中国发改委调查存储器价格添变数,移动式内存恐首当其冲
集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出,目前正是DRAM与NANDFlash等各类别存储产品议价的关键时期,但由于近期中国国家发改委约谈三星半导体,可能将对存储器价格走势带来变量,预期行动式内存涨幅将较为收敛。DRAMeXchange研究协理吴雅婷指出,从每单位容量来看,2017年DRAM价格上涨超过四成,同期NAND的价格上涨幅度也逼近四...
2024年中国高带宽存储器HBM行业市场深度分析及投资战略咨询报告
根据高带宽存储器(HBM)行业的发展轨迹及实践经验,精心研究编制《2024-2030年中国高带宽存储器(HBM)行业市场调查研究及投资前景展望报告》,为企业、科研、投资机构等单位投资决策、战略规划、产业研究提供重要参考。《2024-2030年中国高带宽存储器(HBM)行业市场调查研究及投资前景展望报告》对高带宽存储器(HBM)行业发展...
2024年Q3 NAND Flash均价预计环比上涨5%~10%
美光公司今年二季度的存储容量也出现小幅下滑,但是NAND闪速存储器的营收为19.8亿,较上年同期上升15.2%,占到了11.8%,这要归功于单位面积的20%的增幅。美光公司称,公司发布的高容量的企业型SSD是公司第二季营收的主要驱动力,同时也会重新考虑未来的发展方向,因此该公司在三季度的发货量有望继续上升。...
普冉股份接待1家机构调研,包括全体公众
1)公司基于“存储”战略下的NORFlash及EERPOM产品线,持续完善产品系列布局及工艺性能领先性,同时重视中高端工控及车载客户的拓展机会,公司将继续保持增长韧性,基于原本SONOSNORFlash优势充分的中小容量市场拓展客户份额。同时公司ETOXNORFlash系列产品已实现4Mbit~1Gbit全容量出货,两种工艺深入协同,打造完整的NORFlash产品矩阵...
兆易创新获13家机构调研:公司DRAM业务在2024年上半年取得了比较...
答:目前DRAM8Gb容量产品已进入样品和小批量生产的阶段,明年实现大批量的量产。DRAM8Gb容量产品在利基DRAM市场领域是非常重要的组成部分,广泛应用于电视、影音设备等应用领域。问:定制化DRAM业务今年的营收和利润情况答:定制化存储器产品项目开发周期长,业绩释放的周期也较慢,目前尚在早期阶段。
苏州高等职业技术学校关于2024年电子工程系实训及竞赛耗材采购...
2024年电子工程系实训及竞赛耗材采购项目JSZC-320500-JZCZ-G2024-0048招标项目的潜在投标人应在苏采云获取招标文件,并于2024-10-1009:30(北京时间)前递交投标文件(www.e993.com)2024年9月21日。一、项目基本情况项目编号:JSZC-320500-JZCZ-G2024-0048项目名称:2024年电子工程系实训及竞赛耗材采购项目...
集成电路技术与产业发展
信息产业最开始是硬件(集成电路)技术驱动,随着集成电路加工技术的进步,单一芯片的集成度越来越高,集成电路的工作速度越来越快,存储器容量越来越大,承载在集成电路上的软件就可以越来越丰富,软件的功能也就越来越强大,应用软件的种类也就越来越多。Windows操作系统所占空间、IntelCPU主频与同期DRAM典型产品存储容量的正...
3D芯片,续写摩尔定律|晶体管|低功耗_网易订阅
HBM(HighBandwidthMemory)全称为高带宽存储器,这是将多个DRAM颗粒进行垂直堆叠的新型存储产品,可以突破传统冯·诺依曼架构下的带宽限制以及功耗限制。由于HBM距离GPU更近,同时可提供超过1000个位宽,因此GPU与存储之间可以实现快速且高带宽的互连。英伟达H200相较H100,HBM容量增加76%,在GPU不变的情况下,大模型运算效率...
深度解析特斯拉Model 3 逆变器的构造
相比之下,一个具有相对恒定的2.2V电压降和相对较高的开关损耗的TO-247IGBT可能很难处理25A的电流,即使采用液冷。另一个极大地影响每器件电流容量的因素是,传统的TO-247和TO-220封装的散热器片直接连接到IGBT和MOSFET的集电极或漏极,因此需要在片和散热器之间使用某种绝缘材料。
“超越摩尔定律”,存内计算走在爆发的边缘
根据存储器技术的不同,存储在存储器单元中的权重向量x可以是单位或多位的。虽然VM通常是单比特器件,但许多NVM显示多比特甚至模拟状态,这是提高X-CIM吞吐量的关键因素,而机器学习加速非常需要这种吞吐量。闪存、FeFET、PCM、RRAM和FTJ是出色的模拟电导器件,这要归功于它们的基本物理特性,允许对电荷存储、铁电极性比、...