器连接加速存储器带宽,带来更快速的数据传输和实时响应。与采用LPDDR4/5存储器的同类器件相比,这种超快的增强型DDR存储器可将主机连接速度提升至高2.7倍4。与CXL存储器扩展模块进行连接可使总带宽较之单独使用LP...

叠券后的威联通TS-464C2应该是蕞有性价比的四盘位NAS之一!

威联通TS-464C2是TS-464的迭代产品,搭载IntelN5095处理器,四核心四线程,最高睿频2.9GHz;采用4个HDD+2个SSD硬盘位设计,最高存储容量达到96TB(www.e993.com)2024年11月27日。N5095的性能虽然比当前主流旗舰级处理器有些差距,但日常家用绰绰有余。接口方面,它有一个HDMI2.0视频接口,支持4K@60Hz影像输出;USB3.2Gen2接口,理论速度10Gbps...

三星成功开发其首款 24Gb GDDR7 DRAM,可用于数据中心及 AI 工作站

IT之家10月17日消息,三星电子今日宣布,已成功开发出其首款24GbGDDR7DRAM(第七代图形双倍数据传输率存储器),将广泛应用于需要高性能存储解决方案的各个领域,如数据中心、AI工作站。官方表示,该产品将进一步扩展图形DRAM在显卡、游戏机和自动驾驶等传统应用领域之外的应用范围。24GbGDDR7采用了第...

AMD:创新第二代Versal Premium系列加速连接,应对AI时代挑战

图3AMDEPYC处理器与VersalPremium自适应SoC提高存储器带宽及利用率第二代AMDVersalPremium系列自适应SoC能以至高8533Mb/s的快速LPDDR5存储器连接加速存储器带宽,带来更快速的数据传输和实时响应。与采用LPDDR4/5存储器的同类器件相比,这种超快的增强型DDR存储器可将主机连接速度提升至高2.7倍。

【研报】HBM产业链专题报告:国内AI发展胜负手,国产化迫在眉睫

HBM制造中TSV成本占比最高,直接决定良率HBM制造主要包括TSV(硅通孔)、microbumping(微凸点制作)和堆叠键合。我们假设HBM毛利率为50%左右,2024年HBM生产各环节合计市场空间预计约为92亿美元。根据3DInCites,以4层DRAM存储芯片与一层逻辑芯片堆叠为例,在99.5%的封装良率下,TSV生产、TSV显露、晶圆凸点、组装(...

...科技取得数据读取相关专利,提高芯片读取数据时的数据传输效率

北京芯驰半导体科技取得数据读取相关专利,提高芯片读取数据时的数据传输效率,芯片,预设,专利,存储器,半导体科技