...报导华中科技大学深度产学研合作硕果国产最大容量新型存储器芯片

9月30日,记者从光谷企业新存科技(武汉)有限责任公司(以下简称“新存科技”)获悉,该公司自主研发的国产最大容量新型三维存储器芯片“NM101”面世,有望打破国际巨头在该领域的长期垄断。新存科技总经理刘峻介绍,目前国内市场上同类产品容量仅为Mb级,“NM101”芯片容量直接提升到Gb级,目前已达64Gb,支持随机读写,且...

...研发的国产首款最大容量新型3D存储器芯片NM101,单芯片容量达64Gb

古鳌科技：参股子公司新存科技发布自主研发的国产首款最大容量新型3D存储器芯片NM101，单芯片容量达64Gb金融界10月14日消息，有投资者在互动平台向古鳌科技提问：贵司参股30.4364%的子公司新存科技近日发布了其自主研发的国产首款最大容量新型3D存储器芯片NM101，该新品采用先进工艺制程结合三维堆叠技术，单芯片...

佰维存储获5家机构调研:公司面向AI手机已推出UFS3.1、LPDDR5/5X...

在产品方面,公司面向AI手机已推出UFS3.1、LPDDR5/5X、uMCP等嵌入式存储产品,并已布局12GB、16GB等大容量LPDDR产品,在受AI驱动的大容量闪存和内存产品布局上比较全面,满足AI端侧设备对存储配置提升的需求。在PC领域,AIPC基于大模型的算力需求,对搭载高容量先进制程DRAM产品的需求增加,同时为了有效管理PC上运行的AI数据,...

2024 年全球存储器市场销售额有望增长 61.3%,新型存储器迎来发

“业内人士认为，下一代NORFlash的工艺将进入瓶颈，未来可以替代ReRAM，但量产的ReRAM最大容量为12Mb。要替代NORFlash，ReRAM的容量需要达到1Gb。”冯亦欣表示。富士通FeRAM/ReRAM的应用定位赋能多种热门行业应用，智能存储已广泛落地在数字化转型的汹涌浪潮下，存储技术的创新无疑成为驱动各行业前进的核心力量。

新存科技公布国产最大容量新型 3D 存储器芯片参数:最高 IO 速度...

IT之家10月8日消息,参考IT之家此前报道,新存科技9月23日发布了其自主研发的国产首款最大容量新型3D存储器芯片NM101。该新品采用先进工艺制程结合三维堆叠技术,单芯片容量达64Gb。新存科技官网现在公布了NM101芯片的参数情况:可以看到NM101采用SLC存储单元类型,最高IO速度(I/O接口...

国产最大容量新型存储器芯片问世,有望打破国际巨头长期垄断

近日,武汉光谷企业新存科技(武汉)有限责任公司(以下简称“新存科技”)宣布其自主研发的国产最大容量新型三维存储器芯片“NM101”面世,有望打破国际巨头在该领域的长期垄断(www.e993.com)2024年11月13日。新存科技总经理刘峻介绍,目前国内市场上同类产品容量仅为Mb级,“NM101”芯片容量直接提升到Gb级,目前已达64Gb,支持随机读写,且存储时读、...

新存科技发布国内最大 64Gb 单芯片容量 3D 新型存储器芯片 NM101

IT之家9月27日消息,据《半导体行业观察》报道,新存科技(武汉)有限责任公司本月23日发布了其自主研发的国产首款最大容量新型3D存储器芯片NM101。NM101基于新型材料电阻变化原理,采用先进工艺制程结合三维堆叠技术,在单颗芯片上集成了百亿级规模的非易失性存储器件,单芯片容量达64Gb。

...RAMXEED,以全新一代FeRAM迎接边缘智能高可靠性无延迟数据存储...

“业内人士认为NORFlash在下一代的时候工艺会进入瓶颈,未来可以替代NORFlash的是ReRAM,但是ReRAM目前量产最大的容量是12Mb。若要替代NORFlash,ReRAM的容量需要达到16Mbit到1Gb。”冯逸新表示。富士通FeRAM/ReRAM的应用定位赋能多个热门产业应用,智能存储获得广泛落地...

打破国际垄断!国产最大容量新型存储器芯片面世:存10GB仅需1秒

快科技10月2日消息，据媒体报道，新存科技自主研发的国产最大容量新型三维存储器芯片“NM101”面世，有望结束国际巨头的长期垄断局面。新存科技总经理刘峻透露，“NM101”芯片的容量达到64GB，是国内同类产品的数十倍，同时支持随机读写。与国内现有同类产品相比，其存储速度提升了10倍以上，使用寿命增加了5倍，意味...

国产最大容量新型存储器芯片面世

9月30日,从光谷企业新存科技(武汉)有限责任公司(以下简称“新存科技”)获悉,该公司自主研发的国产最大容量新型三维存储器芯片“NM101”面世,有望打破国际巨头在该领域的长期垄断。新存科技总经理刘峻介绍,目前国内市场上同类产品容量仅为Mb级,“NM101”芯片容量直接提升到Gb级,目前已达64Gb,支持随机读写,且存储...