晶圆混合键合走向400nm互连间距

为了扩展应用领域，例如：存储-逻辑堆叠，3D互连间距必须远低于1um（目前的技术能力）。本文重点介绍了当前的设计和技术创新，这些壮心使Cu&SiCN的混合键合成为可能，互连间距降到前所未有的400nm。三维集成是实现多芯片异构集成解决方案的关键技术，是业界对系统级更高功率、性能、面积和成本效益长久以来需求的响应。从...

新的X射线世界纪录:以4nm的分辨率观察微芯片内部结构

PaulScherrerInstitute(PSI)的研究人员与洛桑联邦理工学院、苏黎世联邦理工学院和南加州大学合作,利用X射线技术取得了重大突破。利用PSI瑞士光源SLS发出的X射线,并采用由瑞士XRnanotech公司提供的最外环宽度为30nm,高度为400nm的FZP(菲涅尔波带片)聚焦,以前所未有的高分辨率观察了微芯片内部结构,实现了4...

OmniVision为AR/VR眼动追踪、面容追踪发布2.2微米OG0TC BSI全局...

比上一代传感器功耗降低了40%以上(映维网Nweon2024年07月10日)数字成像解决方案开发商OmniVision日前发布了全新的2.2微米OG0TCBSI全局快门图像传感器,专门用于AR/VR/MR消费级头显和眼镜中的眼动追踪和面容追踪。团队表示:“超低功耗对于AR/VR电池供能设备至关重要,我们的OG0TCBSI全局快门图像传感器比上一代...

2024年药包材检验设备采购项目公开招标公告

CA数字证书服务热线010-58511086电子营业执照服务热线400-699-7000技术支持服务热线010-864838012.1办理CA数字证书或电子营业执照供应商登录北京市政府采购电子交易平台查阅“用户指南”—“操作指南”—“市场主体CA办理操作流程指引”/“电子营业执照使用指南”,按照程序要求办理。2.2注册供应商登录北京市政府...

2024中国电池展|最新AEM:3微米超薄电解质膜实现高比能固态电池

先前的研究表明，当固体电解质的厚度小于30??m时，固态电池可以获得超过400Whkg??1的高能量密度。虽然无机固态电解质具有较高的离子电导率和杨氏模量，但其脆性和传统的烧结压制工艺使其难以生产大尺寸的薄电解质膜。相比之下，聚合物固态电解质密度低，制造工艺简单，并且厚度易于调节。然而，设计和制造具有优异...

2.5亿元!浙江大学大批采购仪器

近日,浙江大学发布64项仪器设备采购意向,预算总额达2.50亿元,涉及扫描探针变温原位测量系统、聚焦离子束电子束双束显微镜、多离子源-多检测器飞行时间二次离子质谱、微量吸附量热仪、散射近场原子力显微镜等,预计采购时间为2024年10月~2025年6月(www.e993.com)2024年11月14日。浙江大学2024年10月~2025年6月仪器设备采购意向汇总表...

7.42亿元!复旦大学107项仪器采购意向

常温真空化学气相乘积CVD仓,加工温度区间20-80℃,薄膜厚度生长区间10-500nm。1552024年11月高分辨多功能三维无损检测仪采购名称:高分辨多功能三维无损检测仪1套,该设备是对纤维材料和纤维器件进行无损伤结构表征。该设备为高分辨率的三维表征设备,为各种尺寸的样品提供亚微米级成像解决方案。保持先进的大样品...

1499元起!这就是最旗舰的Redmi平板?

在这块哑光金属机身上,Redmi利用微米级3D激光镭射雕刻出了硕大的霍格沃茨和哈利波特logo,以及和上一代联名款思路多少有些类似,可以被装饰成哈利波特圆形眼镜的后摄模组,尽管缺乏了手机上的立体浮雕炫技,但是黑金混搭的配色还是相当出彩的。(图源:雷科技)

一万八干字详解半导体刻蚀工艺_腾讯新闻

半导体制造技术在过去几十年经历了显著的演变,这一进程在刻蚀工艺的转变中尤为明显。半导体技术节点的演进标志着制造工艺的精细度,其中最小特征尺寸(CriticalDimension,CD)是关键指标。在1970年代,这一尺寸从10微米(10μm)迅速减小至5微米(5μm),这一变化推动了刻蚀技术的转变。湿法刻蚀(WetEtching)因其成本效益...

【预约检测】光谱、色谱、质谱、导热仪、环境、固废、食品、化妆...

3300nm2.波长最小0.5nm注意:1.液体量大于3ml2.固体块状,平板建议20mm*20mm3.测透射样要求透光傅里叶红外FTIR型号:赛默飞IS50功能:1.适用粉末,液体,薄膜2.ATRJ金刚石反射测试模式3.常规透射模式参数:1.波数400-4000cm-12.ATR测试范围500-4000cm-1...