ASML掀开台积电的老底,28纳米以后的芯片工艺升级都是假的!

ASML指出在28纳米以上工艺的时候,芯片制造工艺的栅极间距都低于芯片工艺的名字,即是65纳米,芯片的栅极间距低于65纳米,但是在28纳米以下工艺,芯片的栅极间距难以迅速缩短,芯片制造企业的命名已是脱离了这样的命名规则。ASML表示3纳米工艺的栅极间距为23纳米,2纳米、1.4纳米工艺的栅极间距分别为22纳米、21纳米,预计1纳米...

台积电和三星电子的16/14纳米之争

三星电子原本属于FD-SOI阵营，当梁孟松意识到三星电子的20纳米处于落后地位时，他力排众议，建议三星电子放弃2D晶体管的20纳米FD-SOI技术的研发，直接开始3D晶体管的14纳米FinFET技术的研发。结果，三星电子凭借FinFET技术成功地从28纳米直接跨代至14纳米，并于2014年12月初开始量产。梁孟松力推三星电子跳过20纳米(2D...

国产65nm光刻机公布,市场反应出乎意料!

所以虽然沉浸式技术让14纳米芯片的梦想好像触手可及了，但真正大规模生产起来可不是那么容易的事。接下来，我们得看看这台光刻机在28纳米这个更加稳当的赛道上能跑出什么成绩。毕竟，这是国产芯片厂商的主战场，28纳米芯片的需求更实际，或许这就是那台65纳米光刻机的最终目标。聚焦28纳米：国产光刻机的现实选择...

覆盖28-14纳米,华虹六厂建设运营取得新突破

根据公开信息,华虹六厂为909工程二次升级改造项目,位于上海康桥基地,2016年11月启动建设、2018年10月建成投片,工艺技术覆盖28-14纳米节点,设计月产能4万片12英寸晶圆,2020年初华虹集团总工程师赵宇航曾在行业活动中透露,集团14纳米FinFET工艺已实现全线贯通。(校对/Aileen)...

7纳米、14纳米、28纳米芯片制造工艺市场价值对比

夹缝中的中芯国际14纳米工艺对于中芯国际14nm工艺来说,向上有性能压制的7nm工艺,向下又有性价比极高的28nm工艺,这种情况对于中芯国际的14nm工艺来说并不太友好。数据来自中芯国际在今年第一季度的财报中,中芯国际14nm工艺收入占比仅为1.3%,这种情况并不算太理想。

外媒:从28纳米到14纳米 中国芯片加速进化

在性能方面,14纳到7纳米的差距比14纳米到28纳米的差距要小,但14纳米的设计制造成本比7纳米高很多(www.e993.com)2024年11月23日。举个例子,从速度与能耗的角度看,去年英特尔推出的14纳米Skylake台式机处理器与AMD7纳米Ryzen并没有明显区别,只是7纳米芯片的制造成本低一些。中国28纳米生产提速...

7纳米、14纳米、28纳米工艺市场价值对比:中芯国际比台积电差在哪里?

如果一个芯片项目对于性能有一定要求但不是很高,并且需要控制成本。那么对于这类芯片来说,28纳米工艺目前是一个非常好的“妥协点”。7纳米工艺的“高端圈子”以台积电7nm工艺为例,台积电的7nm工艺分为第一代7nm工艺(N7)、第二代7nm工艺(N7P)、7nmEUV(N7+)。

被制裁一年,国产存储从全球第一到落后,但28纳米光刻机快来了

28纳米光刻机为浸润式光刻技术的入门,这也意味着国产浸润式光刻机已取得突破,浸润式光刻技术可以应用到7纳米,随着国产先进光刻机的量产,国产存储芯片将突破限制,因为存储芯片只需要用到14纳米以上的光刻机,因为存储芯片无法采用更先进的工艺,当前全球存储芯片最先进的工艺也不过是15纳米,国产光刻机的量产将再次为...

中芯国际获7家机构调研:主要为客户提供0.35微米至14纳米多种技术...

FinFet和28纳米工艺稳步推进,逻辑、射频和低功耗等产品平台主要应用于智能手机和数字电视、机顶盒、wifi、路由器等智能家居和消费电子产品应用。在持续耕耘的多元化客户和多产品平台的双储备效应下,产能利用率持续满载,产出边际效益不断提升,进一步夯实技术护城河。

中芯国际答上交所29问:14纳米进展、营收预期都在这里

首先,中芯国际的核心制程颇受关注,尤其是14纳米和28纳米。虽然目前收入占比最高的还是成熟制程(0.15/0.18微米、55/65纳米),14纳米和28纳米占比仍较低,但是后两者具有战略意义,中芯国际也在加速新制程的商业化。其中,其14纳米制程代工业务主要用于手机应用处理器等;28纳米制程技术主要用于手机SOC芯片、IoT、...