无锡新洁能取得低 EMI 噪声的绝缘栅双极型晶体管器件结构及其制造...
金融界2024年10月21日消息,国家知识产权局信息显示,无锡新洁能股份有限公司取得一项名为“低EMI噪声的绝缘栅双极型晶体管器件结构及其制造方法”的专利,授权公告号CN111244170B,申请日期为2020年3月。本文源自:金融界作者:情报员
国产芯片“攻入”车厂
然而,在高端功率半导体方面,如高效能碳化硅器件和IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,国产技术仍与国际领先水平存在明显差距,关键技术和产能在很大程度上还依赖进口。“在全球竞争中,功率半导体可以成为我们与国际巨头抗衡的一个切入点。”吴全表示。不过,他亦向记者强调,车规级MCU、SoC(系统级芯片)与传感器,会是未来国产...
以改革促开放、以开放谋发展——国家级经开区40年发展综述
武汉经开区通过与武汉东湖高新区联动,在汽车芯片领域开展联合技术攻关,将高铁绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片技术引入汽车功率芯片开发并实现日均1000只IGBT芯片量产,成功突破汽车“功率芯片”领域困局。聚焦“创新如何转化”,打通科技成果落地“最后一公里”。在东营经开区,中国有研、潍柴动力、国瓷材料等8家行业领军企...
以改革促开放 以开放谋发展|武汉|自贸试验区_网易订阅
武汉经开区通过与武汉东湖高新区联动,在汽车芯片领域开展联合技术攻关,将高铁绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片技术引入汽车功率芯片开发并实现日均1000只IGBT芯片量产,成功突破汽车“功率芯片”领域困局。聚焦“创新如何转化”,打通科技成果落地“最后一公里”。在东营经开区,中国有研、潍柴动力、国瓷材料等8家行业领军企...
双极性结型晶体管的开关损耗
SPICE模拟提供了另一种更准确的估计传导损耗的方法。例如,考虑图2中的LTspice电路。该模拟双极性结型晶体管的Q1由3.3V数字信号控制,并将电流切换到50Ω负载。一种LTspice双极结晶体管电路。图2:在LTspice中建模的图3显示了运行模拟时产生的基极-发射极和集电极-发射极电压。
更高额定电流的第8代LV100 IGBT模块
图3和图4显示了第7代和第8代载流子存储式沟槽栅双极晶体管(CSTBTTM)的截面示意图[3],在第7代CSTBTTM中,与栅极相连的有效沟槽和与发射极相连的无效沟槽交替放置(www.e993.com)2024年10月26日。而在第8代CSTBTTM中,无效沟槽被SDA沟槽取代,在这一配置中,沟槽内部的电极分为两段,SDA沟槽的上电极连接到发射极,而下电极连接到栅极。此外,CPL...
封测基地一期厂房将全面投产!南京江北新区这家半导体功率器件企业...
近几年,随着电动汽车和新能源应用领域的快速发展,有着“工业CPU”之称的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)器件和模块也迎来了爆发。“作为整个功率器件市场里最大的细分品类,IGBT技术门槛比较高,是我们中长期规划的重要产品之一。”长晶科技市场负责人说。据悉,在不断改良工艺平台的基础上,长晶科技研发并推出了大功率...
“聪明的车”产业链逐步自主可控
如寒武纪等的主控芯片实现了小批量装车,比亚迪、中车时代实现了功率类芯片IGBT(绝缘栅双极型晶体管)量产应用,华为、大唐等企业的通信芯片形成了一定优势地位。随着汽车控制集中化成为发展趋势,更高算力的SoC(系统级芯片)成为未来汽车芯片竞争的“制高点”,一些企业的SoC芯片已经开始量产搭载。
NPN型三极管-IC电子元器件
可以调节电源电压和反馈电阻等参数,观察振荡稳定性和谐波失真等指标。06NPN型三极管元件作用NPN型三极管在电子电路中的作用主要有两个方面:放大和开关控制。它可以将微弱信号放大到较大幅度,同时也可以通过控制基极电流的变化来控制集电电流的开关状态。举报/反馈...
光电器件的种类主要有哪些?
光电晶体管相当于一个具有光敏感基区的双极型晶体管,它能放大光电流,因此具有更高的增益和更快的响应速度。这种器件常见于要求更高灵敏度的光电开关、自动控制系统以及图像传感器组件中。4.光敏电阻(Photoresistor)光敏电阻的电阻值会随光照强度变化而改变,暗环境下电阻大,受光照射后电阻显著减小。因其成本低、...