终于破冰!氟化氩光刻机有多牛?8纳米工艺可以量产了?

氟化氩光刻机采用193纳米波长的光源，通过特殊的光学系统和精密的机械结构，实现了对芯片表面微小结构的精确刻蚀。其分辨率小于或等于65纳米，足以满足当前及未来一段时间内，对于7纳米及以上制程节点芯片的生产需求。这一技术的突破，不仅极大地提升了中国芯片制造的能力，更为中国在全球半导体产业链中争取到了更多的话语...

央视官宣!国产量子芯片量产,性能飙升1000倍,光刻机不再是难题

那么，国产量子芯片量产，性能提升1000倍，这到底意味着什么？简单来说，就是咱们在芯片领域，又迈出了坚实的一大步！这不仅意味着我们的技术实力得到了显著提升，更意味着我们在国际芯片市场的竞争力也将大大增强。说起光刻机，那可是芯片制造中的“大杀器”。它的精度和效率，直接影响着芯片的质量和产量。然而，...

中国光刻机再创辉煌:从436纳米到7纳米,国产技术直逼阿斯麦

中国光刻机的重大突破：从436纳米到7纳米，国产光刻技术力追阿斯麦尔近日，工信部发布的相关文件提到了氟化氩和氟化氪两款光刻机的精度能够达到8纳米以下。为了更直观地理解这一进展，可以将其与荷兰ASML公司推出的DUV光刻机——NXE:1980Di进行对比，其官方称其套刻精度为3.5纳米。由此可见，虽然我国新推出的DUV...

纳米压印能否打破EUV光刻机垄断?佳能需要先兑现今年量产的诺言

ASML生产的EUV光刻机是全世界唯一能量产7纳米以下先进制程芯片的设备。今年1月,其又向外界首次公开展示了制造2纳米芯片的最新一代HighNAEUV光刻机。佳能希望纳米压印设备能够做到与其“共存”。而这一切的前提,都建立在佳能能否兑现量产诺言,真正将纳米压印技术推广至行业规模化生产芯片。外界的存疑并不是毫无来由。

国产光刻机“套刻≤8nm”意味着什么

那么,通知文件中的ArF光刻机(光源波长193nm,分辨率≤65nm,套刻≤8nm)极限能做到多少纳米制程?处于什么水平?极限制程能达到多少纳米?综合来看,这种规格的国产ArF光刻机性能与ASML于2015年二季度出货的ArF光刻机TWINSCANXT:1460K(分辨率为≤65nm,套刻精度<5nm)较为接近。而按套刻精度与量产工艺1∶3的关系,这...

关于国家工信部突然官宣的“国产光刻机”,你需要知道的10件事

“此次官宣的国产光刻机,是一个套刻≤8nm,分辨率65nm,干式,波长193nm,DUV光刻机(www.e993.com)2024年11月28日。”句子不算长,没有一个生僻字。但,如果不是对这行有了解的专业人士,有多少人能看懂?又能看懂多少个词?或许,要真的对这件事有概念,不被轻易带节奏,至少得先了解10件事。

工信部公开推广两款国产DUV光刻机!最小套刻≤8nm!

国产光刻机实力几何?据工信微报发文,此次指导目录是为促进首台(套)重大技术装备创新发展和推广应用,加强产业、财政、金融、科技等国家支持政策的协同。具体来看,氟化氪光刻机晶圆直径为300mm(12英寸);照明波长为248mm;分辨率≤110nm;套刻≤25nm。

国产套刻8nm光刻机引争议,我们追赶对象真的是ASML吗?

日前,工信部印发的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》(以下简称“目录”)中显示,中国已攻克氟化氩光刻机,其中该目录中,公开可见的与光刻机代际水平和性能等密切相关的光源193纳米,分辨率≤65nm,套刻≤8nm指标引发了业内的关注。几乎是与此同时,上海微电子披露了一项名为“极紫外辐射发生装置及...

白山头:国产光刻机进展太慢?重点不是这个

最近网上有很多关于中国工信部发布的光刻机技术讨论的分析文章,大致认为工信部发布的这款光刻机相当于阿斯麦15至20年前的产品,主要应用于55至65纳米的工艺。这与大家所理解的能够生产8纳米或7纳米的先进工艺有较大差距。因此,许多人看完这些技术分析后,觉得我们的进步不够快。然而,实际上大家看错了重点。

今年5nm,2026年2nm,EUV光刻机搅局者,终于要量产了?

在全球范围之内,能够生产并且出货EUV光刻机的只有荷兰的ASML,想要生产7nm及以下制程的先进芯片又很难离开EUV光刻机的支持。不过让人没有想到的是,从目前传出的消息来看,EUV光刻机的搅局者出现了,将在今年量产5nm制程设备,在2026年完成2nm制程设备生产。